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公开(公告)号：CN105745761B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201480063796.3
申请日：2014-11-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，其具备：半导体通道层(7)，经由第1隧道层(81A)配置于半导体通道层上的磁化固定层(12A)，经由第2隧道层(81B)配置于半导体通道层上的磁化自由层(12B)，半导体通道层实质上由包含了与第1隧道层的界面的第1区域(7A)、包含了与第2隧道层的界面的第2区域(7B)、第3区域(7C)构成，第1区域和第2区域的杂质浓度为超过1×1019cm‑3的浓度，第3区域的杂质浓度为1×1019cm‑3以下，第1区域和第2区域隔着第3区域而分离，第1区域和第2区域的杂质浓度分别从半导体通道层与第1隧道层的界面以及半导体通道层与第2隧道层的界面单调地在半导体通道层的厚度方向上减少。
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公开(公告)号：CN108701721A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780011944.0
申请日：2017-11-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L29/82 , G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 本发明的自旋流磁化反转元件具备磁化方向可变的第一铁磁性金属层、以及与上述第一铁磁性金属层接合且沿着相对于上述第一铁磁性金属层的法线方向交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线，上述自旋轨道转矩配线利用由两种以上的元素构成的非磁性体构成，在与上述第一铁磁性金属层接合的第一面与位于其相反侧的第二面之间，上述非磁性体的组成比具有不均匀的分布。
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公开(公告)号：CN108604604A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780009223.6
申请日：2017-04-14
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L29/82 , G06N3/06 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明所涉及的磁壁利用型自旋MOSFET(100)的特征在于：具备：磁壁驱动层(1)，具有磁壁(DW)、第1区域(1a)、第2区域(1b)、位于第1区域与第2区域之间的第3区域(1c)；沟道层(5)；磁化自由层(6)，以被设置于沟道层的第1面的第1端部(5aA)并与所述磁壁驱动层的第3区域相接的形式被配置；磁化固定层(7)，被设置于第1端部的相反的第2端部(5aB)；栅极(8)，经由栅绝缘层(9)被设置于沟道层的第1端部与所述第2端部之间。
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公开(公告)号：CN108292702A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068515.2
申请日：2016-11-25
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC classification number: G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，在该磁阻效应元件中，具备：磁阻效应元件，其具有固定了磁化方向的第一铁磁性金属层、和磁化方向可变的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层和第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于该磁阻效应元件的层叠方向交叉的方向延伸，并与上述第二铁磁性金属层接合，在上述磁阻效应元件和上述自旋轨道转矩配线接合的部分，流通于上述磁阻效应元件的电流和流通于上述自旋轨道转矩配线的电流合流或被分配。
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公开(公告)号：CN108011039A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711007372.7
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , H01F10/324 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，能够容易进行磁化反转。该自旋轨道转矩型磁化反转元件具有：铁磁性金属层，其磁化方向变化；自旋轨道转矩配线，其与所述铁磁性金属层接合；界面应变供给层，其与所述自旋轨道转矩配线的与所述铁磁性金属层相反侧的面接合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107887505A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710901088.8
申请日：2017-09-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/08
Abstract: 本发明提供一种能够实现较高的MR比的磁阻效应元件。该磁阻效应元件具有层叠体，该层叠体中按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，所述基底层由氮化物构成，所述隧道势垒层由选自MgAl2O4、ZnAl2O4、MgO及γ-Al2O3中的任一种构成，所述隧道势垒层的晶格常数和所述基底层可采用的结晶结构的晶格常数的晶格非匹配度为5％以内。
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公开(公告)号：CN119446747A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411049473.0
申请日：2024-08-01
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 该自旋转换器包括第1自旋轨道转矩配线层、第2自旋轨道转矩配线层和第1自旋波传播层。所述第1自旋波传播层位于所述第1自旋轨道转矩配线层与所述第2自旋轨道转矩配线层之间。构成为对所述第1自旋轨道转矩配线层的第1方向的第1端与第2端之间施加电流或电压，能够输出所述第2自旋轨道转矩配线层的第3端与第4端之间的电流或电压。所述第3端和所述第4端在与所述第1方向正交的第2方向上位于所述第2自旋轨道转矩配线层的不同的位置。
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公开(公告)号：CN119318073A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202280096809.1
申请日：2022-06-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01P1/36
Abstract: 该非可逆电路元件具备金属层、损耗层以及磁铁。所述金属层具备第一端子、第二端子以及第三端子。所述损耗层具备磁性体和吸收体。所述磁性体在厚度方向上与所述金属层的第一区域重叠。所述吸收体在所述厚度方向上与所述金属层的第二区域重叠。所述磁铁和所述金属层在所述厚度方向上至少夹持所述磁性体。从所述厚度方向观察，所述金属层的连接所述第一端子和所述第二端子的第一边与所述吸收体的所述第一端子及所述第二端子侧的第二边的最短宽度，比连接所述第一边的两端的第一直线和连接所述第二边的两端的第二直线之间的宽度短。
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公开(公告)号：CN113314169B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110489722.8
申请日：2017-10-25
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明目的在于，提供一种能够降低反转电流且能够提高集成度的磁存储器，具备：多个磁阻效应元件，其分别具备磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层，并保持信息；多个第一控制元件，其控制信息的读入，在多个第一铁磁性金属层每一层连接有一个；多个自旋轨道转矩配线，其沿相对于磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，在第二铁磁性金属层的每一层接合一个；多个第二控制元件，其控制流经自旋轨道转矩配线的电流，在自旋轨道转矩配线的每一个第一连接点连接一个；第三控制元件，其分别连接于多个自旋轨道转矩配线的第二连接点，控制信息的写入。
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公开(公告)号：CN118176554A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280006598.8
申请日：2022-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G7/00
Abstract: 本发明提供可变电容器及集成电路。可变电容器具有第一导电层、第二导电层、以及被所述第一导电层和所述第二导电层夹持的电容层。所述第一导电层和所述第二导电层分别是含有铁磁性体的铁磁性层。所述第一导电层具有第一磁畴、和磁化在与所述第一磁畴不同的方向上取向的第二磁畴。可变电容器中，作为所述第一磁畴和所述第二磁畴的边界的磁畴壁构成为能够至少在所述第一导电层的与所述电容层在层叠方向上重叠的区域沿所述第一导电层的面内的第一方向移动。
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