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公开(公告)号:CN103875045A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201280050553.7
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 一种R-T-B系合金薄片,其是含有R2T14B相的柱状晶体(2)的R-T-B系合金薄片,并且是在沿着厚度方向的截面上柱状晶体(2)从晶核(1)放射状地延伸,当令与截面的厚度方向相垂直的方向上的柱状晶体(2)的一个面侧的长度以及与所述一个面相反侧的另一个面侧的长度的平均值分别为D1以及D2时,满足下述式(1)的R-T-B系合金薄片。0.9/1.1≦D2/D1≦1.1/0.9(1)。
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公开(公告)号:CN1698142A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN200480000690.5
申请日:2004-06-29
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供一种R-T-B系稀土类永磁体,其至少具有由R2T14B化合物构成的主相晶粒以及比主相晶粒含有更多R的晶界相,并满足AVE(X)/Y=0.8~1.0、(X/Y)max/(X/Y) min=2.0~13.0的条件;其中,X:烧结体中预定数量的主相晶粒的(重稀土类元素的重量比/全部稀土类元素的重量比);Y:整个烧结体的(重稀土类元素的重量比/全部稀土类元素的重量比);AVE(X):对于预定数量的主相晶粒求得的X的平均值;(X/Y)min:对于预定数量的主相晶粒求得的(X/Y)的最小值;(X/Y)max:对于预定数量的主相晶粒求得的(X/Y)的最大值。
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公开(公告)号:CN1395263A
公开(公告)日:2003-02-05
申请号:CN02124482.0
申请日:2002-06-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/053
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供顽磁力和剩余磁通密度都优良的稀土族永久磁铁。通过使稀土族元素R:20~40重量%,硼B:0.5~4.5重量%,M(Al、Cu、Sn、Ga的一种或两种以上):0.03~0.5重量%,Bi:0.01~0.2重量%、过渡金属元素T:余量,可以得到具有高磁特性的稀土族永久磁铁。
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公开(公告)号:CN109473246B
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN201811019362.X
申请日:2018-09-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057
Abstract: 本发明提供一种包含由R2T14B化合物构成的主相颗粒和晶界的R-T-B系永久磁铁。R为以Nd为必须元素的一种以上的稀土元素,T为Fe或Fe和Co,B为硼。还含有X、Z和M。X为选自Ti、V、Zr、Nb、Hf和Ta中的一种以上,Z为选自C和N中的一种以上,M以Ga为必须元素,还包括选自Al、Si、Ge、Cu、Bi和Sn中的一种以上。晶界包括由面心立方结构构成的XZ相。
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公开(公告)号:CN105453196B
公开(公告)日:2017-12-22
申请号:CN201480044345.5
申请日:2014-08-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/059 , B22F1/0003 , B22F2301/35 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C38/00 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/008 , C22C38/02 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , H01F1/0577 , H01F41/0293 , H02K1/02 , H02K1/2706 , B22F3/087 , B22F2202/05 , B22F3/1007 , B22F2201/20 , B22F9/023 , B22F9/04 , B22F3/1028
Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐腐蚀性,并且兼具良好的磁特性的R‑T‑B系烧结磁铁。该R‑T‑B系烧结磁铁的特征在于,该R‑T‑B系烧结磁铁具有R2T14B晶粒,在由相邻的2个以上的上述R2T14B晶粒形成的晶界中具有R‑Cu‑M‑C浓缩部,相比上述R2T14B晶粒内,上述R‑Cu‑M‑C浓缩部的R(R为选自Sc、Y和镧系元素中的至少1种)、Cu、M(M为选自Ga、Si、Sn、Ge、Bi中的至少1种)、C的浓度都更高。
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公开(公告)号:CN104733146B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201410799883.7
申请日:2014-12-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/057 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供即使在比以往更大幅地降低或者不使用Dy、Tb这样的重稀土元素的使用量的情况下高温退磁率也得以抑制的稀土类磁铁。本发明所涉及的稀土类磁铁是包含作为主相的R2T14B结晶颗粒、以及该R2T14B结晶颗粒间的晶界相的烧结磁铁,以至少包含在R:20~40原子%、T:60~75原子%、M:1~10原子%的范围内至少含有R‑T‑M元素的第一晶界相、以及在R:50~70原子%、T:10~30原子%、M:1~20原子%的范围内至少含有R‑T‑M元素的第二晶界相的方式控制烧结体的微结构。
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公开(公告)号:CN103875046B
公开(公告)日:2016-10-05
申请号:CN201280050558.X
申请日:2012-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01F1/057 , B22D11/00 , B22D11/06 , B22F3/00 , B22F9/04 , C22C33/02 , C22C38/00 , H01F1/08 , H01F41/02
CPC classification number: H01F1/053 , B22D11/0611 , C22C33/02 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F1/0536 , H01F1/0571 , H01F1/0577 , H01F1/086 , H01F41/0266
Abstract: 本发明涉及一种R‑T‑B系合金薄片,该R‑T‑B系合金薄片含有包含了R2T14B相的树枝状结晶,在至少一个表面树枝状结晶的宽度平均值为60μm以下并且树枝状结晶的晶核数量为每平方毫米500个以上。
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公开(公告)号:CN104078177A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410119483.7
申请日:2014-03-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0571 , H01F1/0577
Abstract: 本发明提供一种即使在高温环境下也能够使用的抑制了高温退磁率的稀土类磁体。本发明的技术手段为将稀土类磁体做成在R2T14B主相结晶颗粒的截面中,结晶颗粒内部(内侧)的微细生成物的数密度比结晶颗粒外周部(外侧)的微细生成物的数密度多的微细结构。即,该稀土类磁体包含R2T14B主相结晶颗粒和形成于R2T14B主相结晶颗粒间的晶界相,该R2T14B主相结晶颗粒包含在结晶粒内形成有微细生成物的物质,在主相结晶颗粒的截面中以规定的椭圆将结晶颗粒划分为结晶颗粒内部和结晶颗粒的外周部时,该微细生成物以结晶颗粒内部的数密度比结晶颗粒外周部的数密度大的方式构成。
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公开(公告)号:CN100501884C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200680003392.0
申请日:2006-03-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C33/0278 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F41/0293 , B22F2207/01
Abstract: 本发明提供一种兼备高的剩磁通密度及高的顽磁力的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体为:包含具有包括内壳部(2)和包围内壳部(2)的外壳部(3)的芯-壳结构的主相晶粒(1);内壳部(2)中的重稀土类元素的浓度比外壳部(3)周边的重稀土类元素的浓度低10%以上;在具有内壳部(2)及外壳部(3)的主相晶粒(1)中,(L/r)ave在0.03~0.40的范围内。其中,L:从主相晶粒(1)的周边到内壳部(2)的最短距离,r:主相晶粒(1)的当量圆直径,(L/r)ave:该烧结体中存在的具有芯-壳结构的主相晶粒(1)的L/r的平均值。
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公开(公告)号:CN101111909A
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200680003392.0
申请日:2006-03-08
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01F1/0577 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C33/0278 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C2202/02 , H01F41/0293 , B22F2207/01
Abstract: 本发明提供一种兼备高的剩磁通密度及高的顽磁力的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体为:包含具有包括内壳部(2)和包围内壳部(2)的外壳部(3)的芯-壳结构的主相晶粒(1);内壳部(2)中的重稀土类元素的浓度比外壳部(3)周边的重稀土类元素的浓度低10%以上;在具有内壳部(2)及外壳部(3)的主相晶粒(1)中,(L/r)ave在0.03~0.40的范围内。其中,L:从主相晶粒(1)的周边到内壳部(2)的最短距离,r:主相晶粒(1)的当量圆直径,(L/r)ave:该烧结体中存在的具有芯-壳结构的主相晶粒(1)的L/r的平均值。
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