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    电子器件和介电陶瓷组合物以及其制备方法
    21.
    发明授权
    电子器件和介电陶瓷组合物以及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN1263045C

    公开(公告)日：2006-07-05

    申请号：CN00137194.0

    申请日：2000-12-27

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 增田健

    IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

    CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

    Abstract: 一种介电陶瓷组合物，包括作为主成分的钛酸钡和成分M(这里M是至少一类选自氧化锰、氧化铁、氧化钴和氧化镍的成分)，并有铁电相区，其中成分M在铁电相区的浓度从其外部朝向中心改变。成分M在铁电相区外部的浓度高于在区中心附近的浓度。能够实现多层电容器满足静电电容温度特性的X7R特性(EIA标准)和B特性(EIAJ标准)两者，静电电容和绝缘电阻的电压依赖性小，绝缘击穿电阻优越，并可使用Ni或Ni合金作内电极层。

    R-T-B系永磁体的制造方法
    22.
    发明授权
    R-T-B系永磁体的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN111261352B

    公开(公告)日：2022-06-03

    申请号：CN201911211377.0

    申请日：2019-12-02

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 坪仓多惠子 ,  增田健 ,  村瀬琢

    IPC: H01F1/057 ,  H01F41/02

    Abstract: R‑T‑B系永磁体的制造方法具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面，并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序，磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B，至少一部分R为Nd，至少一部分T为Fe，扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分，第一成分为Tb的单体和Dy的单体中的至少一种，第二成分为含有Nd和Pr中至少一种且不含Tb和Dy的金属，第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。或者，第一成分为Tb的氢化物和Dy的氢化物中至少一种，第二成分为Nd的氢化物和Pr的氢化物中的至少一种。

    磁铁接合体
    23.
    发明授权
    磁铁接合体 有权

    公开(公告)号：CN109686523B

    公开(公告)日：2021-07-09

    申请号：CN201811207210.2

    申请日：2018-10-17

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 坪仓多惠子 ,  增田健 ,  黑嶋敏浩

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    Abstract: 本发明提供一种具备第1磁铁、第2磁铁和将第1磁铁和第2磁铁接合的中间层的磁铁接合体。在上述磁铁接合体中，第1磁铁和第2磁铁都是含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B的永久磁铁。另外，稀土元素R包含至少具有Nd的轻稀土元素RL以及重稀土元素RH，过渡金属元素T包含Fe、Co以及Cu。进一步，上述中间层含有包含轻稀土元素RL的氧化物的RL氧化物相、包含轻稀土元素RL、Co以及Cu的RL‑Co‑Cu相。

    R-T-B系永久磁铁
    25.
    发明公开
    R-T-B系永久磁铁 有权

    公开(公告)号：CN111724961A

    公开(公告)日：2020-09-29

    申请号：CN202010200516.6

    申请日：2020-03-20

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 坪仓多惠子 ,  增田健

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    Abstract: 本发明提供一种即使在Co的含量少的情况下磁特性和耐腐蚀性也优异的，并且适合于晶界扩散的R-T-B系永久磁铁。一种R-T-B系永久磁铁，其中，R为含有选自Nd、Pr、Dy和Tb中的1种以上的稀土元素；T为Fe和Co；B为硼。R-T-B系永久磁铁还含有Zr。设R-T-B系永久磁铁总体为100质量％，则Nd、Pr、Dy和Tb的合计含量为29.5质量％～31.5质量％；Co的含量为0.35质量％～1.50质量％；Zr的含量为0.21质量％～0.85质量％；B的含量为0.90质量％～1.02质量％。

    R-T-B系永久磁铁
    26.
    发明公开
    R-T-B系永久磁铁 有权

    公开(公告)号：CN111724955A

    公开(公告)日：2020-09-29

    申请号：CN202010200758.5

    申请日：2020-03-20

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 坪仓多惠子 ,  增田健

    IPC: H01F1/053 ,  H01F1/057

    Abstract: 本发明提供一种即使在Co的含量少的情况下磁特性和耐腐蚀性也优异的R-T-B系永久磁铁。一种R-T-B系永久磁铁，其中，R为含有选自Nd和Pr中的1种以上，以及，选自Dy和Tb中的1种以上的稀土元素；T为Fe和Co；B为硼。R-T-B系永久磁铁还含有Zr。设R-T-B系永久磁铁整体为100质量％，则Nd、Pr、Dy和Tb的合计含量为30.00质量％～32.20质量％；Co的含量为0.30质量％～1.30质量％；Zr的含量为0.21质量％～0.85质量％；B的含量为0.90质量％～1.02质量％。

    稀土磁铁的加工方法
    27.
    发明公开
    稀土磁铁的加工方法 有权

    公开(公告)号：CN110176349A

    公开(公告)日：2019-08-27

    申请号：CN201910120894.0

    申请日：2019-02-18

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 增田健 ,  坪仓多惠子 ,  宫坂宽 ,  畠山丰 ,  黑嶋敏浩

    IPC: H01F41/02 ,  H01F1/057 ,  C21D1/78

    Abstract: 稀土磁铁的加工方法具备：对R-T-B系稀土磁铁照射激光进行加工的工序；和在上述加工后对上述磁铁进行热处理的工序。热处理具备：将磁铁的温度设为400℃以下的A工序；在A工序之后，将磁铁在400℃以上且700℃以下的范围内的温度T1下保持规定时间的B工序；以及在B工序之后，将磁铁的温度设为低于400℃的C工序。在A工序与B工序之间不使磁铁的温度达到超过700℃。在B工序与C工序之间不使磁铁的温度达到超过700℃。在上述C工序之后不具有将上述磁铁设为超过700℃的温度的工序。

    磁铁接合体
    28.
    发明公开
    磁铁接合体 有权

    公开(公告)号：CN109686523A

    公开(公告)日：2019-04-26

    申请号：CN201811207210.2

    申请日：2018-10-17

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 坪仓多惠子 ,  增田健 ,  黑嶋敏浩

    IPC: H01F1/057 ,  H01F1/08 ,  H01F41/02

    Abstract: 本发明提供一种具备第1磁铁、第2磁铁和将第1磁铁和第2磁铁接合的中间层的磁铁接合体。在上述磁铁接合体中，第1磁铁和第2磁铁都是含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B的永久磁铁。另外，稀土元素R包含至少具有Nd的轻稀土元素RL以及重稀土元素RH，过渡金属元素T包含Fe、Co以及Cu。进一步，上述中间层含有包含轻稀土元素RL的氧化物的RL氧化物相、包含轻稀土元素RL、Co以及Cu的RL-Co-Cu相。

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