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公开(公告)号：CN101395682B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780007097.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立产机系统
CPC classification number: H01F1/15308 , C21D8/1244 , C21D2201/03 , C22C45/02 , H01F41/0226
Abstract: 本发明提供一种配电用非晶态变压器，使用了具有与现有的非晶态合金材料相比退火温度低、且磁特性高的非晶态合金材料的磁芯。在具备包括非晶态合金薄带的磁芯和绕组的配电用非晶态变压器中，铁芯被实施铁芯成形后的退火时的铁芯中心部温度为300～340℃、且保持时间为0.5h以上的退火处理。另外，对于铁芯，铁芯成形后的退火时的磁场强度为800A/m以上。
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公开(公告)号：CN102282633A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201080004519.7
申请日：2010-01-20
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C21D8/1211 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , C21D1/74 , C21D1/76 , C21D8/1244 , C21D2201/03 , C22C38/02 , C22C38/16 , C22C38/32 , H01F1/153 , H01F1/15333 , H01F1/15391
Abstract: 一种制造软磁性合金薄带的方法，该软磁性合金薄带具有由Fe100-x-y-zAxByXz(A为Cu和/或Au，X为选自Si、S、C、P、Al、Ge、Ga和Be中的至少一种元素，x、y和z分别为以原子％计满足0＜x≤5、10≤y≤22、1≤z≤10和x+y+z≤25的条件的数)表示的组成，具有平均粒径为60nm以下的微细晶粒以50％以上的体积分率分散的母相，表面形成的氧化被膜的一部分是B浓度比上述母相的平均B浓度低的层，该方法中，(1)通过将具有上述组成的合金的熔液喷出到旋转的冷却辊上而急冷，形成具有在非晶相中平均粒径30nm以下的微细结晶核以大于0％且小于30％的体积分率分散的母相的初始微结晶合金薄带，接着(2)对上述初始微结晶合金薄带在具有6～18％的氧浓度的气氛中实施热处理。
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公开(公告)号：CN101889097A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200980100972.5
申请日：2009-10-27
Applicant: 塔塔钢铁有限公司
CPC classification number: C21D7/10 , B21J1/02 , B21J1/04 , C21D2201/03
Abstract: 本发明涉及一种在室温下通过采用多轴锻造(MAF)加工无间隙原子(IF)钢的方法，以通过在钢中产生超细晶粒组织来提供提高的强度和延展性，该方法包括步骤：提供具有基板、至少两个模具板、至少一个具有多个转接器的柱塞的多轴锻造设备；将粗晶粒IF钢坯料置于至少两个经润滑的模具板之间，使坯料的第一轴沿着柱塞轴；沿着第一轴用所述至少一个柱塞压制坯料，以将坯料的长度降低到起始尺寸的二分之一，而沿着第二轴的较小侧相应增加；对坯料赋予第一旋转，并沿着第三轴重复步骤(b)和(c)；对坯料赋予第二旋转，并重复步骤(b)和(c)使得沿着第一轴发生伸长；重复包括步骤(b)至(e)的循环直到晶粒尺寸减小至少三个数量级之时。
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公开(公告)号：CN100566871C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN03822187.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 有限会社里那西美特利
CPC classification number: C21D7/02 , B21C23/001 , B21J1/025 , B62D27/023 , C21D7/00 , C21D7/13 , C21D9/0075 , C21D9/08 , C21D9/28 , C21D9/60 , C21D10/00 , C21D2201/03 , C21D2221/00 , C21D2251/00 , C21D2281/00 , C22F1/00 , Y02P10/253 , Y10S72/71 , Y10T428/12
Abstract: 本发明提供一种通过使金属体的金属组织微细化而能提高强度或延展、或实现均质化的金属加工方法、使用该金属加工方法的金属体、以及使用该金属加工方法的含有金属的陶瓷体。在该金属加工方法中，使金属体或含有金属的陶瓷体(以下只称为“金属体”)的变形阻抗局部地降低，从而在金属体上形成低变形阻抗区域，使该低变形阻抗区域剪断变形，来使金属体的金属组织微细化。特别是金属体为向一个方向延伸的形状，形成横截金属体的低变形阻抗区域。进而，使夹着横截金属体的低变形阻抗区域的一个非低变形阻抗区域相对于另一个非低变形阻抗区域进行位置改变，从而使低变形阻抗区域剪断变形。并且可以使低变形阻抗区域沿着金属体的延伸方向移动。
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公开(公告)号：CN100463769C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200480040426.4
申请日：2004-12-14
Applicant: 国立大学法人丰桥技术科学大学 , 株式会社尤尼万斯
CPC classification number: C21D7/08 , B23B1/00 , B23B35/00 , B23B2228/44 , B23C3/00 , B23P9/00 , C21D1/06 , C21D9/0068 , C21D9/08 , C21D2201/03 , C21D2261/00 , Y10T29/49986 , Y10T428/12063 , Y10T428/12493
Abstract: 本发明提供一种超微细晶体层生成方法等，其能以低成本在金属制品的表层稳定地生成超微细晶体层等。通过对被加工物(W)进行利用钻头(D)实施的孔部(1)的开孔加工，对该孔部(1)的内周面赋予较大的应变而生成超微细晶体层(C1)。在这种情况下，对孔部(1)的内周面实施产生至少1以上的真应变的塑性加工，并且，将孔部(1)的加工面的材料温度维持在Ac1相变点以上且低于熔点的温度范围内。另外，维持在不超过Ac1相变点的温度下。由此，能够以低成本在孔部(1)的内周面上稳定地生成超微细晶体层(C1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346485A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000902.3
申请日：2007-07-27
Applicant: 新日本制铁株式会社
CPC classification number: B21J5/00 , C21D7/13 , C21D8/0205 , C21D8/0231 , C21D8/0278 , C21D2201/03 , C21D2201/05 , C21D2211/003 , C21D2211/005 , C21D2211/009 , C22C38/001 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/12 , C22C38/60 , Y10S148/902
Abstract: 本发明提供一种表层细晶粒钢部件及其制造方法，该表层细晶粒钢部件具有与以前的淬火回火处理材同样、或在其之上的高屈服强度比，其以质量％计，含有C：0.45％～0.70％、Nb：0.01％～0.60％、Si：0.10％～1.50％、Mn：0.40％～2.0％、P：0.10％以下、S：0.001％～0.15％、N：0.003％～0.025％，余量为Fe及不可避免杂质；其中在一部分或者全部的表层和内部，具有以取向差角在15度以上的大角度晶界所包围的铁素体晶粒的平均粒径不同的组织。另外，所提供的该部件的制造方法是：在1000℃～800℃进行亚热锻造而成形为规定的形状时，对需要强度的部位进行加工使相当应变达到1.5以上。
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公开(公告)号：CN100380539C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02809188.4
申请日：2002-07-11
Applicant: 真空融化两合公司
CPC classification number: C21D9/00 , C21D1/04 , C21D2201/03 , C21D2281/00 , C22C45/02 , H01F1/15333 , H01F41/0226
Abstract: 本发明涉及一种方法和实现一种加工过程的装置，其中首先所有产生的磁芯都连续不断地结晶。根据所要求的磁滞回线是圆的、扁平的或者矩形的，使这些磁芯紧接着或者立即进行最终加工，也就是装在外壳里，在一个纵向磁场里调整到一种矩形磁滞回线，或者在一个横向磁场里调整到一种扁平的磁滞回线，然后再进行最终加工。
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公开(公告)号：CN1659290A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813597.3
申请日：2003-01-15
Applicant: 比奇特尔BWXT爱达荷有限责任公司
Inventor： D·J·布拉纳甘
IPC: C21D1/56 , C21D1/68 , C21D9/52 , C22C33/02 , C22C38/02 , C22C38/00 , C22C45/02 , C23C30/00 , C23C2/00 , C23C4/06 , C23C4/16
CPC classification number: B22F5/12 , B22F7/08 , B22F9/002 , B22F2998/00 , B22F2999/00 , B23K9/04 , B23K35/3093 , C21D2201/03 , C22C38/22 , C22C38/32 , C22C45/02 , C23C4/04 , C23C4/131 , C23C30/00 , Y10T428/12021 , Y10T428/12097 , B22F9/008
Abstract: 本发明包括一种制造硬质金属材料的方法，该方法通过形成一种含有至少55％铁以及B、C、Si和P中至少一种的混合物而实现。将该混合物制成合金并冷却形成硬度大于约9.2GPa的金属材料。本发明包括一种通过将金属带和粉末相结合而形成线材的方法。将该带和该粉末轧制形成一种线材，该线材包含至少55％铁和包括C、Si和B中至少一种在内的2－7种其它元素。本发明还包括一种在基体上形成硬化表面的方法，通过下述方法实现：将固体块材加工形成粉末、将该粉末施加到表面上以形成含有金属玻璃的层，并将该金属玻璃转变为具有纳米粒径的晶体材料。
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公开(公告)号：CN1133183C
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN96198684.0
申请日：1996-10-04
Applicant: 传感电子公司
Inventor： R·哈瑟嘉瓦
CPC classification number: G01V15/00 , C21D1/04 , C21D6/001 , C21D2201/03 , H01F1/15341
Abstract: 一种机械式谐振标记物，包括磁性玻璃态金属合金带，该带已经在炉中于一系列温度下退火预定时间。第一温度高至足以使激冷和后加工产生的应力释放。第二温度接近于该带的居里温度。退火在垂直该带长度并加在该带平面上的外部磁场中进行。第二温度在第一温度之后施加并产生沿磁场方向的各向异性的磁性。退火工艺是连续的，并且退火时间由带穿过该退火炉的速度来确定。
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公开(公告)号：CN1440317A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812176.4
申请日：2001-09-25
Applicant: 株式会社三德 , 住友特殊金属株式会社
IPC: B22D11/06 , B22F9/04 , B22F1/00 , C22C33/02 , C22C38/00 , C22C45/02 , C21D6/00 , H01F1/04 , G01N33/20
CPC classification number: C22C45/02 , B22D11/0611 , B82Y25/00 , C21D2201/03 , H01F1/0571 , H01F1/0579 , H01F1/058
Abstract: 为了高生产率低成本地制造纳米复合磁体用的含较多非结晶组织的原料合金，制作用Fe100－x－y－zRxQyMz(R是Pr、Nd、Dy或Tb中的1种或2种以上的元素，Q是B或C中的1种或2种的元素，M是Co、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Ga、Zr、Nb、Mo、Ag、Pt、Au、Pb中的1种或2种以上的元素，式中的x、y、z分别为1原子％≤x＜6原子％，15原子％≤y≤30原子％，0原子％≤z≤7原子％)表示的合金熔液，以单位接触宽度的供给速度为0.2kg/min/cm以上5.2kg/min/cm以下的供给速度将该合金熔液连续供给至以3m/秒以上、不足20m/秒的圆周速度旋转的冷却辊，利用该薄带铸造法进行急冷。由此可制作非结晶为60体积％以上的合金。
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