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公开(公告)号：CN102792198B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201180013168.0
申请日：2011-03-09
Applicant: 住友大阪水泥股份有限公司
CPC classification number: G02B6/29352 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/29355 , G02F2001/212 , G02F2001/217 , G02F2201/05 , G02F2201/06 , G02F2202/20
Abstract: 本发明的目的在于提供一种光波导元件，其能够抑制MZ型波导的合波部中的不需要的高次模的激发、实现输出光的稳定化、并高效地导出放射模式光。在基板上形成有马赫-曾德尔型波导的光波导元件中，向该马赫-曾德尔型波导的射出侧的合波部（13）输入的2个波导（11、12）的倾角为0度，该合波部合波后的波导是多模波导，从该合波部输出的波导由3分支波导构成，该3分支波导由输出主波导（14）和夹着该输出主波导的2个输出副波导（15、16）构成。
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公开(公告)号：CN104849878A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510298938.0
申请日：2015-06-03
Applicant: 东南大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0147 , G02F2201/06 , G02F2202/10
Abstract: 本发明公开了一种基于马赫-曾德结构的氮化硅波导热光开关阵列芯片及其制作方法，该波导热光开关阵列芯片由多个级联的1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元构成，其中每个1×2马赫-曾德型氮化硅波导热光开关单元包括一根输入光波导、一个1×2分支光波导、一根参考臂光波导、一根干涉臂光波导、一个3dB定向耦合器、两根输出光波导。该氮化硅波导热光开关阵列芯片器件尺寸小、损耗低、加工工艺简单、与半导体CMOS工艺兼容、成本低廉、易于集成，在光通信与片上光互连领域有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN104459988A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410756881.X
申请日：2014-12-10
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B6/1225 , G02B2006/12145 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高偏振度及高消光比TM光开关，旨在提供一种便于集成的高偏振度及高消光比TM光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体，上平板光子晶体为一个TE禁带的第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成，或者由一块高折射率平板薄膜组成，或者由一块低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个完全禁带的第二正方晶格光子晶体，第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方杆、单个第二平板介质杆和背景介质组成，归一化TM光开关频率为0.252～0.267。
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公开(公告)号：CN104375267A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410756937.1
申请日：2014-12-10
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B26/00 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体高消光比TM光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体；上平板光子晶体为一个具有第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形柱杆、3个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由1至3块高折射率平板薄膜组成,或者由低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个具有完全禁带的第二正方晶格光子晶体，第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、3个高折射率第二平板介质杆和背景介质为低折射率介质组成；TM禁带频率为0.405～0.457。本发明结构实现了高消光比TM光开关。
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公开(公告)号：CN101097275B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101097275A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200710123077.8
申请日：2007-06-28
Applicant: JDS尤尼弗思公司
Inventor： 本杰明·F.·卡钦斯 , 唐纳德·M.·弗里德 , 查尔斯·安迪·许尔斯 , 马克·K.·范·贡滕 , 詹森·里德 , 卡尔·基萨 , 格伦·德雷克 , 朱莉亚·邓肯 , 威廉·J.·明福特 , 哈苒·V.·沙阿 , 雅罗斯瓦夫·赞巴 , 詹森·家詹·许
CPC classification number: G02F1/377 , G02B6/13 , G02B6/1342 , G02B2006/1204 , G02B2006/12097 , G02F2201/06 , G02F2201/07
Abstract: 本发明涉及一种制造光波导器件的晶片级方法，特别涉及脊形波导器件的制造，和由此制得的改进的脊形波导。本发明已经发现对光波导层的厚度实现次微米级的控制的方法，其通过尺寸稳定的晶片组合实现，其中粘接剂被引入而不改变晶片级制造的载体晶片和光透射晶片间的平面关系。本方法允许晶片级制造的脊形波导器件中的脊和板的所期望的尺寸控制。更一般地，本方法允许包含薄光学透射层的光波导器件的晶片级制造。特别地，隔离物支座图案通过沉积和回蚀产生，或通过表面蚀刻方法产生以准确地将来自主表面的表面信息转到载体晶片到薄的光学透射晶片。根据该方法可实现的公差提供横跨晶片的一致产量。该方法还为完成的器件提供加强的结构完整性。
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公开(公告)号：CN104536234B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201410797514.4
申请日：2014-12-19
CPC classification number: G02F3/00 , G02B6/1223 , G02B6/1225 , G02B6/125 , G02F1/3501 , G02F1/3511 , G02F1/365 , G02F2201/06 , G02F2202/32
Abstract: 本发明公开了一种高对比度光子晶体“或”、“非”、“异或”逻辑门为一种六端口的二维光子晶体，包括一个非线性腔单元和一个十字波导逻辑门单元；高对比度光子晶体“或”逻辑门由一个参考光输入端、两个闲置光输出端、两个系统信号输入端和一个系统信号输出端组成；高对比度光子晶体“非”逻辑门由两个参考光输入端、两个闲置光输出端、一个系统信号输入端和一个系统信号输出端组成；高对比度光子晶体“异或”逻辑门由一个参考光输入端、两个闲置光输出端、两个系统信号输入端和一个系统信号输出端组成；十字波导逻辑门单元设置有不同的输入或输出端口；非线性腔单元与十字波导逻辑门单元耦合连接。本发明结构易与其它光子晶体器件实现集成。
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公开(公告)号：CN104459989B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410759245.2
申请日：2014-12-10
Applicant: 深圳市浩源光电技术有限公司
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B6/1225 , G02B2006/12145 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高消光比TE光开关，它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体；上平板光子晶体为一个完全禁带的第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形柱杆、3个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成，或者由1至3块高折射率平板薄膜组成，或者由1块低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个完全禁带的第二正方晶格光子晶体，第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、3个高折射率第二平板介质杆和背景介质为低折射率介质组成，TE光开关的频率为0.4057～0.406、本发明结构实现了高消光比TE光开关。
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公开(公告)号：CN104459990B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410759329.6
申请日：2014-12-10
CPC classification number: G02B6/1225 , G02B26/02 , G02F1/313 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/06
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体的高消光比偏振无关光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体；上平板光子晶体为一个第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成，或者由一块高折射率平板薄膜组成，或者由一块低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个完全禁带的第二正方晶格光子晶体，第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、单个第二平板介质杆为高折射率介质杆和背景介质为低折射率介质组成，光开关的频率为0.41～0.4167。本发明结构实现了高消光比偏振无关光开关。
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公开(公告)号：CN104375267B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410756937.1
申请日：2014-12-10
CPC classification number: G02F1/3133 , G02B6/122 , G02B26/00 , G02F2201/06 , G02F2202/32 , G02F2203/07
Abstract: 本发明公开了一种基于平板光子晶体高消光比TM光开关。它包括上下两层平板光子晶体相连的一个整体；上平板光子晶体为一个具有第一平板正方晶格光子晶体，第一平板正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形柱杆、3个第一平板介质杆和背景介质组成，第一平板介质杆由高折射率介质套管和套管内的低折射率介质组成,或者由1至3块高折射率平板薄膜组成,或者由低折射率介质组成；下平板光子晶体为一个具有完全禁带的第二正方晶格光子晶体，第二正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转正方形杆、3个高折射率第二平板介质杆和背景介质为低折射率介质组成；TM禁带频率为0.405～0.457。本发明结构实现了高消光比TM光开关。
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