公开(公告)号：CN103681608A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210457689.1

申请日：2012-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶菁馥 ,  李香寰

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铝互连装置，包括：在衬底上方形成的金属结构，其中金属结构由铜铝合金形成；在金属结构下方的形成第一合金层；在第一合金层下方形成的第一阻挡层，其中通过在热工艺期间第一合金层和邻近的介电层之间的反应产生第一阻挡层。

公开(公告)号：CN101577247B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200910149102.9

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN101431047A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200810169685.7

申请日：2008-10-09

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 夏立群 ,  许惠雯 ,  米哈拉·鲍尔西努 ,  石美仪 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76831 ,  C23C16/325 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明提供用于在多级互连结构中形成空气间隙的方法。所述多级互连结构具有空气间隙。一个实施方式提供了一种用于在半导体结构中形成导电线路的方法，包括：在第一介电层中形成多个沟槽，其中空气间隙将形成在第一介电层中；在沟槽中沉积共形介电阻挡膜，其中共形介电阻挡膜包括低k介电材料，其被构成为用作抵抗在第一介电层中形成空气间隙时使用的湿蚀刻化学试剂的阻挡层；在共形低k介电层上方沉积金属扩散阻挡膜；和沉积导电材料以填充沟槽。

公开(公告)号：CN100481378C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580016368.6

申请日：2005-05-20

Applicant: JSR株式会社 ,  住友电木株式会社

Inventor： 白土香织 ,  盐田淳 ,  多田昌弘 ,  朝隈纯俊

IPC: H01L21/768 ,  C08G73/22 ,  C08L79/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G73/22 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的层叠体，含有在半导体层上方设置的、具有规定图案的铜配线层(20)，在上述铜配线层(20)上设置的、含有聚苯并噁唑树脂层的保护层，在上述保护层上设置的绝缘层(40)。

公开(公告)号：CN101038873A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710086371.6

申请日：2007-03-15

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 岛山努 ,  龟嶋隆季 ,  冈本正喜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及用双层绝缘膜涂覆衬底的第一步骤和蚀刻所述绝缘膜的上层直到所述绝缘膜的下层的第二步骤，所述双层绝缘膜是具有无机材料的骨架结构的层叠结构。在制造半导体装置的该方法中，如此执行所述第一步骤使得所述骨架结构与碳氢化合物的孔形成材料结合，从而所述绝缘膜的一层包含比所述绝缘膜的另一层更多的碳。

公开(公告)号：CN1332436C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410048972.4

申请日：2004-06-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  A·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·霍恩基斯 ,  S·卡尔多 ,  E·凯塔里奥格鲁 ,  J·沙奇特 ,  K·库马 ,  D·C·拉图利佩 ,  杨志昭 ,  A·H·西蒙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。

公开(公告)号：CN1732561A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN01815862.5

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/44 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN1241250C

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN02160505.X

申请日：2002-12-27

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 宁先捷

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53228 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为制造含金属互连结构的集成电路一种方法。此方法包括在半导体衬底上形成第一层电介质材料。方法也包含在此电介质层中制造金属镶嵌结构并使其被此电介质所环绕，此方法选择性地去除镶嵌结构某一部分的电介质材料，使这部分的金属线上部暴露出来，此方法在暴露金属线的周围形成多孔电介质材料，这种多孔电介质材料的介电常数大于1，小于等于2.6。

公开(公告)号：CN103681608B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201210457689.1

申请日：2012-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶菁馥 ,  李香寰

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1078 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种铝互连装置，包括：在衬底上方形成的金属结构，其中金属结构由铜铝合金形成；在金属结构下方的形成第一合金层；在第一合金层下方形成的第一阻挡层，其中通过在热工艺期间第一合金层和邻近的介电层之间的反应产生第一阻挡层。

公开(公告)号：CN102053431A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910198582.8

申请日：2009-11-10

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 黄河 ,  李卫民

IPC: G02F1/1362 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04

CPC classification number: G02F1/1362 ,  H01L2221/1036

Abstract: 一种制造硅基液晶(Liquid Crystal On Silicon，LCOS)器件的方法，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成元件层；在所述元件层上形成层间介质层；图形化所述层间介质层，在层间介质层上形成多个凹陷；在所述凹陷内形成衬里；在所述衬里上形成金属层；平坦化所述金属层；在所述金属层上形成保护层。所述方法简化了制造过程。