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公开(公告)号：CN119489022A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411017116.6
申请日：2024-07-26
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称旋涂法的PEDOT:PSS电极的曲面成膜方法，包括以下步骤：S1、得到洁净衬底；S2、量取PEDOT:PSS溶液，将量取的PEDOT:PSS溶液滴于衬底内壁；S3、使PEDOT:PSS溶液完整涂布于衬底的内壁中；S4、通过离心机对衬底进行离心旋涂；S5、在离心旋涂完成后，用镊子将衬底取出，观察薄膜形成情况；S6、将衬底置于恒温加热平台，将液体蒸干使薄膜成型；S7、对镀膜完成后的衬底内壁，检验成膜成果的试验指标。本发明采用上述一种基于非对称旋涂法的PEDOT:PSS电极的曲面成膜方法，可以改善其导电问题，使器件得到保护的同时，使器件具备防静电性能，EMI屏蔽性能，从而提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119456361A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411768801.2
申请日：2024-12-04
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明提供一种抑制微纳结构加工毛刺产生的工艺方法，涉及工件微细加工领域。该抑制加工毛刺产生的工艺方法，利用UV光固化膜作为保护层、结合溶液清洗与等离子体清洗的抑制毛刺生成。具体为：在加工前通过UV光固化和热烘方法制备UV光固保护层，利用保护层抑制被加工件边界材料的侧向塑性流动，使得仅在保护层材料表面产生毛刺；根据加工材料和微纳结构尺寸，通过旋涂转速控制保护层的厚度，通过控制光固化和热烘时间实现对保护层硬度的调控；接着，通过超精密切削实现微纳结构的加工，最后再通过溶液结合等离子体两步清洗方法去胶去除保护层，获取无毛刺的光洁表面结构，从而实现适应各种材料微纳结构切削过程的毛刺抑制。
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公开(公告)号：CN119406729A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411548364.3
申请日：2024-11-01
Applicant: 电子科技大学 , 中国烟草总公司四川省公司
Abstract: 本发明公开了一种均匀稳定的拉曼基底的制备方法，其包括以下步骤：将贵金属纳米粒子溶胶用孔径确定的滤膜过滤3‑5次，得到备用溶胶；喷墨打印机的喷墨装置上阵列的间距确定，直径确定的圆形开孔基板；设置打印次数，得到均匀稳定的直径确定、间距确定的纳米颗粒阵列。优点是能够稳定的打印出均匀排列的直径相同的纳米颗粒阵列，有效避免了纳米颗粒的团聚现象并且制备方法简单、且成本低廉，可以通过电脑精确控制其制备过程，可控性强。
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公开(公告)号：CN116851231B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202310833466.9
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国航发北京航空材料研究院
IPC: B05D1/00 , C09D1/00 , C09D167/00 , C09D7/61 , B05D3/00 , B05D3/12 , B05D3/14 , B05D1/36 , B05D3/02 , B05D7/00
Abstract: 本发明提供了一种硅酸镱基自愈合/可磨耗/环境障涂层，由内向外依次包括HfO2‑Si+X粘结层、Yb2Si2O7‑M自愈合层、(Yb0.25RE10.25RE20.25RE30.25)2Si2O7环境障层和Yb2Si2O7‑聚酯可磨耗面层；所述HfO2‑Si+X粘结层与基体材料相接触。本发明中的涂层耐温1350℃，且在该温度下具有热导率低、与基体热匹配度高、可磨耗和抗水氧腐蚀性能优等优势，可有效提高CMC涡轮外环的服役温度和服役寿命。本发明还提供了一种硅酸镱基自愈合/可磨耗/环境障涂层的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN119314863A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411374761.3
申请日：2024-09-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种液‑液界面原位生长的异质结及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域，通过利用液态金属镓表面的镓原子与大气环境中的氧气反应生成非晶氧化镓薄膜，然后将其放入提前配好的金属硝酸盐与六次甲基四胺前驱液中通过化学浴沉积，在氧化镓薄膜上原位生长一层金属氧化物，以形成异质结；通过在液态金属镓表面形成氧化镓薄膜作为生长基底，然后在其上原位生长金属氧化物，确保了异质结界面的清洁和高质量，高质量的界面有助于减少界面缺陷，从而提升异质结器件的整体性能；本发明制备过程无需昂贵的仪器和严格的生长环境，即可实现金属氧化物在氧化镓薄膜上的原位生长，具有操作简单、经济、应用范围广的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119281614A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411404167.4
申请日：2024-10-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了异形树干自适应涂白方法、涂白系统及涂白装置，属于异形树干涂白技术领域，包括以下步骤：S1、获得的待涂刷异形树干点云和树干参考模型点云；S2、计算待涂刷异形树干各个点云块的质心；S3、确定涂白姿态参数：S31、获得总旋转矩阵；S32、将计算的四元数转换为涂白姿态参数；S4、规划涂白路径：S41、构建离散化的分段B样条曲线，并构建可达路径点对；S42、运用Bresenham算法对可达路径点对进行插补，生成涂白路径。采用上述异形树干自适应涂白方法、涂白系统及涂白装置，通过确定涂白姿态参数和规划路径，实现了对异形树干的自适应涂白操作，提高了异形树干涂白作业的效率。
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公开(公告)号：CN119194359A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411330833.4
申请日：2024-09-24
Applicant: 兰州空间技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及表面工程技术领域，具体而言，提供一种高发射率玻璃型热控涂层及其制备方法。首先利用等离子体增强化学气相沉积技术，在玻璃基材的第一表面上制备厚度为1～3μm的硅氧烷层，然后利用磁控溅射技术，在硅氧烷层的表面制备厚度为40～80nm的氧化铟锡(ITO)层，最后利用磁控溅射技术，在玻璃基材的与第一表面相对的第二表面上依次制备厚度为150～400nm的银层和100～400nm的镍铬防护层。该方法制备的玻璃型热控涂层发射率大于0.85，太阳吸收率小于0.10，具有散热效率高、防静电、外观良好、空间环境稳定性好的优点，制备方法简单、工艺实施性强，可以满足大功率航天器的高效散热需求。
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公开(公告)号：CN119121182A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411041831.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及气相涂布装置和气相涂布方法。该气相涂布装置包括：真空室，真空室包括承托盘和密封盖，承托盘具有承托面、凹陷于承托面的盛料腔以及连通于盛料腔并绕过承托面而连通到承托面上侧的气道，密封盖密封地连接于承托盘，密封盖与承托盘限定涂布腔，涂布腔通过气道连通于盛料腔，涂布腔覆盖承托面；真空腔阻隔器，连通于真空室，真空腔阻隔器具有导通状态和封闭状态；以及外接通道，通过真空腔阻隔器连通于真空室。该气相涂布装置能够适用于实验级别半导体制造。
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公开(公告)号：CN119101886A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411220781.5
申请日：2024-08-30
Applicant: 江苏微导纳米科技股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , B05D1/00 , C25B13/08 , C25B1/04 , A61L27/30 , A61L27/28 , A61L27/34 , A61L27/50
Abstract: 本发明提供了一种调控金属氧化物膜层亲水性的方法、复合膜和应用，通过先沉积有机金属化合物膜层来调控金属氧化物膜层的亲水性，具体包括：在基底沉积有机金属化合物膜层，然后在所述有机金属化合物膜层表面沉积金属氧化物膜层；所述有机金属化合物膜层通过分子层沉积得到。本发明通过在金属氧化物膜层的下层沉积一层有机金属化合物膜层，来调控金属氧化物膜层的亲水性，所述有机金属化合物膜层的增设尤其能够提高金属氧化物膜层的亲水性。进一步的，通过调控有机金属化合物膜层的沉积温度、厚度和金属氧化物膜层的厚度，可进一步优化金属氧化物膜层的亲水性能。
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公开(公告)号：CN119086482A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411201763.2
申请日：2024-08-29
Applicant: 齐鲁工业大学(山东省科学院)
IPC: G01N21/3586 , B05D1/00 , C23C14/35 , C23C14/20
Abstract: 本发明涉及太赫兹技术领域，尤其是提供了一种基于石墨烯的橄榄球型太赫兹生化传感器及其制备方法。该太赫兹生化传感器包括石英基底层；下介质层，设置于石英基底层的上表面；橄榄球型金属谐振层，利用磁控溅射技术设置于下介质层的上表面；上介质层，设置于橄榄球型金属谐振层的上表面；三层石墨烯层，设置于上介质层的上表面，该太赫兹生化传感器将石墨烯与超表面集成，设计实现了应用于生化农学检测的超灵敏太赫兹传感器，简便的操作特点和超灵敏特性使其在检测痕量量级物质中具备广泛的应用潜力，克服了传统生化检测技术灵敏度低、样品用量多等弊端，可实现快速、简便、低成本、高安全性、超灵敏检测，为生化分子研究提供有力支持。
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