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    LASERDIODE MIT VERTEILTER RÜCKKOPPLUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
    321.
    发明公开
    LASERDIODE MIT VERTEILTER RÜCKKOPPLUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
    具有分布式反馈的激光二极管及制造方法

    公开(公告)号：EP3317931A1

    公开(公告)日：2018-05-09

    申请号：EP16708698.2

    申请日：2016-03-09

    Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V.

    Inventor： FRICKE, Jörg ,  ERBERT, Götz ,  CRUMP, Paul ,  DECKER, Jonathan

    IPC: H01S5/12 ,  H01S5/20

    CPC classification number: H01S5/1225 ,  H01S5/026 ,  H01S5/1221 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2086

    Abstract: The invention relates to a laser diode (100) comprising: an active layer (10); a wave guiding region (12) which surrounds the active layer (10) at least in part; a rear facet (14); a front facet (16) designed for decoupling laser radiation, wherein the active layer (10) extends, at least in part, along a first axis (X) between the rear facet (14) and the front facet (16); and a grid (18) which is operatively connected to the wave-guiding region (12), wherein the grid (18) comprises a plurality of webs (22) and trenches (24), characterized in that the plurality of trenches (24) is designed such that an average rise of a coupling parameter
    P is not equal to zero for the plurality of trenches (24) along the grid (18), wherein the coupling parameter
    P of a trench (24) is defined by the formula (I), wherein d
    res is a distance of the trench (24) to the active layer (10),
    w is a width of the trench (24) and Δ
    n is the refractive index difference between a refractive index of the trench (24) and a refractive index of a material surrounding the trench (24). The invention in particular relates to a laser diode in which a distributed feedback occurs over a surface grid of high order while radiation is decoupled on one side and in which the coupling strength of the grid is matched to the power density of the wave guided in the laser diode.

    Breitstreifen-Diodenlaser mit hoher Effizienz und geringer Fernfelddivergenz
    326.
    发明公开
    Breitstreifen-Diodenlaser mit hoher Effizienz und geringer Fernfelddivergenz 审中-公开
    宽条形二极管激光器具有高效率和低远场发散

    公开(公告)号：EP2523279A3

    公开(公告)日：2016-07-20

    申请号：EP12166585.5

    申请日：2012-05-03

    Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

    Inventor： Crump, Paul ,  Erbert, Götz ,  Wenzel, Hans ,  Fricke, Jörg

    IPC: H01S5/20

    CPC classification number: H01S5/2036 ,  H01S5/20 ,  H01S5/205 ,  H01S2301/18

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft einen Breitstreifenlaser mit hoher Effizienz und einer geringen Fernfelddivergenz.
    Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Breitstreifenlaser mit einer geringen Fernfelddivergenz bei gleichzeitig hoher Ausgangsleistung anzugeben. Weiterhin soll der erfindungsgemäße Breitstreifenlaser preisgünstig herstellbar sein.
    Erfindungsgemäß weisen die aktive Schicht (10), der erste Kontakt (22) und der zweite Kontakt (24) jeweils eine Breite (W) größer als 10 µm auf, und es ist weiterhin eine Antiwellenleiterschicht (20) seitlich des zwischen den Kontakten (22, 24) eingeschlossenen, aktiven Gebiets angeordnet, wobei die Brechzahl der Antiwellenleiterschicht (20) größer als die minimale Brechzahl der Mantelschichten (14, 22) ist, und wobei der minimale Abstand (d x ) zwischen der Antiwellenleiterschicht (20) und einer Projektion einer der Kontakte (24) in die Ebene der Antiwellenleiterschicht (20) zwischen 0 und 50 µm beträgt.

    Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen.
    327.
    发明公开
    Method for growing beta phase of gallium oxide (ß-Ga2O3) single crystals from the melt contained within a metal crucible by controlling the partial pressure of oxygen. 审中-公开
    一种制备β-内Ga2O3单晶，其包含在金属坩埚中，由Schmelzs的凝固和氧气压力的过程。

    公开(公告)号：EP3042986A1

    公开(公告)日：2016-07-13

    申请号：EP15150582.3

    申请日：2015-01-09

    Applicant: Forschungsverbund Berlin e.V.

    Inventor： Galazka, Zbigniew, Dr. ,  Uecker, Reinhard, Dr. ,  Klimm, Detlef, Dr. ,  Bickermann, Matthias, Prof.Dr.

    IPC: C30B29/16 ,  C30B15/20 ,  C30B17/00 ,  C30B11/00

    CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B11/005 ,  C30B11/006 ,  C30B15/08 ,  C30B15/20 ,  C30B15/34 ,  C30B17/00

    Abstract: A method for growing beta phase of gallium oxide (β-Ga 2 O 3 ) single crystals from the melt contained within a metal crucible surrounded by a thermal insulation and heated by a heater. A growth atmosphere provided into a growth furnace has a variable oxygen concentration or partial pressure in such a way that the oxygen concentration reaches a growth oxygen concentration value (C2, C2', C2") in the concentration range (SC) of 5 - 100 vol. % below the melting temperature (MT) of Ga 2 O 3 or at the melting temperature (MT) or after complete melting of the Ga 2 O 3 starting material adapted to minimize creation of metallic gallium amount and thus eutectic formation with the metal crucible. During the crystal growth step of the β-Ga 2 O 3 single crystal from the melt at the growth temperature (GT) the growth oxygen concentration value (C2, C2', C2") is maintained within the oxygen concentration range (SC).

    Abstract translation: 一种用于氧化镓的生长β相（²-的Ga 2 O 3）从含有金属坩埚由一热绝缘包围和加热用加热器内的熔体单晶的方法。 提供到生长炉A生长气氛具有在寻求一种方法所做的氧浓度达到在5-100的浓度范围内（SC）生长氧浓度值（C2，C2”，C2“）的可变的氧浓度或分压 下面的Ga 2 O 3的熔融温度（MT）或在熔化温度（MT）或Ga的2 O 3原料angepasst完全熔化后％（体积），以尽量减少金属镓量的创建，并与金属THUS共晶形成 坩埚中。在晶体生长步骤²-的Ga 2 O 3从在生长温度（GT）的生长氧浓度值（C2，C2”，C2“）熔体单晶被保持在氧浓度范围内（SC ）。

    STRUKTURMIMETIKA PROLINREICHER PEPTIDE UND IHRE VERWENDUNG
    329.
    发明公开
    STRUKTURMIMETIKA PROLINREICHER PEPTIDE UND IHRE VERWENDUNG 有权

    公开(公告)号：EP2747764A1

    公开(公告)日：2014-07-02

    申请号：EP12753111.9

    申请日：2012-08-24

    Applicant: Forschungsverbund Berlin E.V. ,  Universität zu Köln

    Inventor： KÜHNE, Ronald ,  OSCHKINAT, Hartmut ,  OPITZ, Robert ,  MÜLLER, Matthias ,  SCHMALZ, Hans-Günther ,  REUTER, Cedric ,  HUY, Peter

    IPC: A61K31/437 ,  C07D221/00 ,  A61K38/00

    CPC classification number: C07D471/20 ,  A61K31/437 ,  A61K38/00 ,  C07K5/06139 ,  C07K7/06 ,  Y02A50/402 ,  Y02A50/473 ,  Y02A50/475 ,  Y02A50/478 ,  Y02A50/479 ,  Y02A50/481

    Abstract: The invention relates to compounds that can be used in particular as structural mimetics of proline-rich peptides and accordingly are able to bind PRM (proline-rich motif) binding domains of proteins. The invention further relates to the use of said compounds as pharmaceutical active ingredients and to the use of the pharmaceutical active ingredients to treat bacterial diseases, neurodegenerative diseases, and tumors.

    Abstract translation: 取代的桥接肽化合物（I）是新的。 式（I）的取代的桥连肽化合物是新的。 X：O或S; A1，B1：环桥; Y1：H，烷基，氟烷基或（杂）芳基; Z 1，Z 2：H，羰基，OH，O-烷基，O-酰基或N-R 11 R 12; R11，R12：H，烷基，酰基，磺酰基，烷基，酰基，氟烷基或（杂）芳基; R1：烷基，酰基，烷氧基羰基，芳氧基羰基或氨基羰基; 和R 2：H，烷基，芳基，烷基羰基，芳基羰基，烷氧基羰基，氨基羰基，芳氧基羰基，烷基磺酰基，芳基磺酰基，氨基酰基或肽基。 对于包含（I）和载体的组合物，包括独立权利要求。 活动：神经保护; 抗菌; 解热; 内分泌根; 妇科; 止泻; 精神药物; 抗帕金森氏病; 镇惊; 抑制细胞生长。 作用机理：Src同源性3结构域结构; WW域粘合剂，Ena-VASP同源性1结构域结合物; GYF结构域结合剂; UEV域绑定器 Profilin粘合剂

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