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公开(公告)号：CN101312235B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810129336.2
申请日：2000-05-11
Abstract: 提供一种有机发光器件，其中，发射层包含宿主材料，在宿主材料中包含发射分子，此发射分子用于当电压施加到异质结上时发光，且该发射分子从包括环金属锇化合物的磷光有机金属化合物组中选择，且该器件包含激子阻挡层。
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公开(公告)号：CN101558457A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200780037081.0
申请日：2007-10-05
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 罗伯特·K.·普鲁德霍姆 , 克里斯托弗·D.·奥尼尔 , 布伦特·厄兹巴斯 , 伊尔汉·A.·阿克萨伊 , 理查德·A.·雷吉斯特 , 道格拉斯·H.·亚当森
CPC classification number: C08J5/005 , B82Y30/00 , C01B32/225 , C01B32/23 , C01P2004/24 , C01P2004/54 , C01P2006/10 , C01P2006/62 , C08J2300/00 , C08K2201/008 , Y10S95/903
Abstract: 本发明提供一种气体扩散隔层，包含聚合物基体和由X射线衍射确定的未显示石墨和/或氧化石墨特征的官能性石墨烯。
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公开(公告)号：CN101553600A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045610.1
申请日：2007-10-31
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Abstract: 公开了在表面上形成涂层的方法。该方法包括在表面上沉积包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物的杂化层。该杂化层可以具有单一相或包含多个相。使用单一前体材料源通过化学气相沉积形成该杂化层。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。杂化层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如氧化硅。通过改变反应条件，可以调节聚合物材料与非聚合材料的重量％比率。该杂化层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如透光性、不可渗透性和/或柔韧性。
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公开(公告)号：CN101553599A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045652.5
申请日：2007-09-19
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： S·瓦格纳
Abstract: 公开了在表面上形成多层涂层的方法。该方法包括提供前体材料源和将前体材料输送到与待涂覆表面邻接的反应位置。在第一组反应条件下，使用单一前体材料源通过化学气相沉积在该表面上方沉积第一层。在第二组反应条件下，使用单一前体材料源通过化学气相沉积在该表面上方沉积第二层。第一层可以具有主要是聚合物的组分，而第二层可以具有主要是非聚合物的组分。化学气相沉积处理可以是等离子体增强的并且可以使用反应物气体来进行。前体材料可以是有机硅化合物例如硅氧烷。第一和第二层可以包含各种类型的聚合物材料例如硅酮聚合物和各种类型的非聚合物材料例如硅氧化物。该多层涂层可以具有各种适于与有机发光器件一起使用的性能，例如光学透明性、不可渗透性和/或柔韧性。
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公开(公告)号：CN101512789A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780032705.X
申请日：2007-07-11
Applicant: 普林斯顿大学理事会 , 密执安州立大学董事会
CPC classification number: H01L51/4246 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0046 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/4253 , Y02E10/549
Abstract: 一种有机光伏电池，包括阳极和阴极，以及该阳极和该阴极之间的多个有机半导体层。该阳极和阴极中的至少一个是透明的。所述多个有机半导体层中的每两个邻近层直接接触。所述多个有机半导体层包括：基本由光电导材料构成的中间层，和两组至少三个层。第一组至少三个层在中间层和阳极之间。第一组中的每个层基本由不同的有机半导体材料组成，该有机半导体材料与所述多个有机半导体层中更接近阴极的邻近层的材料相比具有较高的LUMO和较高的HOMO。第二组至少三个层在中间层和阴极之间。第二组中的每个层基本由不同的有机半导体材料组成，该有机半导体材料与所述多个有机半导体层中的更接近阳极的邻近层的材料相比具有更低的LUMO和更低的HOMO。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505377C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN02819165.X
申请日：2002-08-23
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0037 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0077 , H01L51/0079 , H01L51/0081 , H01L51/0082 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5048 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
Abstract: 提供了具有阻挡层的发光元件，所述阻挡层含有一种或多种金属配合物。所述阻挡层可用以阻挡电子、空穴和激子。优选，所述元件还包括一个单独的发射层，其中有电荷和/或激子被限制在其中。通过比较本发明元件中相邻层所含材料的HOMO和LUMO选择适用于阻挡层的金属配合物。
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公开(公告)号：CN101390229A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200680037739.3
申请日：2006-08-02
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特 , 薛剑耿
IPC: H01L51/44
CPC classification number: H01L51/441 , H01L27/301 , H01L51/424 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种降低光敏性装置的串联电阻的方法，包括：提供布置在透明基底上的第一导电材料的透明膜；在第一导电材料上沉积并图案化掩模，使得在掩模中的开孔具有其狭窄部分靠近基底的倾斜侧面；将第二导电材料直接沉积到在掩模的开孔中暴露的第一导电材料上，至少部分地填充开孔；剥去掩模，留下由在掩模开孔中的沉积物形成的第二导电材料的凹入结构；剥去掩模之后，将第一有机材料沉积到凹入结构之间的第一导电材料上；和在凹入结构之间沉积的第一有机材料上定向地沉积第三导电材料，凹入结构的边缘对齐沉积，从而第三导电材料不直接接触第一导电材料且不直接接触第二导电材料。
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公开(公告)号：CN101379631A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200680027818.6
申请日：2006-06-01
IPC: H01L51/42
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0086 , H01L51/4246 , H01L2251/308 , Y02E10/549
Abstract: 光敏电池，包括阳极和阴极；在阳极和阴极间连接的形成施主－受主结的施主型有机材料和受主型有机材料；和在施主－受主结的受主型有机材料和阴极间连接的激子阻挡层，该阻挡层基本由具有至少10－7cm2/V－秒或更高空穴迁移率的材料构成，其中阻挡层的HOMO高于或等于受主型材料的HOMO。
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公开(公告)号：CN101375407A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200680052816.2
申请日：2006-12-07
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/09 , B82Y10/00 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/18
Abstract: 多个量子点包括第一无机材料，每个量子点由第二无机材料覆盖。所述被覆盖的量子点处于第三无机材料的基质中。至少所述第一和第三材料是光导半导体。将所述第二材料设置为隧穿势垒，以要求所述第三材料中的隧穿势垒基部处的电荷载流子(电子或空穴)执行量子机械隧穿，从而到达各个覆盖量子点内的所述第一材料。每个量子点中的第一量子态位于在其中嵌入覆盖量子点的所述第三材料的导带边缘和价带边缘之间。所述多个量子点的第一量子态的波函数可以重叠形成中能带。
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公开(公告)号：CN101313424A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043977.5
申请日：2006-09-29
Applicant: 普林斯顿大学理事会
Inventor： 隆达·F·萨尔兹曼 , 史蒂芬·R·福里斯特
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0025 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y10T436/25
Abstract: 一种纯化小分子有机材料的方法，进行以有机小分子材料的第一样品开始的一系列操作。第一步(904)是通过热梯度升华来纯化有机小分子材料。第二步(908)是通过光谱检测得自被纯化的有机小分子材料的至少一个样品的纯度。如果光谱测试显示出任何峰超过目标有机小分子的特征峰幅度的阈百分率，则第三步(910)将对被纯化的小分子材料重复第一至第三步。这些步骤至少进行两次。阈百分率为至多10％。优选阈百分率为5％，并且更优选为2％。阈百分率可基于在完成的装置中达到目标性能特征的先前样品的光谱来选择。
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