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公开(公告)号：KR1020030000756A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020010036869
申请日：2001-06-27
Applicant: 쌍신전자통신주식회사 , 우종명
IPC: H01Q23/00
Abstract: PURPOSE: A bulk type dielectric chip antenna and method for manufacturing the same is provided to simplify manufacturing procedures and allow for a mass production, while reducing costs. CONSTITUTION: A bulk type dielectric chip antenna comprises a dielectric bulk(10) having a predetermined shape; a plurality of conductor bands(21,23,25) formed by depositing conductors at upper and lower surfaces of the dielectric bulk; a plurality of connector bands(32 to 36) having a plurality of through holes(12 to 16) formed at the dielectric bulk so as to connect conductor bands formed at the upper and lower surfaces of the dielectric bulk, wherein each through hole is deposited or filled with a conductor; and a feeder point(42) and a supporter point(44) formed at the opposed surfaces of the dielectric bulk, and which are connected to both ends of conductor bands which are connected into a single path.
Abstract translation: 目的：提供一种体积型电介质芯片天线及其制造方法，以简化制造程序并允许批量生产，同时降低成本。 构成：本体型电介质芯片天线包括具有预定形状的介电体（10）; 多个导体带（21,23,25），通过在介电体的上表面和下表面上沉积导体而形成; 多个连接器带（32至36），其具有形成在电介质体上的多个通孔（12至16），以便连接形成在介电体的上表面和下表面的导体带，其中每个通孔沉积 或填充导体; 以及形成在电介质体的相对表面处的馈电点（42）和支撑点（44），并且连接到连接到单个路径的导体带的两端。
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公开(公告)号：KR2019890020419U
公开(公告)日：1989-10-05
申请号：KR2019880004288
申请日：1988-03-29
Applicant: 쌍신전자통신주식회사
Inventor： 장광현
IPC: H05K7/02
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公开(公告)号：KR100028134B1
公开(公告)日：1989-06-19
申请号：KR1019850007832
申请日：1985-10-21
Applicant: 쌍신전자통신주식회사
Inventor： 장광현
IPC: H05K9/00
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公开(公告)号：KR200039788Y1
公开(公告)日：1989-03-02
申请号：KR2019850014720
申请日：1985-11-05
Applicant: 쌍신전자통신주식회사
Inventor： 장광현
IPC: H05K9/00
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公开(公告)号：KR200036182Y1
公开(公告)日：1988-01-15
申请号：KR2019850009687
申请日：1985-07-25
Applicant: 쌍신전자통신주식회사
Inventor： 장광현
IPC: H05K3/00
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102155278B1
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：KR1020200002235
申请日：2020-01-07
Applicant: 쌍신전자통신주식회사
Inventor： 정장용
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公开(公告)号：KR100817731B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060098164
申请日：2006-10-09
Applicant: 쌍신전자통신주식회사 , 이재빈 , 김형준
IPC: G01N27/12
Abstract: A capacitive humidity sensor and a method of manufacturing the same are provided to keep constant output characteristic, and to improve productivity by forming an area control pattern on an upper or lower electrode through trimming process. A capacitive humidity sensor comprises a lower electrode(110), an insulation film(120), a humidity sensing film(130) and an upper electrode stacked in the order on a substrate. Any one of the upper and lower electrodes includes a groove and a projection at the side surface. The end part of the projection is extended to be received in the groove.
Abstract translation: 提供电容式湿度传感器及其制造方法以保持恒定的输出特性，并且通过修整工艺在上部或下部电极上形成区域控制图案来提高生产率。 电容式湿度传感器包括在基板上依次堆叠的下电极（110），绝缘膜（120），湿度感测膜（130）和上电极。 上下电极中的任何一个包括凹槽和在侧表面处的突起。 突起的端部被延伸以容纳在凹槽中。
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公开(公告)号：KR100646135B1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020040053959
申请日：2004-07-12
Applicant: 쌍신전자통신주식회사 , 이재빈 , 김형준
IPC: H03H9/56
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/02149 , H03H9/173
Abstract: 본 발명은 실리콘 체적탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 또는 희생층의 부분적 열산화공정을 이용하는 것에 의하여 CMP 공정을 생략하는 것이 가능하고 생산수율이 향상되며 압전박막의 c-축 우선배향성이 우수하여 음향학적으로 우수한 특성을 갖는 체적탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기판과의 사이에 빈 공간을 형성하도록 기판 위에 형성된 희생층이 제거된 음향학적 반사층과, 상기 희생층 위에 음향학적 반사층을 형성할 공진영역을 구별하는 패턴으로 형성된 산화방지막 또는 식각보호막과, 상기 산화방지막 또는 식각보호막이 형성되지 않은 전극영역의 희생층을 부분적으로 열산화시켜 형성되는 열산화막과, 상기 열산화막 위에 하부전극, 압전박막 및 상부전극을 포함하는 체적탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
체적탄성파소자, 열산화, 희생층, 절단공정, 다층전극-
公开(公告)号：KR100623396B1
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：KR1020050056602
申请日：2005-06-28
Applicant: 쌍신전자통신주식회사 , 이재빈
IPC: H03H3/08
Abstract: 본 발명은 체적탄성파 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판, 기판 상부에 공진영역을 형성하는 음향학적 반사층, 지지층, 하부전극, 압전박막 및 상부전극을 포함하여 구성된 체적탄성파 소자에 있어서, 상기 음향학적 반사층의 하단으로부터 상기 기판의 저면까지 관통되는 공극이 형성된 것을 특징으로 하는 체적탄성파 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 체적탄성파 소자는 음향학적 반사층을 형성함에 있어서, 상기 음향학적 반사층 아래쪽의 기판을 슬림화를 통하여, 기판의 제거를 최소화 하고 최소화하고 희생층의 존재로 인하여 식각공정에 의하여 공진구조가 손상되는 것을 방지하고, 반사층이 완만한 경사형상을 갖음으로 인하여 기판의 제거를 최소화 하여 물리적으로 보강된 구조를 갖는 효과가 있다.
보쉬공정, 기판 슬림화, 부분열산화, 기판공극Abstract translation: 在本发明中构造的薄膜体声波器件包括薄膜体声波装置，并涉及制造所述衬底上面相同的，更具体地说，声反射层，支撑层，下部电极，压电薄膜和上部电极，来形成基底，所述腔体区域的方法 并且形成从声反射层的下端穿透到基板的底表面的空腔。
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公开(公告)号：KR100518103B1
公开(公告)日：2005-10-04
申请号：KR1020010048144
申请日：2001-08-10
Applicant: 쌍신전자통신주식회사 , 이재빈 , 김형준
IPC: H03H9/15
Abstract: 공진특성을 향상시키고 하부전극의 단락을 방지하여 생산수율이 높으며 공진특성을 향상시키도록, 기판 위에 형성되고 기판과 소정의 간격을 두고 형성되는 직선부를 갖는 아치형상으로 이루어지며 아치형상의 직선부로부터 기판쪽으로 연장되는 부분은 경사면으로 형성되는 압전박막과, 압전박막과 기판 사이에 형성되고 압전박막의 형상에 대응하는 아치형상으로 이루어지는 하부전극과, 압전박막 위에 형성되고 압전박막의 형상에 대응하는 아치형상으로 이루어지는 상부전극을 포함하는 압전박막 공진기를 제공한다.
압전박막과 하부전극 및 상부전극의 아치형상은 기판에 음향파 반사용 홈을 형성하고, 음향파 반사용 홈을 포토레지스트로 채운 상태에서 차례로 하부전극과 압전박막 및 상부전극을 형성한 다음, 음향파 반사용 홈에 채워진 포토레지스트를 제거하여 형성된다.
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