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31.发明专利直流對直流變換器及其控制方法、和切換式調節器及其控制方法 DC-DC CONVERTER AND ITS CONTROL METHOD, AND SWITCHING REGULATOR AND ITS CONTROL METHOD 有权直流对直流变换器及其控制方法、和切换式调节器及其控制方法 DC-DC CONVERTER AND ITS CONTROL METHOD, AND SWITCHING REGULATOR AND ITS CONTROL METHOD
公开(公告)号：TWI309496B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW095104368
申请日：2006-02-09
Inventor： 長谷川守仁 HASEGAWA, MORIHITO , 小澤秀清 OZAWA, HIDEKIYO
IPC: H02M
CPC classification number: H02M3/1588 , H02M3/1584 , Y02B70/1466
Abstract: 一種能夠減少電力消耗的差動輸出DC-DC變換器被描述。該差動輸出DC-DC變換器包含連接到負載之兩端的輸出電極,和一個用於傳送一個源電流的切換式調節器。它更包含一個第三電晶體、一個抗流線圈、和一個用於把在流動方向上之吸收電流整流的第四電晶體,以及進一步包含一個用於允許該吸收電流流動,及發送一個比一個接地點電壓高且比一個輸出電極之電壓低的電壓到另一個輸出電極。
Abstract in simplified Chinese: 一种能够减少电力消耗的差动输出DC-DC变换器被描述。该差动输出DC-DC变换器包含连接到负载之两端的输出电极,和一个用于发送一个源电流的切换式调节器。它更包含一个第三晶体管、一个抗流线圈、和一个用于把在流动方向上之吸收电流整流的第四晶体管,以及进一步包含一个用于允许该吸收电流流动,及发送一个比一个接地点电压高且比一个输出电极之电压低的电压到另一个输出电极。
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32.发明专利成像裝置及其控制方法與互補金氧半導體影像感應器 IMAGING DEVICE, CONTROL METHOD THEREOF AND CMOS IMAGE SENSOR 失效成像设备及其控制方法与互补金属氧化物半导体影像感应器 IMAGING DEVICE, CONTROL METHOD THEREOF AND CMOS IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TWI309473B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW093136519
申请日：2004-11-26
Inventor： 船越純 FUNAKOSHI, JUN , 山本克義 YAMAMOTO, KATSUYOSHI , 小久保朝生 KOKUBO, ASAO , 水口壽孝 MIZUGUCHI, TOSHITAKA , 口剛 HIGUCHI, TSUYOSHI
IPC: H01L
CPC classification number: H04N5/3658 , H04N5/378
Abstract: 一種成像裝置,其係設置有一讀取電路,其中一遮光區係形成於一影像區部分,此處複數個光電轉換裝置係於列方向及行方向二維陣列排列,及其轉換各行之各光電轉換裝置輸出之光學檢測信號成為數位信號,該成像裝置包含一儲存裝置,其係供儲存於該遮光區相關於該光電轉換裝置所輸出之數位信號;以及一差分計算裝置,其係供計算於一光接收區(該遮光區除外),相關於該光電轉換裝置輸出之數位信號與儲存於該儲存裝置之値間之差異。
Abstract in simplified Chinese: 一种成像设备,其系设置有一读取电路,其中一遮光区系形成于一影像区部分,此处复数个光电转换设备系于列方向及行方向二维数组排列,及其转换各行之各光电转换设备输出之光学检测信号成为数码信号,该成像设备包含一存储设备,其系供存储于该遮光区相关于该光电转换设备所输出之数码信号;以及一差分计算设备,其系供计算于一光接收区(该遮光区除外),相关于该光电转换设备输出之数码信号与存储于该存储设备之値间之差异。
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33.发明专利半導體記憶體裝置、使用此裝置之半導體積體電路系統以及半導體記憶體裝置之控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM USING THE SAME, AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权半导体内存设备、使用此设备之半导体集成电路系统以及半导体内存设备之控制方法 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT SYSTEM USING THE SAME, AND CONTROL METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TWI309416B
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW095103090
申请日：2006-01-26
Inventor： 內田敏也 UCHIDA, TOSHIYA
IPC: G11C
CPC classification number: G11C7/1006 , G11C2207/104
Abstract: 本發明有關一種半導體記憶體裝置與一種使用該半導體記憶體裝置之半導體積體電路系統、以及一種半導體記憶體裝置的控制方法。本發明的一目標是提供一種降低存取數量以便減少在一控制單元的負擔並有助於電路板設計的半導體記憶體裝置、一種使用該半導體記憶體裝置之半導體積體電路系統、及一種半導體記憶體裝置的控制方法。該半導體記憶體裝置係建構具有一資料輸入單元,輸入資料從外部被輸入至該資料輸入單元、一儲存資料的記憶體單元、一運算單元其處理一在輸入資料與自該記憶體單元讀出的讀取資料之預定運算、及一資料輸出單元其將在該運算單元所獲得的運算結果資料輸出到外部。
Abstract in simplified Chinese: 本发明有关一种半导体内存设备与一种使用该半导体内存设备之半导体集成电路系统、以及一种半导体内存设备的控制方法。本发明的一目标是提供一种降低存取数量以便减少在一控制单元的负担并有助于电路板设计的半导体内存设备、一种使用该半导体内存设备之半导体集成电路系统、及一种半导体内存设备的控制方法。该半导体内存设备系建构具有一数据输入单元,输入数据从外部被输入至该数据输入单元、一存储数据的内存单元、一运算单元其处理一在输入数据与自该内存单元读出的读取数据之预定运算、及一数据输出单元其将在该运算单元所获得的运算结果数据输出到外部。
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34.发明专利半導體裝置及其之製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME 有权半导体设备及其之制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME
公开(公告)号：TWI307537B
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：TW095124316
申请日：2006-07-04
Inventor： 西村隆雄 NISHIMURA, TAKAO
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/563 , H01L23/3128 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1411 , H01L2224/16106 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2224/85045 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本發明用以提供一種高性能且高可靠的半導體裝置,其中用以將半導體晶片安裝(例如,覆晶安裝法)在基底上的黏著劑,內部具有很少的氣泡,且本發明亦關於一種用以製造半導體裝置的低成本之有效方法。本發明半導體裝置包含一具有多數電極襯墊的半導體晶片以及一基底,該基底在對應於電極襯墊的位置上具有多數電極終端。各包含有一底座部及一直徑小於底座部直徑的突起部之多數凸塊,是形成在至少其中一電極襯墊上,致使凸塊的個別底座部會彼此接觸,且半導體晶片是藉由一黏接劑,使得該等凸塊處於電連接至電極終端的狀態下而黏接至基底。
Abstract in simplified Chinese: 本发明用以提供一种高性能且高可靠的半导体设备,其中用以将半导体芯片安装(例如,覆晶安装法)在基底上的黏着剂,内部具有很少的气泡,且本发明亦关于一种用以制造半导体设备的低成本之有效方法。本发明半导体设备包含一具有多数电极衬垫的半导体芯片以及一基底,该基底在对应于电极衬垫的位置上具有多数电极终端。各包含有一底座部及一直径小于底座部直径的突起部之多数凸块,是形成在至少其中一电极衬垫上,致使凸块的个别底座部会彼此接触,且半导体芯片是借由一黏接剂,使得该等凸块处于电连接至电极终端的状态下而黏接至基底。
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35.发明专利用於直流對直流變換器之控制電路及控制方法 CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR DC-DC CONVERTER 有权用于直流对直流变换器之控制电路及控制方法 CONTROL CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR DC-DC CONVERTER
公开(公告)号：TWI307205B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW095107412
申请日：2006-03-06
Inventor： 長谷川守仁 HASEGAWA, MORIHITO
IPC: H02M
CPC classification number: H02M3/1588 , Y02B70/1466
Abstract: 本發明的一目標是提供一種即使一工作(on-duty)是不少於50%時能防止一次諧波振盪而且能防止一轉換頻率因一輸入電壓而波動的控制電路以及一種用於一電流模式控制型直流對直流轉換器之控制方法。當一高位準輸出信號係輸入至一正反器的一預設輸入端時,一電晶體被關閉。一相位比較器,根據在一延遲信號與一參考信號之間的相位差,輸出一比較結果信號。一延遲電路,在從該電晶體關閉經過一根據該比較結果信號被調整的延遲時間之後,輸出一高位準延遲信號。該電晶體係根據該高位準延遲信號的一輸入而打開。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的一目标是提供一种即使一工作(on-duty)是不少于50%时能防止一次谐波振荡而且能防止一转换频率因一输入电压而波动的控制电路以及一种用于一电流模式控制型直流对直流转换器之控制方法。当一高位准输出信号系输入至一正反器的一默认输入端时,一晶体管被关闭。一相位比较器,根据在一延迟信号与一参考信号之间的相位差,输出一比较结果信号。一延迟电路,在从该晶体管关闭经过一根据该比较结果信号被调整的延迟时间之后,输出一高位准延迟信号。该晶体管系根据该高位准延迟信号的一输入而打开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI304987B
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW094136869
申请日：2005-10-21
Inventor： 池田仁史 IKEDA, HITOSHI , 森郁 MORI, KAORU , 奧山好明 OKUYAMA, YOSHIAKI
IPC: G11C
CPC classification number: G11C29/02 , G11C11/401 , G11C29/025
Abstract: 一個等化電路響應於一個等化控制訊號的作動來把一對位元線彼此連接及把該對位元線連接至一條預先充電電壓線。一個等化控制電路響應於一個第一時序訊號的作動來不作動該等化控制訊號。一個字線驅動電路響應於一個第二時序訊號的作動來作動其中一條字線。一個時序控制電路的第一訊號產生電路產生該第一時序訊號。該時序控制電路的第二訊號產生電路在該等化控制訊號隨著該第一時序訊號之作動的不作動之後作動該第二時序訊號。該第二訊號產生電路的延遲控制電路自正常模式中之第二時序訊號的作動時序起延遲在測試模式中之第二時序訊號的作動時序。
Abstract in simplified Chinese: 一个等化电路响应于一个等化控制信号的作动来把一对比特线彼此连接及把该对比特线连接至一条预先充电电压线。一个等化控制电路响应于一个第一时序信号的作动来不作动该等化控制信号。一个字线驱动电路响应于一个第二时序信号的作动来作动其中一条字线。一个时序控制电路的第一信号产生电路产生该第一时序信号。该时序控制电路的第二信号产生电路在该等化控制信号随着该第一时序信号之作动的不作动之后作动该第二时序信号。该第二信号产生电路的延迟控制电路自正常模式中之第二时序信号的作动时序起延迟在测试模式中之第二时序信号的作动时序。
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37.发明专利電子元件承納裝置以及於電子元件承納裝置上裝載/卸載電子元件之方法 ELECTRONIC DEVICE RECEIVING APPARATUS AND METHOD OF LOADING/UNLOADING AN ELECTRONIC DEVICE AT ELECTRONIC DEVICE RECEIVING APPARATUS 失效电子组件承纳设备以及于电子组件承纳设备上装载/卸载电子组件之方法 ELECTRONIC DEVICE RECEIVING APPARATUS AND METHOD OF LOADING/UNLOADING AN ELECTRONIC DEVICE AT ELECTRONIC DEVICE RECEIVING APPARATUS
公开(公告)号：TWI304235B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW095106380
申请日：2006-02-24
Inventor： 橋場英靖 HASHIBA, HIDEYASU , 安藤幸男 ANDO, YUKIO , 村計一 SASAMURA, KEIICHI , 矢崎健一 YAZAKI, KENICHI , 濱中雄三 HAMANAKA, YUUZOU
IPC: H01L
CPC classification number: H05K13/021 , B65B15/04 , H05K13/003
Abstract: 一種電子元件承納裝置,具有一密封構造,包含一捲帶,藉此可將一電子元件承納於該電子元件承納裝置內。該捲帶彈性固持電子元件且於該電子元件承納裝置內部捲帶。一裝載/卸載用之開放部及一捲帶伸展機構是設置於該電子元件承納裝置內部。該裝載/卸載用之開放部是設置於該捲帶上方,以使電子元件可裝載於該捲帶上及自該捲帶上卸載。該裝載/卸載用之開放部具有一開口部,其是構形以可開放該電子元件承納裝置。該捲帶伸展機構是將該捲帶以一實質上垂直於該捲帶的捲帶方向之方向伸展。
Abstract in simplified Chinese: 一种电子组件承纳设备,具有一密封构造,包含一卷带,借此可将一电子组件承纳于该电子组件承纳设备内。该卷带弹性固持电子组件且于该电子组件承纳设备内部卷带。一装载/卸载用之开放部及一卷带伸展机构是设置于该电子组件承纳设备内部。该装载/卸载用之开放部是设置于该卷带上方,以使电子组件可装载于该卷带上及自该卷带上卸载。该装载/卸载用之开放部具有一开口部,其是构形以可开放该电子组件承纳设备。该卷带伸展机构是将该卷带以一实质上垂直于该卷带的卷带方向之方向伸展。
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38.发明专利直流對直流變換器之控制電路及其控制方法 CONTROL CIRCUIT OF DC-DC CONVERTER AND ITS CONTROL METHOD 有权直流对直流变换器之控制电路及其控制方法 CONTROL CIRCUIT OF DC-DC CONVERTER AND ITS CONTROL METHOD
公开(公告)号：TWI303917B
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW094138970
申请日：2005-11-07
Inventor： 吉野孝博 YOSHINO, TAKAHIRO
IPC: H02M
CPC classification number: H02M3/157 , H02M2001/0022 , H03M3/43 , H03M3/456 , H03M3/506
Abstract: 本發明係有關一種結合於邏輯電路的直流對直流變換器之控制電路,其具有可根據輸入電壓和輸出電壓來控制增益的數位錯誤放大器,而無需電阻器或高精度電容器來用於回授電路等。一種������ AD變換器型錯誤放大器包括算術單元、積分單元、1位元量化單元、D/A變換器、和第一計數器。算術單元輸出輸出電壓與平均輸出電壓之差分信號。積分單元經由將該差分信號積分來輸出整數信號。1位元量化單元係經由量化該整數信號來輸出1位元數位信號。D/A變換器係根據1位元數位信號來從數位變換成為類比。數位PWM電路係依據D/A變換器的脈波密度來判定DC-DC變換器的主切換元件的操作中電壓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种结合于逻辑电路的直流对直流变换器之控制电路,其具有可根据输入电压和输出电压来控制增益的数码错误放大器,而无需电阻器或高精度电容器来用于回授电路等。一种������ AD变换器型错误放大器包括算术单元、积分单元、1比特量化单元、D/A变换器、和第一计数器。算术单元输出输出电压与平均输出电压之差分信号。积分单元经由将该差分信号积分来输出整数信号。1比特量化单元系经由量化该整数信号来输出1比特数码信号。D/A变换器系根据1比特数码信号来从数码变换成为模拟。数码PWM电路系依据D/A变换器的脉波密度来判定DC-DC变换器的主切换组件的操作中电压。
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39.发明专利半導體積體電路及其設計方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN METHOD THEREFOR 失效半导体集成电路及其设计方法 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND DESIGN METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI303481B
公开(公告)日：2008-11-21
申请号：TW094118559
申请日：2005-06-06
Inventor： 松原裕之 MATSUBARA, HIROYUKI
IPC: H01L
CPC classification number: H01L27/118 , G06F17/5068 , H01L27/0207
Abstract: 於一種主薄片型半導體積體電路,其具有一形成有多數個為了實現特定電路功能之表體圖形在其上的表體層、及包含可由使用者改變其線路圖形的可變線路圖形與不可由使用者改變其線路圖形之固定線路層之多數線路層,多數個表體圖形事先被固定在一整個晶片表面其中表體圖形能夠被形成於該表體層,並且因此,對應一使用目的之半導體積體電路係能藉由僅設計該等可變線路層之線路並在使用者方面產生用以形成該等線路層中之設計線路的光罩來製造。
Abstract in simplified Chinese: 于一种主薄片型半导体集成电路,其具有一形成有多数个为了实现特定电路功能之表体图形在其上的表体层、及包含可由用户改变其线路图形的可变线路图形与不可由用户改变其线路图形之固定线路层之多数线路层,多数个表体图形事先被固定在一整个芯片表面其中表体图形能够被形成于该表体层,并且因此,对应一使用目的之半导体集成电路系能借由仅设计该等可变线路层之线路并在用户方面产生用以形成该等线路层中之设计线路的光罩来制造。
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40.发明专利半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200937604A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097144489
申请日：2008-11-18
IPC: H01L
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76829 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一種半導體裝置具有形成於一半導體基材上方的一第一絕緣膜,形成於該第一絕緣膜中的一第一開口,沿著該第一開口之內壁形成的一第一氧化錳膜,埋入於該第一開口中的一第一銅佈線,及形成於該第一銅佈線上之一包括碳的第二氧化錳膜。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备具有形成于一半导体基材上方的一第一绝缘膜,形成于该第一绝缘膜中的一第一开口,沿着该第一开口之内壁形成的一第一氧化锰膜,埋入于该第一开口中的一第一铜布线,及形成于该第一铜布在线之一包括碳的第二氧化锰膜。
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