公开(公告)号：US20020109956A1

公开(公告)日：2002-08-15

申请号：US09989584

申请日：2001-11-20

Applicant: MEMSCAP

Inventor： Bertrand Guillon ,  Pierre Blondy

IPC: H01G005/14

CPC classification number: H01G5/16 ,  H01G5/38

Abstract: A microcomponent including a capacitive component, wherein the capacitive component consists of at least two elementary capacitors (C1, C2, C3, C4) connected in series, each elementary capacitor comprising two plates, namely: a plate (10) fixed with respect to the rest of the microcomponent; a second plate (12), part of which is capable of being displaced with respect to the first fixed plate (10) due to the effect of a control signal, so as to vary the value of the capacitance of the elementary capacitor C1, and wherein the control signals for the various elementary capacitors are generated independently so as to vary the overall capacitance of the capacitor by independent variation of the capacitances of each elementary capacitor.

Abstract translation: 一种包括电容分量的微组件，其中所述电容分量由串联连接的至少两个基本电容器（C1，C2，C3，C4）组成，每个元件电容器包括两个板，即：相对于所述电容元件固定的板（10） 其余微量元件; 第二板（12），其部分能够由于控制信号的影响而相对于第一固定板（10）移位，以便改变基本电容器C1的电容值，以及 其中独立产生各种基本电容器的控制信号，以便通过每个基本电容器的电容的独立变化来改变电容器的整体电容。

公开(公告)号：WO2017005550A1

公开(公告)日：2017-01-12

申请号：PCT/EP2016/065013

申请日：2016-06-28

Applicant: MEMSCAP

Inventor： BERTSCH, Nicolas

IPC: G01N24/10 ,  G01R33/60 ,  G01R33/30 ,  G04F5/14 ,  G01R33/383

CPC classification number: G04F5/14 ,  G01N24/10 ,  G01R33/302 ,  G01R33/383 ,  G01R33/60

Abstract: Apparatus for atomic clock comprising : - first and second distinctive substrates (1,2), each having at least a planar surface (10, 20) substantially parallel therebetween; - a medium (3) having particles capable of undergoing energetic transition between at least two energy levels, said medium (3) being located in the space defined between said planar surfaces (10, 20); - a magnetic device (4) arranged to the first substrate (1) and generating at least in the volume of the medium (3) a predetermined static magnetic field B the direction of which is substantially parallel or perpendicular to the planar surfaces (10, 20); - an excitation (5) device arranged to the second substrate (2) and generating an excitation magnetic field H at, at least an excitation frequency, the direction of said excitation magnetic field H in the volume of the medium being substantially orthogonal to said direction of the static magnetic field B .

Abstract translation: 用于原子钟的装置包括： - 第一和第二不同的基板（1,2），每个基板具有至少一个在其间基本平行的平面（10,20）; - 具有能够在至少两个能级之间进行能量过渡的颗粒的介质（3），所述介质（3）位于限定在所述平面（10,20）之间的空间中; - 布置到所述第一基板（1）并且至少在所述介质（3）的体积中产生预定的静磁场B的磁性装置（4），所述预定静磁场B的方向基本上平行或垂直于所述平面 20）; - 激励装置（5），被布置到所述第二基板（2），并且至少在激励频率上产生激励磁场H，所述激励磁场H在所述介质的体积中的所述激励磁场H的方向基本上正交于所述方向 的静磁场B.

公开(公告)号：WO2003107401A1

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：PCT/FR2003/001749

申请日：2003-06-11

Applicant: MEMSCAP ,  GIRARDIE, Lionel

Inventor： GIRARDIE, Lionel

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L27/08

Abstract: Micro-composant incluant une inductance planaire, située au dessus du dernier niveau de métallisation (2) apparent réalisé au sein du substrat (1), comportant un enroulement métallique plan (43, 44, 45) et deux couches de perméabilité magnétique élevées disposées de part et d'autre de l'enroulement métallique, caractérisé en ce que chaque couche de perméabilité magnétique élevée est formée d'un empilement (23, 54) successif de couches élémentaires (17, 19 ,21, 52) d'un matériau de forte perméabilité magnétique, et de couches élémentaires (16, 18, 20, 22, 53) électriquement isolantes.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括平面电感的微分量，其布置在布置在基板（1）内的最终视在金属化层（2）上方，具有金属平面线圈（43,44,45）和两层高磁导率 布置在金属线圈的两侧，其特征在于，每个高磁导率层由具有高磁导率的材料的连续的基本层（17,19,21,52）的堆叠（23,54）形成，并且具有基本 电绝缘的层（16,18,20,22,53）。

公开(公告)号：WO2003085442A1

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/FR2003/001115

申请日：2003-04-09

Applicant: MEMSCAP ,  HELIN, Philippe ,  DELPOUX, Arnaud

Inventor： HELIN, Philippe ,  DELPOUX, Arnaud

IPC: G02B26/08

CPC classification number: G02B26/085 ,  B81B7/04

Abstract: Composant micro-électronique comportant au moins une cellule comportant une structure micro-électromécaniques, ladite structure comportant une partie mobile reliée à un cadre fixe (12) par au moins une portion de liaison (13), ladite cellule comportant également des moyens pour assurer le déplacement sélectif de la partie mobile de chaque la structure, caractérisé en ce que lesdits moyens de déplacement comportent: des moyens pour générer un champ magnétique (B) agissant sur la cellule; des moyens pour assurer le passage d'un courant électrique dans la portion de liaison (13) reliant la partie mobile au cadre fixe (12), de telle sorte que ladite portion de liaison (13) subissant les forces de Laplace se déforme en provoquant le déplacement de la partie mobile de la cellule. Le composant peut comporter une cellule élementaire, ou une pluralité de cellules organisées sous forme d'une matrice.

Abstract translation: 本发明涉及包括至少一个包括MEMS结构的单元的微电子部件，所述结构至少包括通过至少连接部分（13）连接到固定框架（12）的可移动部件，所述单元还包括用于选择性移动 移动部分的结构。 本发明的特征在于，所述位移装置包括：用于产生作用在电池单元上的磁场（B）的装置，用于在将可移动部件连接到固定框架（12）的连接部分（13）中循环电流的装置， 使得经受拉普拉斯力的所述连接部分（13）变形，使得电池的移动部分移动。 组件可以包括以阵列的形式组织的基本单元或多个单元。

公开(公告)号：WO2003069645A1

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：PCT/FR2003/000188

申请日：2003-01-21

Applicant: MEMSCAP ,  HEDSTRÖM, Martin

Inventor： HEDSTRÖM, Martin

IPC: H01H59/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  H01P1/127

Abstract: L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'un micro-composant du type micro-switch, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant, au-dessus d'une piste de propagation du signal et de deux pistes de masse coplanaires reéalisées sur un substrat, à: - déposer une première couche de résine sacrificielle, - réaliser des ouvertures dans la première couche de résine sacrificielle de manière à définir des zones de contact avec le substrat, -déposer une seconde couche de résine sacrifiecielle, - réaliser des ouvertures par la seconde couche d résine sacrificielle, à l'aplomb des ouvertures réalisées dans la première couche de résine sacrificielle, et au-dessus de la piste de propagation du signal et/ou des pistes de masse. - deposer un élément conducteur dans l'ouverture réalisée à l'plomb de la piste de propagation du signal et/ou des pistes de masse, - déposer des zones métalliques au dessus de la couche de matériau diélectrique, à l'aplomb d'une partie des pistes de masse, - graver la couche de matériau diélectrique, -éliminer les couches de résine sacrificielle.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造微动开关型微型部件的方法，根据该方法，在信号传播轨道和施加在基板上的两个共面接地轨迹的顶部执行以下步骤： - 第一牺牲层 的树脂; - 在树脂的第一牺牲层中形成开口，以便限定与衬底的接触面积; - 施加树脂的第二牺牲层; 通过树脂的第二牺牲层产生开口，树脂的第二牺牲层与在树脂的第一牺牲层中产生的开口对准，并且在信号传播轨道和/或接地轨迹的顶部上; - 导电元件施加在与信号传播轨道和/或地面轨迹对准的开口中; - 施加介电材料层; - 金属区域施加在电介质材料层的顶部上，与一部分接地轨道对准; - 刻蚀介电材料层; 和 - 去除树脂的牺牲层。

公开(公告)号：TW576929B

公开(公告)日：2004-02-21

申请号：TW090106331

申请日：2001-03-19

Applicant: 曼斯開公司 MEMSCAP, INC.

Inventor： 艾德華 亞瑟 希爾 EDWARD ARTHUR HILL

IPC: G02B

CPC classification number: G02B6/3514 ,  G02B6/3546 ,  G02B6/3582 ,  G02B6/3584 ,  G02B6/3596

Abstract: 波長塞取開關係包括固定反射器(譬如固定鏡面)以及可移動反射器(譬如可移動鏡面)，其中當提供波長塞取功能的可移動反射器處於一輻射反射位置中時，任何的固定反射器及任何的可移動反射器在一基材上均不互呈正交狀定向，較佳實施例中，當可移動反射器位於輻射反射位置時，各個固定及可移動反射器係與其餘部份的固定及可移動反射器呈平行狀或70°角定向。最佳，當可移動反射器處於輻射反射位置時，固定反射器及可移動反射器均在基材上呈平行狀定向。由於固定及可移動反射器具有這些定向，可利用沿著晶體面的濕蝕刻在矽基材上製造波長塞取光學開關，以提供高性能約波長塞取光學開關。

Abstract in simplified Chinese: 波长塞取开关系包括固定反射器(譬如固定镜面)以及可移动反射器(譬如可移动镜面)，其中当提供波长塞取功能的可移动反射器处于一辐射反射位置中时，任何的固定反射器及任何的可移动反射器在一基材上均不互呈正交状定向，较佳实施例中，当可移动反射器位于辐射反射位置时，各个固定及可移动反射器系与其余部份的固定及可移动反射器呈平行状或70°角定向。最佳，当可移动反射器处于辐射反射位置时，固定反射器及可移动反射器均在基材上呈平行状定向。由于固定及可移动反射器具有这些定向，可利用沿着晶体面的湿蚀刻在硅基材上制造波长塞取光学开关，以提供高性能约波长塞取光学开关。

公开(公告)号：TW591245B

公开(公告)日：2004-06-11

申请号：TW090109432

申请日：2001-04-19

Applicant: 曼斯開公司 MEMSCAP, INC.

Inventor： 艾德華 亞瑟 希爾 EDWARD ARTHUR HILL

IPC: G02B

CPC classification number: H04Q11/0005 ,  H04Q2011/0026

Abstract: 一種精簡組態之「光學互連(OXC)」交換器，可包括接往該OXC的N個輸入以及源自該OXC的N個輸出，其中N為至少3者。該N×N OXC交換器可提供N！種狀態，在此該 N！種狀態可依需要將該些N個輸入之任者光學耦接至該些 N個輸出之任者。該N×N OXC交換器也包括諸多交換節點，可選擇性地被光學耦接到該等N個輸入和N個輸出。這些諸交換節點各個皆可於交換組態設定以及傳通組態設定兩者中至少一者裡設定其組態，俾由此選擇性地提供經交換之光學輻射，且其中諸交換節點數目等於 ceiling[ln(N！)/ln(2)]，以提供該N×N OXC交換器的 N！種狀態。該N×N OXC交換器可進一步包括至少一個耦接於諸交換節點裡至少兩個的光學傳送裝置。在此亦揭示各項相關方法。

Abstract in simplified Chinese: 一种精简组态之“光学互连(OXC)”交换器，可包括接往该OXC的N个输入以及源自该OXC的N个输出，其中N为至少3者。该N×N OXC交换器可提供N！种状态，在此该 N！种状态可依需要将该些N个输入之任者光学耦接至该些 N个输出之任者。该N×N OXC交换器也包括诸多交换节点，可选择性地被光学耦接到该等N个输入和N个输出。这些诸交换节点各个皆可于交换组态设置以及传通组态设置两者中至少一者里设置其组态，俾由此选择性地提供经交换之光学辐射，且其中诸交换节点数目等于 ceiling[ln(N！)/ln(2)]，以提供该N×N OXC交换器的 N！种状态。该N×N OXC交换器可进一步包括至少一个耦接于诸交换节点里至少两个的光学发送设备。在此亦揭示各项相关方法。

公开(公告)号：TW593913B

公开(公告)日：2004-06-21

申请号：TW089123491

申请日：2000-11-24

Applicant: 曼斯開公司 MEMSCAP, INC.

Inventor： 拉馬斯威米 馬海迪芬 RAMASWAMY MAHADEVAN

IPC: F16K

CPC classification number: H01H1/0036 ,  F16K31/002 ,  H01H61/02 ,  H01H2061/006

Abstract: 本發明指示一微機電結構，包含一微電子基板及在此微電子基板上的間隔支撐，柄桿延伸在此間隔支撐之間並在對之加熱時膨脹，藉之造成柄桿在間隔支撐間的移動，對柄桿的加熱產生從柄桿經間隔支撐而進入基板的熱傳導路徑，熱傳導路徑中的熱隔離結構降低來自柄桿的熱傳導，經由間隔支撐並進入基板，相較於沒有熱隔離結構的情形。熱隔離結構最好比柄桿及支撐有較低之熱傳導，維持在柄桿中的熱可藉之增加，此熱隔離結構在柄桿的每一端可包含一熱隔離結構，在每個間隔支撐中的一熱隔離結構，在相鄰每個間隔支撐的基板中的熱隔離結構，及/或至少柄桿中的一熱隔離結構。因此，可以提供改良的微機電結構之熱效率，藉之可有較低的功率，較高的偏向，較大的力量及/或較高的速度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明指示一微机电结构，包含一微电子基板及在此微电子基板上的间隔支撑，柄杆延伸在此间隔支撑之间并在对之加热时膨胀，藉之造成柄杆在间隔支撑间的移动，对柄杆的加热产生从柄杆经间隔支撑而进入基板的热传导路径，热传导路径中的热隔离结构降低来自柄杆的热传导，经由间隔支撑并进入基板，相较于没有热隔离结构的情形。热隔离结构最好比柄杆及支撑有较低之热传导，维持在柄杆中的热可藉之增加，此热隔离结构在柄杆的每一端可包含一热隔离结构，在每个间隔支撑中的一热隔离结构，在相邻每个间隔支撑的基板中的热隔离结构，及/或至少柄杆中的一热隔离结构。因此，可以提供改良的微机电结构之热效率，藉之可有较低的功率，较高的偏向，较大的力量及/或较高的速度。

公开(公告)号：TW201706736A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105120666

申请日：2016-06-30

Applicant: 曼斯開公司 ,  MEMSCAP

Inventor： 伯屈 尼可拉斯 ,  BERTSCH, NICOLAS

IPC: G04F5/14 ,  H03L7/26

CPC classification number: G04F5/14 ,  G01N24/10 ,  G01R33/302 ,  G01R33/383 ,  G01R33/60

Abstract: 一種用於原子鐘的設備包含：-第一及第二不同的基板(1、2)，其等各自具有至少一平面狀表面(10、20)，該等平面狀表面基本上在其間相互平行；-一介質(3)，具有複數粒子，其可在至少兩個能階之間進行能量轉換，該介質(3)係位於該等平面狀表面(10、20)之間所界定的空間中；-一磁性裝置(4)，配置於該第一基板(1)，且在該介質(3)的體積中產生至少一預定的靜態磁場B，該靜態磁場的方向基本上係平行於或垂直於該平面狀表面(10、20)；-一勵磁裝置(5)，配置於該第二基板(2)且產生一至少一勵磁頻率的勵磁磁場H，在該介質的體積中該勵磁磁場H的方向基本上正交於該靜態磁場B的方向。

Abstract in simplified Chinese: 一种用于原子钟的设备包含：-第一及第二不同的基板(1、2)，其等各自具有至少一平面状表面(10、20)，该等平面状表面基本上在其间相互平行；-一介质(3)，具有复数粒子，其可在至少两个能阶之间进行能量转换，该介质(3)系位于该等平面状表面(10、20)之间所界定的空间中；-一磁性设备(4)，配置于该第一基板(1)，且在该介质(3)的体积中产生至少一预定的静态磁场B，该静态磁场的方向基本上系平行于或垂直于该平面状表面(10、20)；-一励磁设备(5)，配置于该第二基板(2)且产生一至少一励磁频率的励磁磁场H，在该介质的体积中该励磁磁场H的方向基本上正交于该静态磁场B的方向。

公开(公告)号：US20030138611A1

公开(公告)日：2003-07-24

申请号：US10328881

申请日：2002-12-24

Applicant: MEMSCAP

Inventor： Lionel Girardie

IPC: B32B009/00

CPC classification number: H01L21/022 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y10T428/24975

Abstract: Multilayer structure, used especially as a material of high relative permittivity, characterized in that it comprises a plurality of separate layers, each having a thickness of less than 500 null, and some of which are based on aluminium, hafnium and oxygen and especially based on hafnium dioxide (HfO2) and on alumina (Al2O3). In practice, the hafnium dioxide and alumina layers form alloys of formula HfxAlyOz. Advantageously, the stoichiometry of the HfxAlyOz varies from one layer to another.

Abstract translation: 特别是特别用作高相对介电常数的材料的多层结构，其特征在于它包括多个分开的层，每个层具有小于500埃的厚度，其中一些层基于铝，铪和氧，特别是基于 二氧化铪（HfO 2）和氧化铝（Al 2 O 3）。 实际上，二氧化铪和氧化铝层形成式为Hf x Al y O z的合金。 有利地，Hf x Al y O z的化学计量从一层到另一层不同。