-
公开(公告)号：JP2014116620A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2014007258
申请日：2014-01-17
Inventor： LEE CHUNG-HOON , LEE KEON YOUNG , LACROIX YVES
IPC: H01L33/00 , F21V19/00 , F21Y101/02
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting diode to which a plurality of light emitting cells are electrically connected on a substrate.SOLUTION: A light emitting element 300 includes: a substrate; a plurality of light emitting cells 100 and 200; and at least four electrodes formed on the substrate. A plurality of light emitting cells constitutes a first light emitting cell block and a second light emitting cell block. A first electrode 310 in four electrodes is connected to among an anode of a first light emitting cell in the second light emitting cell block, a cathode of a fourth light emitting cell, and an AC power supply. A second electrode 320 is connected to among the anode of a second light emitting cell in the second light emitting cell block, the cathode of a third light emitting cell, and the AC power supply. A third electrode 330 is connected to among the cathode of first light emitting cell, the cathode of second light emitting cell, and an external circuit connected to one end of the anode side in the first light emitting cell block. A fourth electrode 340 is connected to the anode in first light emitting cell block.
Abstract translation: 要解决的问题：提供在基板上电连接多个发光单元的发光二极管。解决方案：发光元件300包括：基板; 多个发光单元100和200; 以及形成在基板上的至少四个电极。 多个发光单元构成第一发光单元块和第二发光单元块。 四个电极中的第一电极310连接到第二发光单元块中的第一发光单元的阳极，第四发光单元的阴极和交流电源中。 第二电极320连接到第二发光单元块中的第二发光单元的阳极，第三发光单元的阴极和交流电源中。 第三电极330连接到第一发光单元的阴极，第二发光单元的阴极和与第一发光单元块中的阳极侧的一端连接的外部电路。 第四电极340连接到第一发光单元块中的阳极。
-
公开(公告)号：JP2017523613A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2017504022
申请日：2015-07-30
Inventor： ヒュン イン，チ , ヒュン イン，チ , ミン キム，サン , ミン キム，サン , ソク パク，テ , ソク パク，テ , ジ パク，ウン , ジ パク，ウン , スク チョ，ホン , スク チョ，ホン
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2224/14 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014
Abstract: 本発明は、信頼性が向上した発光ダイオードに関する。具体的に、前記発光ダイオードは、常温はもちろん、高温及び/又は高湿環境で向上した信頼性を有し、発光特性の低下を防止することができる。また、本発明は、電流拡散を向上できる構造体を含み、前記構造体を通じた光反射を用いて光抽出効率が向上した発光ダイオードに関する。【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP2015511776A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2015503124
申请日：2013-03-29
Inventor： スク ハン，チャン , スク ハン，チャン , モク キム，ハ , モク キム，ハ , シク チョ，ヒョ , シク チョ，ヒョ , ソ コ，ミ , ソ コ，ミ , ラム チャ リ，ア , ラム チャ リ，ア
Abstract: 近紫外線発光素子を開示する。この発光素子は、窒化ガリウム層を含むn型コンタクト層と、窒化ガリウム層を含むp型コンタクト層と、n型コンタクト層とp型コンタクト層との間に位置する多重量子井戸構造の活性領域とを含み、この活性領域は365nm〜390nm範囲内の近紫外線を放出する。
Abstract translation: 它公开了一种近紫外发光元件。 该发光器件包括n型接触层，其包含氮化镓层，以及包括镓氮化物层的p型接触层，和位于该n型接触层和p型接触层之间的多量子阱结构的有源区 其中所述有源区发射的365nm〜390nm的范围内的近紫外线。
-
公开(公告)号：JP2015511407A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014558672
申请日：2013-02-18
Applicant: ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd. , 三菱化学株式会社
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: ここで開示されるものは、窒化ガリウム基板、前記窒化ガリウム基板上に配置される窒化ガリウム系第1コンタクト層、窒化ガリウム系第2コンタクト層、前記第1コンタクト層と第2コンタクト層の間に配置され、多重量子井戸構造を有する活性層、及び前記第1コンタクトと活性層の間に配置され、多層構造を有する超格子層を含む発光ダイオード(LED)である。窒化ガリウム基板を採用することで、半導体層の結晶性が改善され、加えて、第1コンタクト層と活性層の間に超格子層を配置することで、活性層中における結晶欠陥の発生を抑制できる。
Abstract translation: 这里所公开的内容，所述氮化镓衬底，氮化镓的第一接触层布置在所述氮化镓衬底，氮化镓的第二接触层上，所述第一接触层和第二接触层之间 布置中，具有多量子阱结构的有源层，以及被设置在第一接触和所述有源层，一个发光二极管，包括具有多层结构（LED）的超晶格层之间。 通过采用氮化镓基板，提高半导体层的结晶性，此外，通过设置在第一接触层和所述有源层之间的超晶格层，抑制有源层中的晶体缺陷的发生 它可以是。
-
公开(公告)号：JP5647497B2
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：JP2010263008
申请日：2010-11-25
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L33/0079 , H01L33/32
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5641725B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2009264005
申请日：2009-11-19
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：JP2014532986A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2014538696
申请日：2012-10-09
Inventor： チョル ジョン，ヘ , チョル ジョン，ヘ , ヘ チェ，ジョン , ヘ チェ，ジョン , ラム イ チャン，ボ , ラム イ チャン，ボ , ヨン パク，ジュ , ヨン パク，ジュ , ウン ソ，デ , ウン ソ，デ
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058 , H01L2924/00
Abstract: 発光ダイオードパッケージ及びそれを製造する方法を開示する。この発光ダイオードパッケージの製造方法は、キャビティ及び前記キャビティから延長する空気排出通路を有するパッケージ本体を準備し、前記パッケージ本体のキャビティ内に発光ダイオードを実装し、接着剤を用いて前記キャビティの上部を覆うように透明部材を接着させ、シール材を形成することによって前記空気排出通路を遮断することを含む。透明部材を接着させた後、空気排出通路を遮断するので、透明部材がキャビティ内部の空気圧によって剥離されることを防止することができる。【選択図】図1
Abstract translation: 它公开了一种发光二极管封装件及其制造方法。 制造发光二极管封装件的方法准备具有从所述腔体和所述腔延伸的空气排出通道的封装体，所述工具在所述腔，所述腔的与粘合剂的上部的发光二极管封装体 粘附所述透明部件，以覆盖包括通过形成密封材料阻塞空气排出通道。 粘结透明部件，所以阻塞空气排出通道可以是透明的构件之后，可从由腔体内部的空气压力而剥离被防止。 点域1
-
公开(公告)号：JP2014143255A
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：JP2013009709
申请日：2013-01-23
Applicant: Mitsubishi Chemicals Corp , 三菱化学株式会社 , Seoul Viosys Co Ltd , ソウル バイオシス カンパニー リミテッドSeoul Viosys Co.,Ltd.
Inventor： KURIHARA KO , TAKESHITA YUTARO , NAGAO SATORU
IPC: H01L33/16 , H01L21/205 , H01L33/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for manufacturing a nitride-system light-emitting diode that has an active layer having a good-quality quantum well structure by using a large-area nitride semiconductor substrate whose principal surface has an off angle of 1-10 degrees in terms of an absolute value to an m-plane.SOLUTION: A method of manufacturing a nitride-system light-emitting diode includes a first step of growing an active layer having a quantum well structure containing In on a growth principal surface of a nitride semiconductor substrate having the growth principal surface. The growth principal surface is a plane having an off angle of 1-10 degrees in terms of an absolute value to an m-plane. A growth temperature of the nitride semiconductor layer to be grown on the nitride semiconductor substrate is set to 950°C or less prior to the first step.
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种用于制造氮化物系发光二极管的技术，该氮化物系发光二极管具有通过使用主面偏离角为1的大面积氮化物半导体衬底而具有质量好的量子阱结构的有源层 制造氮化物系发光二极管的方法包括：在生长主表面上生长含有In的量子阱结构的活性层的第一步骤 的具有生长主表面的氮化物半导体衬底。 生长主表面是与绝对值相对于m面的偏角为1-10度的平面。 在氮化物半导体衬底上生长的氮化物半导体层的生长温度在第一步骤之前设定为950℃以下。
-
公开(公告)号：JP2014120774A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2013255499
申请日：2013-12-10
Inventor： IM CHANG IK , LEE MI HEE , PARK JU YONG , SON SUNG SU , KIM CHANG YEON
CPC classification number: H01L33/502 , G02B1/007 , H01L33/04 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2933/0083
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-efficiency light-emitting diode.SOLUTION: A light-emitting diode includes: a semiconductor laminate structure 30 including a p-type compound semiconductor layer 29, an active layer 27, and an n-type compound semiconductor layer 25; a first electrode located above the semiconductor laminate structure 30; and a graphene-meta material laminate structure 50 at least partially located between the first electrode and the semiconductor laminate structure 30. The adoption of the meta material can prevent light loss due to the first electrode and can increase the light efficiency of the light-emitting diode.
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种高效率的发光二极管。发光二极管包括：半导体层叠结构30，包括p型化合物半导体层29，有源层27和n型 化合物半导体层25; 位于半导体层叠结构30上方的第一电极; 以及至少部分地位于第一电极和半导体层叠结构30之间的石墨烯材料叠层结构50.采用该超材料可以防止由于第一电极引起的光损失并且可以提高发光的光效率 二极管。
-
40.发明专利
公开(公告)号：JP2014118346A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2013258173
申请日：2013-12-13
Inventor： JANG JONG MIN , LEE KYU-HO , HAN CHANG SUK , KIM HWA MOK , SUH DAE WOONG , IN CHI HYUN , CHOI JONG HYUN
IPC: C30B25/04 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L29/0657 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/32
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial wafer having a relatively large cavity between a growth substrate and an epitaxial layer so that a chemical lift-off or stress lift-off technique can be applied thereto, and to provide a method for producing the same.SOLUTION: An epitaxial wafer includes a substrate, a mask pattern positioned on the substrate and having a masking area and an opening part area, and an epitaxial layer for covering the mask pattern. The epitaxial layer includes a cavity positioned on the masking area. Since the epitaxial layer includes the cavity positioned on the masking area, the epitaxial layer can be separated easily from a growth substrate by applying a chemical lift-off or stress lift-off technique thereto by using the cavity.
Abstract translation: 要解决的问题：为了提供在生长衬底和外延层之间具有相对大的空腔的外延晶片，以便能够对其施加化学剥离或应力剥离技术，并提供其制造方法 解决方案：外延晶片包括基板，位于基板上并具有掩模区域和开口部分区域的掩模图案，以及用于覆盖掩模图案的外延层。 外延层包括位于掩蔽区域上的空腔。 由于外延层包括位于掩蔽区域上的空腔，因此通过使用空腔将外延层通过施加化学剥离或应力剥离技术而容易地与生长衬底分离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
2380
records
(took 0.044 seconds)
