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公开(公告)号:KR20200143332A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20200175854
申请日:2020-12-15
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: KIM MI YOUNG , OH EUN MI
IPC: G10L19/26 , G10L19/032 , G10L19/16 , G10L21/0232
Abstract: 노이즈필링방법은비트스트림을복호화하여얻어지는스펙트럼에서 0으로부호화된부분을포함하는주파수밴드를검출하는단계; 검출된상기주파수밴드에대하여노이즈성분을생성하는단계; 및상기노이즈성분의에너지와상기비트스트림에포함된상기주파수밴드의에너지를이용하여, 상기노이즈성분이생성된상기주파수밴드의에너지를조정하는단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR20200143237A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20200050330
申请日:2020-04-24
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: BAE HYE JIN , MIN MIN SIK , PARK SANG HO , JEON SOON OK , CHOI HYE SUNG , KIM JI WHAN , NAM SUNG HO , SON YOUNG MOK , CHOI HYEON HO
Abstract: 하기화학식 1로표시되는유기금속화합물, 상기유기금속화합물을포함한유기발광소자및 상기유기금속화합물을포함한진단용조성물이개시되고, M1(L11)n11(L12)n12 상기화학식 1 중 L11은하기화학식 1-1로표시되는리간드이고, 다른치환기에대한설명은발명의설명을참조한다: TIFFpat00124.tif84103.
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公开(公告)号:KR20200143233A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20200044347
申请日:2020-04-10
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: SANGSOO JEONG , HOYEON LEE
Abstract: 본개시는 LTE(Long Term Evolution)와같은 4G(4th generation) 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G(5th generation) 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시에따르면, 무선통신시스템에서단말의동작방법에있어서, 제1 네트워크에서 AMF(access and mobility management function)와통신을수행하는과정과, 제2 네트워크에서 AMF에대한정보를포함하는 RRC(radio resource control) 메시지를송신하는과정을포함하는방법이제공된다.
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公开(公告)号:KR20200143089A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20190070954
申请日:2019-06-14
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: YUN SUNG YOUNG , PARK SUNG JUN , HEO CHUL JOON , PARK KYUNG BAE , LEE GAE HWANG , JIN YONG WAN
Abstract: 제1 전극, 상기제1 전극위에위치하는유기활성층, 상기유기활성층위에위치하는보호층, 그리고상기보호층위에위치하는제2 전극을포함하고, 상기제1 전극, 상기보호층및 상기제2 전극이이루는정전용량(capacitance)은 2x10-10 F 이하인유기센서및 전자장치에관한것이다.
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公开(公告)号:KR20200142976A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20190070657
申请日:2019-06-14
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: SON YOON HWAN , CHEON JI SUNG
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/788
Abstract: 반도체장치가제공된다. 반도체장치는제1 영역및 제2 영역이정의되는제1 기판, 제1 기판상에순차적으로이격되어적층된복수의제1 게이트전극을포함하는제1 적층구조물로, 복수의제1 게이트전극각각의제1 방향의길이는제2 영역의제1 기판상에서제1 기판과멀어질수록감소하고, 제1 적층구조물상에순차적으로이격되어적층된복수의제2 게이트전극을포함하는제2 적층구조물, 제1 적층구조물과제2 적층구조물사이에배치되는접합부, 제1 적층구조물의측면상에배치되는제1 층간절연막, 제2 적층구조물을덮는제2 층간절연막, 제1 영역의제1 기판상에서, 제1 적층구조물을관통하는제1 부분, 접합부를관통하는제2 부분및 제2 적층구조물을관통하는제3 부분을포함하는제1 채널홀, 및제2 영역의제1 기판상에서, 제1 적층구조물을관통하는제1 부분, 제1 층간절연막을관통하는제2 부분및 제2 층간절연막을관통하는제3 부분을포함하는제2 채널홀을포함하되, 제1 채널홀의제2 부분의제1 방향과수직인제2 방향의높이는제2 채널홀의제2 부분의제2 방향의높이보다작다.
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公开(公告)号:KR20200142905A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20190070404
申请日:2019-06-14
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: SEO MINCHEOL , KIM NARI , UHM JUNWHON , LEE JAEHYUK , PARK SUNGCHUL , PARK JIYOON , YUN YONGSANG
Abstract: 본발명의일 실시예는, 20GHz 이상주파수대역의통신을운용하는외부장치의적어도일부가장착되는하우징, 사용자의두부(head) 일영역에대한상기전자장치의착용을지원하도록상기하우징의일 영역에연결되고상기사용자두부의수평둘레적어도일부를감싸는제1 지지부재및 상기사용자두부의수직둘레적어도일부를감싸는제2 지지부재를포함하는지지부재, 및상기제2 지지부재의일 영역에배치되는안테나모듈을포함하고, 상기안테나모듈은, 복수의패치안테나엘리먼트(element)를포함하는안테나층, 상기안테나층의하부로적층되는무선회로층, 및상기무선회로층의하부로적층되는방열층을포함하는전자장치를개시한다. 이외에도명세서를통하여파악되는다양한실시예가가능하다.
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公开(公告)号:KR20200142796A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20190070121
申请日:2019-06-13
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: JEONG HUI
IPC: G06F1/16
Abstract: 다양한실시예에따르면, 전자장치는, 제1힌지모듈및 제1힌지모듈과이격배치되는제2힌지모듈을포함하는힌지구조와, 상기힌지구조에연결되고, 제1면, 상기제1면과반대방향으로향하는제2면, 및상기제1면과상기제2면사이의제1공간을포함하는제1하우징구조와, 상기힌지구조에연결되고, 제3면, 상기제3면과반대방향으로향하는제4면, 및상기제3면과상기제4면사이의제2공간을포함하는제2하우징구조및 상기제1힌지모듈및 상기제2힌지모듈사이에배치되는장식구조로서, 상기일단은상기제1힌지모듈에고정되고, 타단은상기제2힌지모듈에고정되는제1샤프트와, 상기제1샤프트와평행하게이격배치되고, 일단은상기제1힌지모듈에고정되고, 타단은상기제2힌지모듈에고정되는제2샤프트와, 상기제1샤프트와상기제2샤프트가관통되도록배치되는복수의커버롤러및 상기복수의커버롤러들사이에개재되는복수의메인롤러로서, 상기제1샤프트가관통되도록배치되는제1부분과, 상기제1부분으로부터연장되고상기제2샤프트가관통되도록배치되는제2부분및 상기제1부분으로부터연장되고, 상기제2부분으로부터이격되며, 상기제2샤프트가관통되도록배치되는제3부분을포함하는복수의메인롤러를포함하는장식구조를포함하고, 접힌상태(folded state)에서, 상기제1면및 상기제3면이서로대면하도록배치될수 있다. 그밖에다양한실시예들이가능할수 있다.
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公开(公告)号:KR20200142660A
公开(公告)日:2020-12-23
申请号:KR20190069688
申请日:2019-06-13
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: YOON DO YOUNG , AHN JEONG HO
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/66
Abstract: 예시적인실시예들에따른 EUV 마스크검사방법은복수의서로다른형상의패턴들로구성된제1 패턴클러스터들및 제2 패턴클러스터들을포함하는패턴디자인에대해, 상기제1 패턴클러스터들이반복적으로배치되는제1 영역및 제2 패턴클러스터들이배치되는제2 영역을정의하는단계; 상기패턴디자인에대응하는제1 극자외선 (Extreme Ultra Violet, 이하 EUV) 마스크를이용하여제1 포토레지스트층을노광하는단계; 노광된상기제1 포토레지스트층을현상하여제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴의산란이미지를얻는단계; 및상기산란이미지를이용하여상기제1 EUV 마스크의결함유무를결정하는단계;를포함하되, 상기제1 EUV 마스크의결함유무를결정하는단계는, 상기산란이미지를이용하여상기제1 영역으로부터유래한제1 산란신호를산출하는단계를포함한다.
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公开(公告)号:KR20200142247A
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:KR20190069253
申请日:2019-06-12
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: HAN BRIAN
IPC: H04R1/28
Abstract: 하우징, 제1방향을향하는제1플레이트, 제1방향과반대되는제2방향을향하는제2플레이트포함하고, 상기하우징에내장되며, 상기제1플레이트또는상기제2플레이트의외부표면에서내부공간을향하여형성된리세스를포함하는케이스, 상기케이스에내장되고, 작동과정에서진동을발생시키도록구성된전자부품, 상기케이스의상기리세스에안착되고, 중앙에삽입공이형성된방진부재및 상기하우징의내측표면에서돌출되고, 단부에걸림턱이형성되며, 상기방진부재의삽입공에삽입되어결합하는고정돌기를포함하는전자장치가소개된다. 이밖에다른실시예도가능하다.
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公开(公告)号:KR20200142173A
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:KR20190069038
申请日:2019-06-12
Applicant: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Inventor: LEE KYUNG HWAN , KIM YONG SEOK , KIM TAE HUN , PARK SEOK HAN , YAMADA SATORU , HONG JAE HO
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/66 , H01L29/788 , H01L45/00
Abstract: 수직형반도체소자는, 기판상에형성되고, 상기기판상면에수직한제1 방향으로각각연장된채널이구비된다. 상기채널내측벽과접하는제1 데이터저장구조물이구비된다. 상기채널의외측벽상에적층되는제2 데이터저장구조물이구비된다. 상기제2 데이터저장구조물표면상에, 상기제1 방향으로서로이격되면서적층되고, 상기기판상면에평행한제2 방향으로연장되는게이트패턴들을포함한다. 상기수직형반도체소자는데이터저장용량이증가될수 있다.
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