公开(公告)号：JP2008536330A

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：JP2008506364

申请日：2006-03-29

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リー・ドヨン

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 本発明は、フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供し、入射角のマージンを確保して、小型カメラモジュールでもズーム機能の搭載が可能なようにするイメージセンサ用分離型単位画素及びその製造方法に関する。 本発明に係る３次元構造を有するイメージセンサの分離型単位画素は、フォトダイオードと、転送トランジスタと、電荷量を電圧に変えるための静電気として機能するフローティング拡散領域のノードと、前記フローティング拡散領域のノードおよび前記転送トランジスタをチップの外部回路に接続するためのパッドとで構成される第１のウエハと、リセットトランジスタ、ソースフォロワトランジスタ及び遮断スイッチ用トランジスタのような画素の残りの部分回路と、その他読み出し回路と、垂直／水平デコーダと、センサ動作及び画質に関与する相関重畳サンプリング(ＣＤＳ)回路と、アナログ回路と、アナログデジタル変換器(ＡＤＣ)、デジタル回路及び前記各画素を接続するためのパッドとで構成される第２のウエハと、前記第１のウエハの導体パッドと前記第２のウエハの導体パッドとを接続する連結手段と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、フォトダイオードの面積と画素の面積とをほとんど同じ大きさに製作することによって、マイクロレンズがなくても良好な感度を持つ画像センサを製作できる。 さらに、フォトダイオードが最上層に位置することによって、自動焦点やズーム機能においてセンサが基本的に必要とする入射光の入射角マージンを確保できる。

公开(公告)号：JP4061326B2

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：JP2005518753

申请日：2004-02-07

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リー・ドヨン

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/355 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/376

CPC classification number: H04N5/3745 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3559

Abstract: Provided is an optical image receiving device having a high and rapid sensitivity and a wide dynamic range manufacture in a CMOS process. The image receiving device includes a capacitor transistor for a special purpose in addition to a general structure of three transistors and a light receiving portion. The capacitor transistor has first and second source/drain ports connected to the capacitance node and the floating diffusion node, respectively, and is gated in response to activation of a predetermined capacitor control signal. In the CMOS optical image receiving device, the floating diffusion node is pumped over an external power voltage. Thus, the electronic potential of the floating diffusion node in the initialization state is much higher than the maximum voltage of the light receiving portion. Thus, the CMOS active pixel has a very high sensitivity in a region where the intensity of light is weak. Furthermore, since the sensitivity decreases in a region where the intensity of light is strong, the dynamic range thereof can be increased very large.

公开(公告)号：JP2014523148A

公开(公告)日：2014-09-08

申请号：JP2014524927

申请日：2012-08-08

Applicant: シリコンファイル テクノロジーズ インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： ヨン イ ド

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37457 ,  H04N9/045 ,  H04N13/0239

Abstract: 本発明は、基板を積層したイメージセンサに関するものである。 本発明にかかる基板積層型イメージセンサは、第１基板に第１フォトダイオードを形成し、第２基板に第２フォトダイオードを形成した後、両基板を互いに整列して接着することによって両フォトダイオードが電気的に結合して１ピクセル内の完全なフォトダイオードをなすことを特徴とする。

公开(公告)号：JP5009368B2

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：JP2009516393

申请日：2007-06-14

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： ウォン・ジュンホ ,  リー・ビョンス

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/00 ,  H04N5/357

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

公开(公告)号：JP2010527022A

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：JP2010508277

申请日：2007-10-15

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リ・ドヨン ,  リ・ビョンス

IPC: G01N21/78 ,  G01N33/543 ,  G01N37/00

CPC classification number: G01N21/6454 ,  G01N21/274 ,  G01N21/6428 ,  G01N21/76 ,  G01N2021/0325 ,  G01N2021/7786 ,  H01L27/14621

Abstract: 本発明は、高感度のイメージセンサを含むバイオチップに関する。 本発明によるバイオチップは、生化学的反応が起きる複数の反応領域が凹部の形態で形成され、前記反応領域の下部には基準試料が設けられ、前記反応領域の上部にはターゲット試料が挿入されるバイオチップ層と、前記バイオチップ層の下部に形成され、複数の光検出器を含むイメージセンサ層とを備える。 本発明によるバイオチップは、単一チップにバイオチップ層とイメージセンサ層とを備えることにより、発光や蛍光などの過程で光の損失が減少し、一般的なバイオチップなどで必要なスキャナなどの付加装置が不要になり、感度が向上し、低コストのバイオチップを実現できる。

公开(公告)号：JP2010521759A

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：JP2009554439

申请日：2008-03-10

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リ・ドヨン ,  リ・ビョンス

IPC: G06T1/00 ,  G06F21/20 ,  G06K19/10 ,  G06T7/00

CPC classification number: G06K9/00013

Abstract: 本発明は、カードに装着可能であって、指紋認識機能を実行する指紋認識装置、該指紋認識装置を内蔵したカード、及び指紋認識装置を内蔵したカードの使用者認証方法を開示する。 指紋認識装置は、指紋が接触する指紋接触部と、指紋接触部から反射する反射波を利用して指紋パターンを取り込んで、比較基準指紋パターンと取り込んだ指紋パターンを比較するイメージセンサとを具備する。 指紋認識装置を内蔵したカードは、カード使用者の指紋パターンである比較基準指紋パターンを予め保存し、カードに入力される指紋を取り込んで、保存された指紋パターンと取り込んだ指紋パターンが同一パターンを有するか否かを判断する指紋認識装置を含む。 指紋認識装置を内蔵したカードの使用者認証方法は、指紋認識装置を内蔵したカードをカード会社または銀行とオンライン接続されたカード端末機に挿入するステップと、カードから入力される指紋パターンを取り込むステップと、取り込んだ指紋パターンを、カード使用者の指紋パターンである比較基準指紋パターンと比較するステップとを含む。

公开(公告)号：JP2009529801A

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：JP2009500290

申请日：2007-03-14

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リ・ドヨン

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603

Abstract: 本発明は、ＣＭＯＳイメージセンサの画素アレイ構造及びその配置方法に関し、各々の単位画素が、行方向および列方向に隣接する単位画素に対して斜線方向にずれて配置されたものである。 このような配置のためには、偶数番目の行の画素アレイは、奇数番目の画素アレイに対して列方向ピッチの半分だけ列方向にシフトするように配置することが可能である。
本発明によれば、斜線方向にずれた画素アレイでは、光感知素子間の距離がより長く確保されることで、更に大きい面積の光感知素子を配置できるようになり、ＭＯＳトランジスタにより構成された画素トランジスタ回路部を光感知素子間に配置できるようになり、光感度及び解像度を著しく増大できる。

公开(公告)号：JP2008544571A

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：JP2008519169

申请日：2006-06-27

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リー・ドヨン

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469

Abstract: 本発明は、フォトダイオードに入射する光の多様な入射角に対する対応能力を提供し、入射角マージンを確保して小型カメラモジュールでもズーム機能の搭載が可能なようにするイメージセンサ用分離型単位画素及びその製造方法に関する。 本発明に係る３次元構造を持つイメージセンサの分離型単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオードおよび、前記フォトダイオードの光電荷量を外部に転送するためのパッドを備える第１のウエハと、前記フォトダイオードを除いたトランジスタ構成の規則的な配列を持つ画素アレイ領域、前記画素アレイ以外のイメージセンサの構造を持つ周辺回路領域、及び前記各画素を接続するためのパッドを備える第２のウエハと、前記第１のウエハのパッドと前記第２のウエハのパッドとを接続する連結手段と、を含む。 本発明によれば、フォトダイオードだけで上側ウエハを製造し、フォトダイオード以外の画素領域を下側ウエハとして製造することによって、製造工程を簡略化できる。 また、上側ウエハにはトランジスタが存在しないため、光との相互作用に影響がなく、コスト低減が図られる。

公开(公告)号：JP2008544570A

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：JP2008519166

申请日：2006-06-21

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc.

Inventor： リー・ドヨン

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/3741

Abstract: 本発明は、フォトダイオードと２−トランジスタで画素を構成するイメージセンサの単位画素に関する。 本発明に係る２−トランジスタ構造を持つイメージセンサの単位画素は、半導体物質の導電型とは反対の不純物を含有しているフォトダイオードと、前記フォトダイオードと接続され、前記フォトダイオードを初期化するリセットトランジスタと、前記フォトダイオードと接続され、与えられた画素情報の伝達のために、画素と外部読み出し回路との間の接続を制御する選択トランジスタと、を含む。 本発明によれば、開口面(aperture surface)が上昇し、画素サイズが減少して、感度が増加する。 さらに、トランジスタ個数の減少によって、フォトダイオードの充填率が著しく大きくなり、感度が増加して、コスト低減が図られる。

公开(公告)号：JP2008544539A

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：JP2008518022

申请日：2006-06-14

Applicant: シリコンファイル・テクノロジーズ・インコーポレイテッドSiliconFile Technologies Inc. ,  パク・チョルソPARK,Cheol Soo

Inventor： パク・チョルソ

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463

Abstract: 本発明は、イメージセンサの画素で充填率をより高めるために、画素内部のフィールド酸化膜の一部領域または全領域をフォトダイオードとして使えるようにするものである。 本発明のイメージセンサの画素は、半導体基板の内部に埋め込まれて形成されたフォトダイオードと、フォトダイオードの前記形成後に形成された画素トランジスタと、を含む。 本発明のイメージセンサの画素は、画素トランジスタと、画素トランジスタを分離するフィールド酸化膜と、フィールド酸化膜の一部面積または全面積の下部に位置するフォトダイオードと、を含む。 本発明のイメージセンサの画素の製造方法は、（ａ）半導体基板の所定の領域にトレンチを形成するステップと、（ｂ）前記トレンチ領域の少なくとも一部分を含むフォトダイオードを形成するステップと、（ｃ）前記フォトダイオードの前記形成後に、画素トランジスタを形成するステップと、を含む。 本発明によれば、フォトダイオードの表面積が広がって、充填率が向上し、光感度を向上することができ、イメージセンサの単位画素でトランジスタが形成される領域を除いては、全てフォトダイオード領域となり、充填率が最大化する。