公开(公告)号：TWI462195B

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：TW098109958

申请日：2009-03-26

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 馮建德 ,  FENG, CHIEN TE ,  金以凱 ,  JIN, KEVIN

IPC: H01L21/58 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/78743 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI405513B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW097121815

申请日：2008-06-11

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 唐納C 亞伯 ,  ABBOTT, DONALD C. ,  尤斯曼M 查德瑞 ,  CHAUDHRY, USMAN M.

IPC: H05K3/10

CPC classification number: H05K3/423 ,  H01L21/486 ,  H01L23/4985 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0393 ,  H05K3/205 ,  H05K3/427 ,  H05K2201/09472 ,  H05K2203/0726 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI405288B

公开(公告)日：2013-08-11

申请号：TW097133323

申请日：2008-08-29

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 索尼 馬奎茲 莎甘 ,  SAGUN, SONNY MARQUEZ ,  洛尼爾 莫拉達 佩納莫拉 ,  PENAMORA, RHONEL MORADA ,  艾倫 賽門 塞納迪拉 ,  SERNADILLA, ALAN SIMON

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6732 ,  H01L21/67742 ,  Y10S269/903 ,  Y10S414/141

公开(公告)号：TWI400741B

公开(公告)日：2013-07-01

申请号：TW094113765

申请日：2005-04-28

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 郝文 布 ,  BU, HAOWEN ,  拉傑西 克哈曼卡 ,  KHAMANKAR, RAJESH ,  道格拉斯T 葛瑞德 ,  GRIDER, DOUGLAS T.

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843 ,  Y10S438/954

公开(公告)号：TWI393227B

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：TW097135263

申请日：2008-09-12

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 瑞納多 科普尤 傑維爾 ,  JAVIER, REYNALDO CORPUZ ,  傑波雷卡奇V 奇帕卡提 ,  CHIPALKATTI, JAYPRAKASH V. ,  艾路克K 洛海雅 ,  LOHIA, ALOK K.

IPC: H01L23/433 ,  H01L23/495 ,  H01L25/04

CPC classification number: H01L23/4334 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TWI389217B

公开(公告)日：2013-03-11

申请号：TW097136679

申请日：2008-09-24

Applicant: 德州儀器公司 ,  TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 胡森 艾夏瑞夫 ,  ALSHAREEF, HUSAM ,  曼紐A 奎維多 洛佩茲 ,  QUEVEDO-LOPEZ, MANUEL A.

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L21/28238 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

公开(公告)号：TWI314354B

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW095129610

申请日：2006-08-11

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 阿野一章 ANO, KAZUAKI

IPC: H01L

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/45 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本發明揭示一種具有一焊接點之裝置,該焊接點由一具有特定區域(202)之銅接觸焊墊(210)及一在該焊墊區域上以冶金方式附著至該銅焊墊之合金層(301)構成。該合金層含有包括Cu6Sn5金屬間化合物之銅/錫合金及包括(Ni,Cu)6Sn5金屬間化合物之鎳/銅/錫合金。一包括錫之焊料元件(308)在該焊墊區域上以冶金方式附著至該合金層。在回焊處理之後無任何之原始薄鎳層剩下。銅/錫合金有助於改良落下測試效能,鎳/銅/錫合金有助於改良壽命測試效能。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种具有一焊接点之设备,该焊接点由一具有特定区域(202)之铜接触焊垫(210)及一在该焊垫区域上以冶金方式附着至该铜焊垫之合金层(301)构成。该合金层含有包括Cu6Sn5金属间化合物之铜/锡合金及包括(Ni,Cu)6Sn5金属间化合物之镍/铜/锡合金。一包括锡之焊料组件(308)在该焊垫区域上以冶金方式附着至该合金层。在回焊处理之后无任何之原始薄镍层剩下。铜/锡合金有助于改良落下测试性能,镍/铜/锡合金有助于改良寿命测试性能。

公开(公告)号：TW200926370A

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：TW097128540

申请日：2008-07-25

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 維卡斯 古波塔 GUPTA, VIKAS ,  席威P 古朗 GURRUM, SIVA P. ,  葛瑞哥里E 霍華 HOWARD, GREGORY E.

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/3677 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置(100A),其具有塑膠囊封化合物(102)及在兩表面上之金屬板(103a和104)作為散熱器。較佳為統一高度之一或多個熱導體連接一板(103b)及晶片表面(101a);導體之數量可隨著該晶片尺寸而有所變化。各導體由一長形線圈(較佳為銅)組成,各線末端附接於一墊(105),較佳為兩末端附接於相同之墊。較大圈直徑大致垂直於該第一表面且該圈最高點與該板接觸。該基板(104)(較佳為一第二金屬板)覆蓋該第二封裝表面之至少一部分並被熱傳導地連接至該晶片。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备(100A),其具有塑胶囊封化合物(102)及在两表面上之金属板(103a和104)作为散热器。较佳为统一高度之一或多个热导体连接一板(103b)及芯片表面(101a);导体之数量可随着该芯片尺寸而有所变化。各导体由一长形线圈(较佳为铜)组成,各线末端附接于一垫(105),较佳为两末端附接于相同之垫。较大圈直径大致垂直于该第一表面且该圈最高点与该板接触。该基板(104)(较佳为一第二金属板)覆盖该第二封装表面之至少一部分并被热传导地连接至该芯片。

公开(公告)号：TWI309724B

公开(公告)日：2009-05-11

申请号：TW092136449

申请日：2003-12-19

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 亞倫M 吉爾奇斯 GILKES, ALAN M.

IPC: G01S ,  G04G

CPC classification number: G01S19/256 ,  G04G7/00

Abstract: 一種當來自SPS(satellite positioning system,衛星定位系統)衛星的信號因受SPS接收器作業環境影響而衰減時,而能於一SPS系統中讓SPS信號獲取(signal acquisition)成為可能的系統及方法。一較佳具體實施例包含藉由一公衆網路(如網際網路(Internet)230)於一端耦合至一SPS接收器(如SPS接收器210)之一通信伺服器(如通信伺服器220)及一時間伺服器(如時間伺服器225)。最好是,該通信伺服器220透過一無線網路來耦合至該網際網路230以利於最大化的行動性及彈性。該通信服務器220向該時間伺服器225查詢現有時間並接著提供該現有時間給該SPS接收器210。該SPS接收器210使用該現有時間來輔助信號獲取。

Abstract in simplified Chinese: 一种当来自SPS(satellite positioning system,卫星定位系统)卫星的信号因受SPS接收器作业环境影响而衰减时,而能于一SPS系统中让SPS信号获取(signal acquisition)成为可能的系统及方法。一较佳具体实施例包含借由一公众网络(如因特网(Internet)230)于一端耦合至一SPS接收器(如SPS接收器210)之一通信服务器(如通信服务器220)及一时间服务器(如时间服务器225)。最好是,该通信服务器220透过一无线网络来耦合至该因特网230以利于最大化的行动性及弹性。该通信服务器220向该时间服务器225查找现有时间并接着提供该现有时间给该SPS接收器210。该SPS接收器210使用该现有时间来辅助信号获取。

公开(公告)号：TW200845349A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097102750

申请日：2008-01-23

Applicant: 德州儀器公司 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED

Inventor： 克里斯 艾德華 海格 HAGA, CHRIS EDWARD ,  安東尼 路易斯 柯里 COYLE, ANTHONY LOUIS ,  威廉 大衛 波伊德 BOYD, WILLIAM DAVID

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本發明揭示一種用於製造熱强化型半導體裝置(200)之方法及系統,該熱强化型半導體裝置係封裝成一貫穿孔單列直插式封裝(SIP)。一引線框架(210)、一第一複數個傳導引線(240)及一第二金屬片部分均係由一金屬片衝壓而成,該引線框架具有一晶粒墊(220)用以附著一IC晶粒(230),該第一複數個傳導引線係由一第一金屬片部分所形成,該第二金屬片部分係佈置於與該第一複數個傳導引線相對的該IC晶粒之一側上。該第一複數個傳導引線係以一單行配置並能夠依據該SIP由貫穿孔加以固定。該第二金屬片部分包括該晶粒墊以採用該金屬片形式來形成一均溫散熱片(260)。該均溫散熱片為該IC晶粒所產生之熱量提供散熱。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于制造热强化型半导体设备(200)之方法及系统,该热强化型半导体设备系封装成一贯穿孔单列直插式封装(SIP)。一引线框架(210)、一第一复数个传导引线(240)及一第二金属片部分均系由一金属片冲压而成,该引线框架具有一晶粒垫(220)用以附着一IC晶粒(230),该第一复数个传导引线系由一第一金属片部分所形成,该第二金属片部分系布置于与该第一复数个传导引线相对的该IC晶粒之一侧上。该第一复数个传导引线系以一单行配置并能够依据该SIP由贯穿孔加以固定。该第二金属片部分包括该晶粒垫以采用该金属片形式来形成一均温散热片(260)。该均温散热片为该IC晶粒所产生之热量提供散热。