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公开(公告)号：KR101578454B1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140044161
申请日：2014-04-14
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 한국기초과학지원연구원
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0018 , B22F1/0048 , B22F2001/0037 , B22F2301/255 , B22F2999/00 , C23F1/04 , C23F1/30 , C23F1/00
Abstract: 본발명은식각과성장메커니즘의반복을통해크기와형상을조절할수 있는간단한합성법을이용하여균일한구형의금나노입자를제조하는방법에관한것으로, 본발명에따른구형금나노입자제조방법은 (a) 금전구체, 환원용매, 양이온계면활성제, 무기산의혼합물을가열하여금나노입자를제조하는단계, (b) 상기혼합물을상온냉각하고, 상기혼합물에상기금전구체를 1차추가투입하여상기금나노입자를 15시간이상에칭하는단계, (c) 상기혼합물을승온하여상기금나노입자를다면체의형태로재성장시키는단계및 (d) 상기혼합물에상기금전구체를 2차추가투입하여상기금나노입자를 15시간이상에칭하는단계를포함하며, 상기 (c) 및 (d) 단계를일단위공정으로하여상기일단위공정을 1회이상수행하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 提供了使用合成方法的均匀球形金纳米颗粒的制造方法，用于通过重复蚀刻和生长来控制尺寸和形状。
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公开(公告)号：KR1020150092405A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140012287
申请日：2014-02-03
Applicant: 가부시키가이샤 가네카 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 투명 도전막, 그 제조 방법, 및 투명 도전막을 포함하는 디바이스 및 전자장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 도전막은 금속 나노구조체와 상기 금속 나노구조체가 배치된 지지기재를 포함하는 투명 도전막으로, 상기 금속 나노구조체는 이방성 형상을 가지는 복수의 금속 나노구조가 하나 이상의 접합 부위를 갖도록 연결된 것이고, 상기 투명 도전막은 550nm 파장에서의 투과율이 90 % 이상이고, 시트 저항값이 10 Ω/sq 이하이며, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기EL디스플레이(OLED), 유기EL조명, 터치 스크린, 및 태양 전지 등의 전자장치에 활용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及透明导电层，其制造方法，装置以及包括该透明导电层的电子器件。 根据本发明的透明导电层包括金属纳米结构和其上布置有金属纳米结构的载体材料。 在金属纳米结构中，多个金属纳米结构单元被连接以具有一个或多个结合部分。 透明导电层的透射率在550nm波长中为90％以上。 透明导电层的薄层电阻值为10Ω/□以下。 透明导电层用于诸如液晶显示器，等离子体显示器，有机EL显示器（OLED），有机EL灯，触摸屏和太阳能电池的电子设备中。
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公开(公告)号：KR101462864B1
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020120078291
申请日：2012-07-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01B5/14 , H01L31/0224 , H01B1/02
CPC classification number: H01B1/02 , G02F1/13439 , H01B13/30 , H01L31/022466 , H01L31/022491 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/249948
Abstract: 본 발명은 은 나노 와이어 전도성 필름의 산화를 방지하기 위한 방법 및 이를 위해 산화 방지막이 코팅된 은 나노 와이어 전도성 필름에 관한 것이다.
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