公开(公告)号：CN106549017A

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201610833846.2

申请日：2016-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林夏珍 ,  朴起宽 ,  金元洪

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/092 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/51 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7854

Abstract: 提供了集成电路装置及其制造方法。所述集成电路装置包括：第一栅极堆叠件，形成在第一高介电层上并包括第一含逸出功调节金属结构；第二栅极堆叠件，形成在第二高介电层上并包括具有比第一含逸出功调节金属结构的氧含量大的氧含量的第二含逸出功调节金属结构。