公开(公告)号：CN1577869A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069850.3

申请日：2004-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申光植 ,  金汉洙 ,  许星会

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/10 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11524 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 一种EEPROM器件，包括：用于限定多个有源区的器件隔离层，延伸横跨有源区的一对控制栅极图形，以及延伸横跨有源区并插入在控制栅极图形之间的一对选择栅极图形。在控制栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成浮置栅极图形。在选择栅极图形延伸横跨有源区的交叉区域处形成下栅极图形。栅极间电介质图形设置在控制栅极图形和浮置栅极图形之间，伪电介质图形设置在选择栅极图形和下栅极图形之间。伪电介质图形基本平行于选择栅极图形，并且和选择栅极图形的一条侧壁对准以叠盖选择栅极图形的预定宽度。