平板显示器的制备方法

    公开(公告)号:CN101419944B

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN200810171022.9

    申请日:2006-07-14

    CPC classification number: H01L27/283 H01L27/3244 H01L51/0545

    Abstract: 本发明公开了一种制造平板显示器的方法,包括如下步骤:制备绝缘基板;在所述绝缘基板上形成分开的源电极和漏电极来界定沟道区域;在所述源电极和漏电极上形成第一钝化层;在所述第一钝化层上形成具有对应于所述沟道区域的开口的金属层;通过使用所述金属层作为掩模在所述第一钝化层中形成沉积开口来通过所述第一钝化层的沉积开口暴露所述沟道区域;在所述沉积开口内依次形成有机半导体层和第二钝化层;以及去除所述金属层。

    电泳显示器及其制造方法
    34.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1983005A

    公开(公告)日:2007-06-20

    申请号:CN200610148644.0

    申请日:2006-11-22

    Inventor: 金俊亨

    CPC classification number: G02F1/167 G02F1/133305 G02F1/133377

    Abstract: 本发明提供了一种电泳显示器,该电泳显示器包括:包括第一电极的第一基板;包括第二电极的第二基板,其中第二电极设置得面对第一电极;一个以上的凝胶体构件,划分形成在第一电极和第二电极之间的多个空间;以及包括多个带电颗粒的流体,设置在多个空间内。本发明的实施例提供了一种具有改善的柔性的电泳显示器。

    用于在不同的专用网的网络设备之间支持通信的网关

    公开(公告)号:CN1525711A

    公开(公告)日:2004-09-01

    申请号:CN200410007314.0

    申请日:2004-01-21

    Inventor: 金俊亨

    CPC classification number: H04L61/2535 H04L12/4633 H04L12/4641 H04L29/12424

    Abstract: 公开了一种根据本地对本地隧道启动协议(HTIP),用于支持在连接到不同专用网的网络设备之间通信的网关。当从连接到第一专用网的主机接收到对连接到公共网络的第二专用网的隧道建立请求消息时,属于网关的控制单元的HTIP处理器与第二专用网的网关通信,协商必需的信息以建立VPN隧道。如果专用网具有相同的网络地址,或专用网的网络地址被包括在另一个的网络地址中,则生成新的网络地址表,使在VPN隧道中这两个专用网使用不同的网络地址。数据分组基于新的网络地址表来变换地址,从而转送该变换的地址。在本地网络中的用户可以利用更大范围的网络,可以经由各种各样的社区积极地参与。还解决了IPv4类型的公共IP地址短缺的问题。

    垂直存储器装置
    37.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112349725B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202010512608.8

    申请日:2020-06-08

    Abstract: 提供了一种垂直存储器装置,所述垂直存储器装置包括:基底,具有单元区、位于单元区的相对侧上的贯穿通孔区以及围绕单元区和贯穿通孔区的模制件区;栅电极,沿着与基底的上表面垂直的第一方向彼此间隔开,并且在与基底的上表面平行的第二方向上延伸;沟道,在单元区上沿第一方向延伸,并且延伸穿过堆叠的栅电极的至少一部分;以及第一模制件,包括在模制件区上沿着第一方向交替地且重复地堆叠的第一层和第二层,第一层和第二层包括彼此不同的绝缘材料,并且第一模制件的每个第二层与栅电极中的对应的栅电极位于相同的高度处且接触。

    半导体存储器件和包括其的电子系统

    公开(公告)号:CN119521672A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411164330.4

    申请日:2024-08-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件和包括其的电子系统,该半导体存储器件可以包括:单元基板,包括第一表面和与第一表面相反的第二表面;以及着落图案,包括第三表面和与第三表面相反的第四表面,着落图案在水平方向上与单元基板间隔开。半导体存储器件可以包括:多个栅电极,依次堆叠在第一表面和第三表面上;在单元基板上的沟道结构,沟道结构垂直地延伸并与所述多个栅电极交叉;上绝缘膜,覆盖第二表面和第四表面;在上绝缘膜上的输入/输出垫,输入/输出垫在垂直方向上与所述多个栅电极的至少一部分重叠;以及支撑接触,延伸穿过上绝缘膜并连接着落图案和输入/输出垫。

    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统

    公开(公告)号:CN119486127A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411030065.0

    申请日:2024-07-30

    Abstract: 提供一种半导体器件和数据存储系统。该半导体器件包括:外围电路结构;堆叠结构,与外围电路结构竖直地重叠;以及分离结构,穿透堆叠结构。堆叠结构包括通过分离结构的第一部分彼此间隔开的多个块,多个块中的每一个包括沿竖直方向交替地堆叠的绝缘层和导电层,并且多个块包括第一块、以及设置在第一块之中彼此相邻的第一块之间的多个电容器块。

    三维半导体存储器件
    40.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110600481B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201910241621.1

    申请日:2019-03-28

    Abstract: 提供了一种三维半导体存储器件。所述三维半导体存储器件包括:设置在基底上并且在垂直于基底的表面的方向上堆叠的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构,第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构包括彼此间隔地堆叠的栅电极;穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构并被第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构围绕的贯穿区域;以及穿过第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构的垂直沟道结构,其中,第一栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第一接触焊盘,第二栅极堆叠结构具有与贯穿区域相邻并且被布置成阶梯形状的第二接触焊盘,第二接触焊盘中的至少一部分第二接触焊盘在贯穿区域的一侧与第一接触焊盘交叠。

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