公开(公告)号：CN106883380A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611079474.5

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南沇希 ,  金瑆焕 ,  金旼秀 ,  朴惟廷 ,  郑瑟基

IPC: C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  C09D165/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/09

Abstract: 本发明涉及一种聚合物、有机层组合物及形成图案的方法。所述聚合物包含由化学式1表示的结构单元：其中Ar1及Ar2独立地为经取代或未经取代的苯环或包含两个至四个稠合的经取代或未经取代的苯环的芳环，A1及A2独立地为经取代或未经取代的芳环，其限制条件是A1及A2中的至少一者经氢可键结官能基取代，且A1的氢可键结官能基的数量与A2的氢可键结官能基的数量的总和大于或等于3，L为二价有机基，且＊为连接点。本发明的聚合物具有令人满意的溶解性特征以及优异的机械特征、耐蚀刻性及耐热性。[化学式1]所述化学式1与具体实施方式中所定义的相同。

公开(公告)号：CN105575775A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510426921.9

申请日：2015-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  宋炫知 ,  姜善惠 ,  金成旻 ,  金瑆焕 ,  金永珉 ,  金润俊 ,  金惠廷 ,  南沇希 ,  白载烈 ,  尹星莉 ,  尹龙云 ,  李忠宪 ,  郑瑟基 ,  赵妍熹 ,  洪承希 ,  黄善民 ,  黄元宗 ,  李松世 ,  金命九 ,  刘奈莉

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  G03F1/46 ,  G03F1/76 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。

公开(公告)号：CN104749880A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410642246.9

申请日：2014-11-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 南沇希 ,  金惠廷 ,  金相均 ,  金瑆焕 ,  金润俊 ,  文俊怜 ,  宋炫知

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明提供一种硬掩膜组合物和使用硬掩膜组合物形成图案的方法。所述硬掩膜组合物包含聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。[化学式1]在以上化学式1中，A和B与本说明书中所定义的相同。