光传感器及使用其的显示装置
    36.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118575605A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202380017296.5

    申请日:2023-03-10

    Abstract: 本发明的课题在于提供红色光的光电转换效率高的、用于取得生物体信息的光传感器,为了解决该课题,提出了含有具有下述通式(1)表示的结构的化合物的、用于取得生物体信息的光传感器。下述通式(1)中,R1及R6可以相同,也可以不同,表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或杂芳基;R2及R5为氢原子;R3及R4可以相同,也可以不同,表示芳基或杂芳基。R7表示烷基、烷氧基或芳基氧基;R8~R11可以相同,也可以不同,表示氢原子、烷基、环烷基、烷氧基、芳基氧基、芳基、杂芳基或与相邻取代基之间形成的稠环;X1及X2可以相同,也可以不同,表示烷基、芳基、烷氧基、芳基氧基、卤素原子或氰基。#imgabs0#

    化合物、有机EL元件、显示装置及照明装置

    公开(公告)号:CN118434733A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202280066808.2

    申请日:2022-10-04

    Abstract: 本发明的目的是提供能够得到耐热性优异并且发光效率及耐久寿命优异的有机EL元件的化合物。本发明为具有下述通式(1)表示的结构的化合物。通式(1)中,R1~R6各自独立地为氢原子或烷基。其中,R1~R6中的至少2个为烷基。X为氢原子、取代或未取代的芳基或杂芳基。其中,这些基团被取代的情况下的取代基为烷基。Y为联苯基、三联苯基、四联苯基、或L‑Z。其中,L为选自下述连接基团的2价连接基团,在*的位置进行键合。Z为取代或未取代的萘基、菲基、芘基、荧蒽基、三亚苯基、二甲基芴基、二苯基芴基、螺二芴基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、联吡啶基、三联吡啶基、喹啉基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或菲咯啉基。#imgabs0#

    化合物、有机薄膜发光元件、显示装置及照明装置

    公开(公告)号:CN114746402A

    公开(公告)日:2022-07-12

    申请号:CN202080082975.7

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 可通过下述通式(1)所表示的化合物,提供一种发光效率及耐久寿命优异的有机薄膜发光元件。(通式(1)中,X1~X3中的任一者为氮原子,除此以外为次甲基。L1为经取代或未经取代的亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、亚四联苯基、二甲基亚芴基、二苯基亚芴基或螺二亚芴基。其中,这些基经取代时的取代基为烷基或烷氧基。A为菲基、芘基、二甲基芴基、二苯基芴基或螺二芴基。)

    包含吡咯亚甲基硼络合物的发光元件材料、发光元件、显示装置及照明装置

    公开(公告)号:CN114364686A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202080063315.4

    申请日:2020-10-28

    Abstract: 本发明提供一种包含通式(1)所表示的吡咯亚甲基硼络合物的发光效率高的发光元件材料及发光元件。X1及X2分别可相同也可不同,且选自由烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、羟基、硫醇基、烷氧基、环烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、杂芳基、卤素及氰基所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。Ar1~Ar4分别可相同也可不同,是经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。这些芳基及杂芳基可为单环也可为稠环。其中,在Ar1及Ar2中的一者或两者为单环的情况下,所述单环具有一个以上的二级烷基、一个以上的三级烷基、一个以上的芳基或一个以上的杂芳基作为取代基,或者具有合计两个以上的甲基与一级烷基作为取代基。R1及R2分别可相同也可不同,是经取代或未经取代的烷基、经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基。R3~R5分别可相同也可不同,且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基、硅烷基及与邻接基之间的环结构所组成的群组中。这些官能基可进一步具有取代基。R6及R7分别可相同也可不同,且选自由氢原子、烷基、环烷基、杂环基、烯基、环烯基、炔基、芳基、杂芳基、羟基、硫醇基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、卤素、氰基、醛基、酰基、羧基、酯基、酰胺基、磺酰基、磺酸酯基、磺酰胺基、氨基、硝基及硅烷基所组成的群组中。其中,R6也可为通过在与Ar4之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构,R7也可为通过在与Ar3之间一个或两个原子进行共价键结而形成的交联结构。这些官能基可进一步具有取代基。

    半导体传感器及其制造方法、以及复合传感器

    公开(公告)号:CN109844530A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201780063515.8

    申请日:2017-10-13

    Abstract: 半导体传感器,其用于选择性且高灵敏度地检测靶标物质,所述半导体传感器具有基板、第1电极、第2电极、和设置于第1电极与第2电极之间的半导体层,半导体层包含半导体成分、和免疫球蛋白的部分结构体,免疫球蛋白的部分结构体在重链的铰链区介由连接基团L1而结合或附着于半导体成分。以及,半导体传感器的制造方法,其中,形成半导体层的工序包括在第1电极与第2电极之间涂布半导体成分的工序。

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