公开(公告)号：CN107623026B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN107615492B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201680030119.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  秋叶敦也 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。

公开(公告)号：CN105981173B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN109075196A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201680082465.3

申请日：2016-12-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  青井佐智子 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。

公开(公告)号：CN108292668A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680060502.0

申请日：2016-09-16

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 熊泽辉显 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/417 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法，其包括形成层间绝缘。层间绝缘膜包括第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层覆盖每个栅极电极的上表面。所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上。在所述层间绝缘膜中沟槽之间的位置处设置有接触孔。然后，在低于所述第一绝缘层的软化温度且高于所述第二绝缘层的软化温度的温度下加热所述层间绝缘膜，以使所述第二绝缘层的表面成为曲面，从而使得所述第二绝缘层的端部的表面从对应的接触孔起倾斜，以便朝向对应的沟槽的中央向上移位。

公开(公告)号：CN107623026A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710551971.9

申请日：2017-07-07

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 安田佳史 ,  永冈达司 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。

公开(公告)号：CN107004725A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580068085.X

申请日：2015-10-19

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  三宅裕树 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872

Abstract: SBD具备与阳极电极接触的p型接触区和与阳极电极肖特基接触的n型漂移区。p型接触区具备：第一p型区域，其具有角部；第二p型区域，其与角部连接；边缘填充部，其被配置在第一p型区域与第二p型区域的连接部处。在将第一p型区域的轮廓的向连接部侧延长的延长线设为第一延长线，并将第二p型区域的轮廓的向所述连接部侧延长的延长线设为第二延长线时，第一延长线与第二延长线以锐角交叉。边缘填充部填充被形成在第一延长线与第二延长线之间的锐角边缘。

公开(公告)号：CN106537602A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039069.8

申请日：2015-06-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 添野明高 ,  青井佐智子 ,  宫原真一朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734

Abstract: 实现具有与底部绝缘层的下端部相接的p型区域的开关元件的高耐压特性。具有配置于沟槽部绝缘层(20)靠表面侧的位置的栅极电极(24)的开关元件。半导体基板(12)具有与栅极绝缘膜(22)相接的第一n型区域(30)、与栅极绝缘膜(22)相接的第一p型区域(32)、与底部绝缘层(20)的端部相接的第二p型区域(34)、以及使第二p型区域(34)与第一p型区域(32)分离的第二n型区域(36)。从第一p型区域(32)的背面侧端部到第二p型区域(34)的表面侧端部为止的距离A与从底部绝缘层(20)的背面侧端部到第二p型区域(34)的背面侧端部为止的距离B满足A＜4B的关系。(18)内的底部的底部绝缘层(20)和配置于比底

公开(公告)号：CN105981173A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075197.3

申请日：2014-10-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  斋藤顺 ,  添野明高 ,  滨田公守 ,  水野祥司 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，具有：终端沟槽，其围绕形成有多个栅极沟槽的区域的周围一周；下端p型区，其为p型，并与终端沟槽的下端相接；外周p型区，其为p型，并从外周侧与终端沟槽相接，且露出于半导体基板的表面；多个保护环区，其为p型，并被形成在与外周p型区相比靠外周侧，且露出于半导体基板的表面；外周n型区，其为n型，并使外周p型区与多个保护环区分离，且使多个保护环区相互分离。

公开(公告)号：CN105590962A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510717810.3

申请日：2015-10-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 松木英夫 ,  榊原纯 ,  青井佐智子 ,  渡辺行彦 ,  小野木淳士

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7397

Abstract: 碳化硅半导体装置包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及周边高击穿电压结构。源区域具有第一凹部。沟槽从第一凹部的底部延伸。栅绝缘膜具有延伸部，延伸部的形状顺着第一凹部的形状。栅极的表面定位成齐平于或者低于延伸部的上表面。