公开(公告)号：CN101542739B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780043294.4

申请日：2007-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种具有良好工作性能的碳化硅半导体装置及其制造方法。通过对提供在4H-SiC衬底(10)上的初始生长层(11)的表面进行Si膜覆盖的退火，从而形成扩大的台阶表面。然后在初始生长层(11)上外延生长新生长层(21)。在扩大的台阶表面上生长在低温稳定的多型体3C-SiC部(21a)，并且在其它区域上生长4H-SiC部(21b)。选择性地去除3C-SiC部(21a)同时使4H-SiC部(21b)保留不被去除，从而形成沟槽(Tr)。在沟槽(Tr)内形成UMOSFET栅电极(27)。可以将UMOSFET中的沟道区调节为低指数面，并且可以实现具有高沟道迁移率级和良好工作性能的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN101783284A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN201010002025.7

申请日：2010-01-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐佐木信 ,  原田真

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法。该SiC衬底(10)包括如下步骤：制备具有主表面并且由SiC制成的基体衬底；使用第一碱性溶液清洗主表面；以及在利用第一碱性溶液进行清洗的步骤之后，使用第二碱性溶液清洗主表面。SiC衬底具有主表面(11)，并且主表面(11)上的残留物的平均数等于或大于0.2并且小于200。

公开(公告)号：CN101663741A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200880013119.5

申请日：2008-10-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/04 ,  H01L29/201 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/047 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/812

Abstract: 由六方晶系的SiC构成的衬底被制备成使得其主表面处于在该主表面和与(0001)面垂直的面之间的最小角度为一度以下的方向上，例如，在主表面和与(0001)面垂直的[0001]方向之间的最小角度为一度以下的方向上。在通过前述方法制备的衬底的一个主表面上形成横向半导体器件。因而，可以相对于其中由六方晶系的SiC构成的衬底的主表面处于沿着(0001)方向的方向上的横向半导体器件，可以显著提高击穿电压的值。

公开(公告)号：CN101542739A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780043294.4

申请日：2007-11-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  增田健良

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供了一种具有良好工作性能的碳化硅半导体装置及其制造方法。通过对提供在4H－SiC衬底(10)上的初始生长层(11)的表面进行Si膜覆盖的退火，从而形成扩大的台阶表面。然后在初始生长层(11)上外延生长新生长层(21)。在扩大的台阶表面上生长在低温稳定的多型体3C－SiC部(21a)，并且在其它区域上生长4H－SiC部(21b)。选择性地去除3C－SiC部(21a)同时使4H－SiC部(21b)保留不被去除，从而形成沟槽(Tr)。在沟槽(Tr)内形成UMOSFET栅电极(27)。可以将UMOSFET中的沟道区调节为低指数面，并且可以实现具有高沟道迁移率级和良好工作性能的碳化硅半导体器件。

公开(公告)号：CN100470741C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200580002806.3

申请日：2005-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤川一洋 ,  原田真

IPC: H01L21/337 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种结型场效应晶体管(20)，包括具有沟道区的n型半导体层(1)、在沟道区上形成的缓冲层(3)，以及在缓冲层(3)上形成的p+区(4a，4b)。缓冲层(3)中的电子浓度低于半导体层(1)中的电子浓度。优选地是，使缓冲层(3)中的电子浓度不超过半导体层(1)中电子浓度的十分之一。由此，可以容易地控制阈值电压，并且可以容易地控制沟道的饱和电流密度。

公开(公告)号：CN100370626C

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200410075244.2

申请日：2000-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7722 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。

公开(公告)号：CN1577896A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410075244.2

申请日：2000-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7722 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种SiC制的横向JFET，它使用n型SiC衬底，包括具有迁移率高的载流子的沟道区，成品率高。该横向JFET包括：n型SiC衬底(1n)；p型SiC膜(2)，被形成在n型SiC衬底的正面上；n型SiC膜(3)，被形成在p型SiC膜上，包含沟道区(11)；源区、漏区(22，23)，被分别形成在该n型SiC膜上的、沟道区的两侧；以及栅极(14)，与n型SiC衬底相接来设置。

公开(公告)号：CN1423836A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN00818361.9

申请日：2000-09-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  弘津研一 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L27/095 ,  H01L29/778 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/0843 ,  H01L29/1058 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/66909 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/808 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种面结型场效应晶体管及其制造方法,可以得到以低损失、能作高耐压及大电流切换动作的偏差少的面结型场效应晶体管(JFET)。该JFET包括:第二导电型的栅极区域(2),其设在半导体基片的表面；第一导电型的源极区域(1)；第一导电型的通道区域(10),其与源极区域连接；第二导电型的限定区域(5),其与栅极区域连接,限定通道区域；第一导电型的漏极区域(3),其设在背面；第一导电型的漂移区域(4),其从通道向漏极在基片的厚度方向上连续。漂移区域和通道区域的第一导电型杂质的浓度低于源极区域、漏极区域的第一导电型杂质浓度及限定区域的第二导电型杂质的浓度。

公开(公告)号：CN107109694B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201580069705.1

申请日：2015-12-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  堀勉 ,  佐佐木将 ,  岸田哲也

IPC: C30B29/36 ,  C23C14/06 ,  C23C14/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C30B23/06 ,  H01L21/205

Abstract: 一种晶体生长装置(50)，其包含：腔室(20)，所述腔室(20)包含进气口(21)、排气口(22)、焊接部、和被构造成能够用水冷却至少包括所述焊接部的部分的水冷部；与所述排气口(22)连接的排气泵(30)；配置在所述排气口(22)与所述排气泵(30)之间的露点仪(40)，并且所述露点仪(40)被构造成能够测定通过所述排气口(22)的气体的露点。

公开(公告)号：CN102686787B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201180005010.9

申请日：2011-10-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田真 ,  本家翼

IPC: C30B29/36 ,  C30B23/06 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7802 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  G01N21/6489 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述区域的数目至多为每1cm21×104，该区域在与偏离方向垂直的方向上具有至多15μm的尺寸并且在平行于偏离方向的方向上具有不大于通过将激发光（LL）在六方碳化硅中的穿透长度除以偏离角的正切获得的值的尺寸。因此，能够减少反向漏电流。