公开(公告)号：WO2007029655A1

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：PCT/JP2006/317474

申请日：2006-09-04

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  川口靖利 ,  森勇介 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

Inventor： 北岡康夫 ,  峯本尚 ,  川口靖利 ,  森勇介 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B29/403

Abstract: 　成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。 　液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１つのＩＩＩ族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。

Abstract translation: 可以在短时间内生长获得改善的生长速度的六方氮化物单晶和高质量的大晶体的方法; 和通过该方法获得的六方氮化物单晶。 该方法的特征在于通过液相外延在平面晶种衬底的每一侧同时生长六方晶氮化物单晶。 晶体生长优选在将晶种衬底设置在包括选自镓，铝和铟的至少一种III族元素的熔体中，同时将包含碱金属和碱土金属中的至少一种的焊剂， 和氮气，使得晶种基板的两侧与熔体接触。

公开(公告)号：WO2005064661A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/JP2004/019249

申请日：2004-12-22

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  森勇介 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  木戸口勲 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

Inventor： 森勇介 ,  北岡康夫 ,  峯本尚 ,  木戸口勲 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

IPC: H01L21/208

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02625

Abstract: In an atmosphere containing nitrogen, a flux containing at least one group III element selected from Ga, Al and In and an alkali metal is caused to contain Mg, and a group III nitride crystal is grown in the resulting flux, thereby forming a group III nitride substrate. Since Mg is a p-type dopant material for the group III nitride crystal, the crystal can still exhibit p-type or semi-insulating electrical characteristics even when Mg is mixed into the crystal. Consequently, mixing of Mg causes no problem in application of the group III nitride crystal to an electronic device. By having the flux contain Mg, the amount of nitrogen dissolved in the flux is increased. Consequently, a crystal can be grown at a high growth rate, thereby improving reproducibility of crystal growth.

Abstract translation: 在含氮气氛中，含有选自Ga，Al，In中的至少一种III族元素的助熔剂和碱金属含有Mg，在所得助焊剂中生长III族氮化物晶体，形成III族 氮化物衬底。 由于Mg是用于III族氮化物晶体的p型掺杂剂材料，所以即使将Mg混入晶体中，晶体仍然可以呈现p型或半绝缘电特性。 因此，Mg的混合对于将III族氮化物晶体应用于电子器件没有问题。 通过使助熔剂含有Mg，溶解在助熔剂中的氮的量增加。 因此，可以以高生长速度生长晶体，从而提高晶体生长的再现性。

公开(公告)号：TWI397119B

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：TW093116695

申请日：2004-06-10

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. ,  森勇介 ,  MORI, YUSUKE

Inventor： 中田成二 ,  NAKAHATA, SEIJI ,  弘田龍 ,  HIROTA, RYU ,  石橋惠二 ,  ISHIBASHI, KEIJI ,  佐佐木孝友 ,  SASAKI, TAKATOMO ,  森勇介 ,  MORI, YUSUKE

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/321

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/30612

公开(公告)号：TWI380479B

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：TW094113091

申请日：2005-04-25

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  中田成二 ,  弘田龍

IPC: H01L

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本發明係有關一種III族氮化物結晶之製造方法，其係含有準備結晶種(10)之步驟，及藉液相法使第1之III族氮化物結晶(21)成長於結晶種(10)上之步驟；其特徵在於：使第1之III族氮化物結晶(21)成長於結晶種(10)上之步驟，係平行於結晶種(10)主面(10h)之方向的結晶成長速度VH乃大於垂直於結晶種(10)主面(10h)之方向的結晶成長速度VV。藉由上述製造方法可得到平行於結晶種(10)主面(10h)之面的錯位密度為低至5×106個/cm2以下之III族氮化物結晶。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关一种III族氮化物结晶之制造方法，其系含有准备结晶种(10)之步骤，及藉液相法使第1之III族氮化物结晶(21)成长于结晶种(10)上之步骤；其特征在于：使第1之III族氮化物结晶(21)成长于结晶种(10)上之步骤，系平行于结晶种(10)主面(10h)之方向的结晶成长速度VH乃大于垂直于结晶种(10)主面(10h)之方向的结晶成长速度VV。借由上述制造方法可得到平行于结晶种(10)主面(10h)之面的错位密度为低至5×106个/cm2以下之III族氮化物结晶。

公开(公告)号：WO2008117571A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：PCT/JP2008/051894

申请日：2008-01-30

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  森勇介 ,  市村幹也 ,  今井克宏 ,  平尾崇行 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

Inventor： 森勇介 ,  市村幹也 ,  今井克宏 ,  平尾崇行 ,  佐々木孝友 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02

CPC classification number: C30B19/02 ,  C30B9/12 ,  C30B29/403

Abstract: 育成容器内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液に種結晶基板を浸漬し、この種結晶基板の育成面上に窒化物単結晶を育成する。温度Ｔ１（Ｋ）および圧力Ｐ１（ＭＰａ）で前記融液に窒素を溶解させるための予備工程、および温度Ｔ２（Ｋ）および圧力Ｐ２（ＭＰａ）で前記種結晶基板の前記育成面上に窒化物単結晶を成長させる本育成工程を備える。Ｐ１、Ｐ２、Ｔ１、Ｔ２が関係式（１）、（２）および（３）を満足する。Ｔ２−１０　≦　Ｔ１　≦　Ｔ２＋６０・・・・・・（１）Ｐ２−０．５　≦　Ｐ１　≦　Ｐ２＋５．０・・・・・・（２）Ｐ１≧１．１×Ｐ２×（Ｔ１／Ｔ２） ０．５ exp［（Ｅ／ｋ）・［（１／Ｔ１）−（１／Ｔ２）］］・・・・・・・（３）

Abstract translation: 将晶种基板浸渍在含有助熔剂和单晶原料的熔体中，在生长容器中浸渍，并且在籽晶基板的生长面上生长氮化物单晶。 该方法包括在温度T1（K）下在压力P1（MPa）下将氮溶解在上述熔体中的准备步骤和用于在温度T2（K）下在籽晶基材的生长表面上生长氮化物单晶的主要生长步骤 ）在压力P2（MPa）下。 这些P1，P2，T1和T2满足公式：T2-10 = T1 = T2 + 60（1）P2-0.5 = P1 = P2 + 5.0（2），P1 = 1.1×P2​​×（T1 / T2） SUP> 0.5

公开(公告)号：WO2007122949A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/JP2007/055785

申请日：2007-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  豊田合成株式会社 ,  岩井真 ,  下平孝直 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎

Inventor： 岩井真 ,  下平孝直 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  山崎史郎

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024

Abstract: 易酸化性物質を含むフラックス７を使用して窒化物単結晶を育成する装置は、フラックス７を収容するためのルツボ１、ルツボ１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器２０、圧力容器２０内かつルツボ１外に配置されている炉材１５Ａ、１５Ｂ、炉材に取り付けられているヒーター１７、１８、および炉材を被覆する耐アルカリ性かつ耐熱性の金属層１６Ａ、１６Ｂを備えている。

Abstract translation: 公开了一种通过使用含有易氧化物质的焊剂（7）来生长氮化物单晶的装置。 该装置包括用于容纳焊剂（7）的坩埚（1），用于容纳坩埚（1）的压力容器（20），并且填充有至少包含氮气的气氛，排出的炉构件（15A，15B） 在压力容器（20）中的坩埚（1）外部，固定到炉构件的加热器（17,18）以及覆盖炉构件的耐碱的耐热金属层（16A，16B）。

公开(公告)号：WO2007122866A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/JP2007/053857

申请日：2007-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

Inventor： 今井克宏 ,  岩井真 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406

Abstract: 易酸化性物質を含む原料混合物を秤量し、非酸化性雰囲気中に設置した反応容器１内で原料混合物を溶融および固化させることによって固化物１９を生成させ、反応容器１および固化物１９を、結晶育成装置内で非酸化性雰囲気下で加熱および溶融させることによって溶液を生成させ、この溶液から単結晶を育成する。

Abstract translation: 称量含有易氧化物质的原料混合物。 将原料混合物在放置在非氧化性气氛中的反应容器（1）中熔融固化，生成固化物质（19）。 将反应容器（1）和固化物（19）在非氧化性气氛中在晶体生长装置中加热，使物质（19）熔融，从而得到溶液。 从该溶液生长单晶。

公开(公告)号：WO2007122865A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：PCT/JP2007/053853

申请日：2007-02-22

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  市村幹也 ,  今井克宏 ,  井原爾史 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

Inventor： 市村幹也 ,  今井克宏 ,  井原爾史 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B11/06

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 育成容器７内でフラックスおよび単結晶原料を含む融液１０中に種結晶９を浸漬し，この種結晶９上に窒化物単結晶８を製造する。融液１０の気液界面１４における温度（ＴＳ）と融液の底部における温度（ＴＢ）との差（ＴＳ−ＴＢ）を１℃以上、８℃以下とする。好ましくは単結晶基板９を縦に置く。

Abstract translation: 在生长容器（7）中将晶种（9）浸渍在包含助熔剂和单晶材料的熔体（10）中，并且在籽晶（9）上形成氮化物的单晶（8） ）。 熔体（10）的气液界面（14）的温度（TS）与熔体底部的温度（TB）之差（TS-TB）为1℃以上，但不高 超过8°C。 优选地，单晶衬底（9）被垂直放置。

公开(公告)号：WO2007108338A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/JP2007/054738

申请日：2007-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  岩井真 ,  東原周平 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

Inventor： 岩井真 ,  東原周平 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00

CPC classification number: C30B9/00 ,  C30B29/403 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1096

Abstract: 易酸化性物質を含む育成溶液７を使用して窒化物単結晶を育成する。育成溶液７を収容するためのルツボ１、ルツボ１を収容し、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気を充填するための圧力容器、および圧力容器内かつルツボ１外に配置されている酸素吸収材１４、１５を使用し、窒化物単結晶を育成することを特徴とする。

Abstract translation: 使用含有易氧化物质的生长溶液（7）来生长氮化物单晶。 该方法的特征在于：使用：用于容纳生长溶液（7）的坩埚（1）生长氮化物单晶; 其中放置坩埚（1）并且填充有包含氮气的气氛的压力容器; 和设置在压力容器内部和坩埚（1）外部的氧吸收材料（14）和（15）。

公开(公告)号：WO2006070749A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：PCT/JP2005/023798

申请日：2005-12-26

Applicant: 松下電器産業株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  北岡康夫 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  川原実

Inventor： 北岡康夫 ,  佐々木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗 ,  川原実

IPC: C30B29/36 ,  C30B9/10 ,  C01B31/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/1088

Abstract: 　低コストで大型の炭化珪素（ＳｉＣ）単結晶を製造可能な製造方法を提供する。 　アルカリ金属フラックス中において、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）とを溶解し、これらを反応させることにより、炭化珪素単結晶を生成又は成長させる。前記アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）が好ましい。この方法によれば、例えば、１５００°C以下の低温条件であっても、炭化珪素単結晶が製造可能である。本発明の方法により得られる炭化珪素単結晶の一例を、図３（Ｂ）の写真に示す。

Abstract translation: 公开了一种以低成本制造大尺寸碳化硅（SiC）单晶的方法。 具体地，通过在碱金属助熔剂中使硅（Si）和碳（C）熔融和反应来生产或生长碳化硅单晶。 优选锂（Li）作为碱金属。 通过该方法，可以在低温条件下例如在1500℃以下制造碳化硅单晶。 通过该方法获得的碳化硅单晶的一个实例在图1的照片中示出。 图3（B）。