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公开(公告)号：CN108962815B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810780383.7
申请日：2018-07-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种SOI材料的制备方法，涉及半导体材料的制备方法。包括以下步骤：1)在表面覆有SiO2的硅片A中注入低熔点金属离子，形成金属离子富集层；2)将离子注入后的硅片与另一支撑硅片B进行亲水键合；3)将键合后的硅片A、B放入退火炉进行两个阶段热处理；4)对SOI结构进行抛光工艺获取所需镜面状结构。本发明利用离子注入造成金属离子富集层的体积膨胀，引起晶格结构的破坏和相应化学键的断裂，从而造成晶格强度降低；选择合适的热处理过程，使硅片的上表层硅膜转移到另一硅片上，有效降低了硅片分离界面的粗糙度，可获得高质量的SOI结构材料。
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公开(公告)号：CN110491826A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910703731.5
申请日：2019-07-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体单晶薄膜层的转移方法及单晶GaAs-OI复合晶圆的制备方法，包括：在第一衬底上制备石墨过渡层；在石墨过渡层上生长化合物半导体单晶薄膜层；在化合物半导体单晶薄膜层上制备第一介质层；在第二衬底上制备第二介质层；通过第一介质层和第二介质层的键合，使第一衬底和第二衬底相结合；施加一个横向的外部压力，使化合物半导体单晶薄膜层与第一衬底在石墨过渡层处横向分裂，将化合物半导体单晶薄膜层转移到第二衬底上。本发明可将外延生长的高质量化合物半导体单晶薄膜层通过介质层键合的方式转移到Si基衬底上，可以实现高质量、大面积、低成本化合物半导体单晶薄膜层在SOI衬底上的制备。
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公开(公告)号：CN109935546A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910316243.9
申请日：2019-04-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/12 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/58
Abstract: 本发明公开一种SOI衬底的结构包括：第一Si片和第二Si片，采用热氧化的方法对第一Si片进行氧化，得到一层氧化层，对第一Si片的氧化层进行刻蚀，形成带有沟道的氧化层；然后对第二Si片片注入氢，将第一Si片a和第二Si片b进行键合，并减薄顶层第二Si片的厚度，形成SOI衬底。本发明还提供一种SOI衬底结构的制备方法。可以有效减小传统SOI衬底中固定正电荷产生的电场对外延生长的影响，并提高BOX埋层的热导率。
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公开(公告)号：CN108878458A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810731790.9
申请日：2018-07-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了SOI基单片横向集成PHEMT和MOSFET的外延结构及制备方法，该外延结构由横向集成在同一SOI衬底上的多个GaAs基PHEMT和多个MOSFET构成；制备方法为：在SOI衬底基础上生长GaAs层，再在GaAs层上依次生长各层得到PHEMT，然后再经过图案化，在SOI衬底上形成PHEMT外延结构区和SOI表面Si层，在露出的SOI表面Si层区域，生长MOSFET结构；经过相应的外延和材料沉积工艺，可以达到单片横向集成SOI基PHEMT和MOSFET器件的目的。本发明可用于5G通讯中将功放器件和模拟器件实现单芯片集成。
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公开(公告)号：CN102820608A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210275373.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于超连续谱光源激励生成中红外超连续谱激光的方法，涉及激光光电子技术领域，具体包括：对种子源激光器进行功率放大，并产生波长范围为1000~2300nm的超连续谱激光；用所产生的超连续谱激光作为激励源，产生波长为2000~5000nm的中红外超连续谱激光输出。本发明所要解决的技术问题是提供一种基于超连续谱光源激励生成中红外超连续谱激光的方法，用以实现高功率以及高耦合效率的中红外超连续谱激光输出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115189212A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210806592.0
申请日：2022-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种相干阵光纤激光器结构，包括沿光路方向依次设置的多个泵浦光源、光纤合束器、高反光栅、有源光纤、低反光栅、无源介质层、增透膜、模式选择层和反射层；高反光栅、有源光纤和低反光栅构成第一谐振腔，第一谐振腔、无源介质层、增透膜、模式选择层和反射层构成第二谐振腔。本发明的有源光纤吸收泵浦光并产生激光入射到无源介质层，通过无源介质层和模式选择层对输出激光进行模式选择和外腔反馈，得到高效注入锁定和同相模式输出，从而提高注入反馈和模式锁定能力，实现同相模式相干阵列光纤激光输出。
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公开(公告)号：CN114284858B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111641969.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/0234 , H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种同面电极VCSEL芯片的微通道水冷结构，同面电极VCSEL芯片的P电极和N电极位于衬底的同一侧，且通过隔离沟道相隔开；微通道水冷结构，包括：第一热沉、绝缘层和第二热沉；第一热沉的一端与P电极相导通、另一端设有第一接线柱；第二热沉的一端与N电极相导通、另一端设有第二接线柱；第一热沉与第二热沉之间设有绝缘层，绝缘层的一端插入隔离沟道内；第一热沉、绝缘层和第二热沉内设有连通的冷却通道，第二热沉上设有入水口和出水口，入水口和出水口设置在冷却通道的两端。本发明将微通道水冷热沉结构与倒装焊相结合，可同时实现同面电极VCSEL芯片的水冷散热和供电。
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公开(公告)号：CN114188815B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111498665.6
申请日：2021-12-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种相干阵激光器的无透镜聚焦装置及方法，包括：相干阵激光器、二元光学微结构基底和二元光学微结构；二元光学微结构通过二元光学微结构基底设置在相干阵激光器的输出端上，二元光学微结构的结构微元、二元光学微结构基底的结构微元基底和相干阵激光器的激光单元上下相对应，在相位调制结构阵列后得到聚焦光束。本发明利用二元光学微结构，使阵列光束产生相位延迟，实现无透镜聚焦效果；同时，本发明的二元光学微结构采用半导体工艺技术制备在芯片上，消除了传统透镜制造工艺复杂、尺寸大、重量大的局限以及外搭光路造成的误差；结构简洁，制备工艺简单便宜，实现方便。
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公开(公告)号：CN114300943A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111655783.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种电吸收主动调制自发脉冲式光子级联半导体激光器及制备方法，衬底的一侧依次形成有掺杂镧系稀土元素的泵浦源VCSEL半导体激光外延结构、第一反射层；衬底的另一侧依次形成有电吸收调制结构、第二反射层。本发明利用泵浦源VCSEL输出某波长特定激光泵浦，使掺杂在VCSEL有源区下方的镧系稀土元素掺杂层内稀土粒子能级发生粒子数反转，光致发光，形成光子级联，其产生的新波长光在第二波长谐振腔内振荡，并由电吸收调制结构进行主动调制。
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公开(公告)号：CN114300941A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111655733.5
申请日：2021-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种自发脉冲式光子级联半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域，包括：自下而上依次设置的第二谐振腔下反射结构、半导体可饱和吸收体调制结构、掺杂有镧系稀土元素的泵浦用VCSEL激光外延结构、衬底和第二谐振腔上反射结构；泵浦用VCSEL激光外延结构产生第一波长激光泵浦，使掺杂的镧系稀土离子光致发出第二波长光，第二波长光在第二谐振腔上、下反射结构之间振荡，同时，半导体可饱和吸收体调制结构对第二波长光进行调制，最终输出第二波长激光脉冲。本发明将半导体可饱和吸收体同全反射结构DBR结合，制备于VCSEL片上结构中，从而得到高峰值功率脉冲输出的光子级联激光器。
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