用于单粒子效应试验的晶振
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116054776A

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN202211693644.4

    申请日:2022-12-28

    Abstract: 本发明属于振荡器技术领域,具体公开了一种用于单粒子效应试验的晶振。该用于单粒子效应试验的晶振包括石英振子、待辐射芯片以及表面贴装基座。所述待辐射芯片上设置有焊盘;所述表面贴装基座设置有容置腔和导线,所述容置腔内设置有连接端口;其中,所述石英振子和所述待辐射芯片通过第一导电件固定在所述容置腔内,且所述石英振子与所述待辐射芯片均铺设在所述容置腔并完全错位设置,所述石英振子和所述待辐射芯片通过导线连接,所述焊盘与所述连接端口通过键合丝连接。本发明可以使晶振内部的待辐射芯片完全暴露,可以方便地进行单粒子试验并测量试验数据,进而满足单粒子效应试验样品制作的需求。

    石英晶体谐振器的制备方法及石英晶体谐振器

    公开(公告)号:CN116015238A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211707819.2

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明属于谐振器的设计技术领域,具体公开了一种石英晶体谐振器的制备方法及石英晶体谐振器,该方法包括步骤S1:对石英晶片进行AT切割以形成预定形状的基板;步骤S2:根据所需所述石英晶体谐振器的工作频率计算所述基板所需腐蚀的厚度;步骤S3:在所述基板上表面和下表面中心位置对称设置所需腐蚀区域,并利用腐蚀工艺对所述腐蚀区域进行腐蚀,且所述腐蚀区域被腐蚀的厚度为所述步骤S2中计算得到的所述厚度;步骤S4:利用镀膜工艺,在所述腐蚀区域镀上振荡电极,并使得所述振荡电极与所述腐蚀区域的外边缘形成预定间隙,以制备得到所述石英晶体谐振器。本发明可以解决石英晶体谐振器难以达到200MHz以上高基频石英晶片的制作问题。

    一种抗辐照差分输出振荡芯片

    公开(公告)号:CN111064445B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201911347544.4

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本申请公开了一种抗辐照差分振荡芯片,包括起振模块、电源模块、锁相环模块、数字逻辑模块和输出模块;所述起振模块包含石英振子,产生基频振荡信号;所述电源模块,用于为其他模块供电;所述锁相环模块,用于将所述基频振荡信号锁相、倍频,产生高频信号;所述数字逻辑模块,用于产生控制信号控制锁相环模块的倍频倍数;所述输出模块,用于将所述高频信号变换为差分输出的方波;所述晶振模块中的电阻为多晶电阻、电容为金属电容;所述电源模块为二极管结构电路;所述芯片采用CMOS设计,其中的MOS管带有抗辐照隔离环。本申请满足航天器用差分晶振在抗辐照方面的要求。

    用于晶体振荡器的芯片贴装吸嘴及芯片贴装设备

    公开(公告)号:CN114375153A

    公开(公告)日:2022-04-19

    申请号:CN202111644740.5

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于晶体振荡器的芯片贴装吸嘴及芯片贴装设备。芯片贴装吸嘴包括安装部、吸嘴连接器、吸嘴主体部以及弹性套。其中,安装部内部设置有第一吸气孔;吸嘴连接器可拆卸地安装在安装部上,吸嘴连接器内部设置有第二吸气孔,第二吸气孔与第一吸气孔连通;吸嘴主体部固定连接于吸嘴连接器,吸嘴主体部背离吸嘴连接器的一端设置有硬质吸头,硬质吸头内部设置有第三吸气孔,第三吸气孔与第二吸气孔连通;弹性套套设于硬质吸头,且弹性套上设置有避让第三吸气孔的避让孔。该芯片贴装吸嘴及芯片贴装设备不仅可以减少晶振芯片出现损伤的现象,还可以将晶振芯片精确地贴装在指定位置。

    一种温补晶振调试夹具
    35.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112684216A

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN202011590204.7

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本发明涉及温补晶振的调试领域,特别是涉及了一种温补晶振调试夹具,该装置包括:调试基座101、调试电路板102、匹配电阻103、匹配电容104和调试探针105。该装置在电参数调试过程中能够精确调节温补晶振的频率温度稳定度电参数,实现温补晶振的频率温度稳定度电参数调节功能,提高了温补晶振调试的合格率,有利于快速进行温补晶振的频率温度稳定度电参数调试。

    一种抗辐照差分输出振荡芯片

    公开(公告)号:CN111064445A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911347544.4

    申请日:2019-12-24

    Abstract: 本申请公开了一种抗辐照差分振荡芯片,包括起振模块、电源模块、锁相环模块、数字逻辑模块和输出模块;所述起振模块包含石英振子,产生基频振荡信号;所述电源模块,用于为其他模块供电;所述锁相环模块,用于将所述基频振荡信号锁相、倍频,产生高频信号;所述数字逻辑模块,用于产生控制信号控制锁相环模块的倍频倍数;所述输出模块,用于将所述高频信号变换为差分输出的方波;所述晶振模块中的电阻为多晶电阻、电容为金属电容;所述电源模块为二极管结构电路;所述芯片采用CMOS设计,其中的MOS管带有抗辐照隔离环。本申请满足航天器用差分晶振在抗辐照方面的要求。

    一种石英晶片的电参数测试装置

    公开(公告)号:CN109633399A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811561611.8

    申请日:2018-12-20

    CPC classification number: G01R31/2601 G01R1/02

    Abstract: 本发明公开一种石英晶片的电参数测试装置,包括:底座及下电极支撑平台、上盖及上电极支撑平台、下电极板、上电极板、测试探针、操作手柄、复位弹簧、复位弹簧固定板、固定螺丝,所述的上盖及上电极支撑平台平放在底座及下电极支撑平台内的底面上,所述的上盖及上电极支撑平台通过固定螺丝安装在底座及下电极支撑平台上,所述的固定螺丝上有螺纹孔。本发明通过在装置底座的石英晶片测试槽和上盖的电极板位安装电极板,以及电极板和测试探针的焊接连接,实现石英晶片上下电极与测试仪器的可靠电连接,更准确的进行石英晶片的电参数测试。通过在装置上安装带有操作手柄和复位弹簧,方便了石英晶片的取放,提高石英晶片的效率。

    一种晶体元器件设计反馈的提取方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119830585A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411967851.3

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种晶体元器件设计反馈的提取方法、系统、电子设备及存储介质,涉及晶体元器件的数据处理领域,旨在解决数据零星分散且每次只能查取一批,非常耗时且无法直接与其他批产品对比的问题。本发明包括:获取生产管理系统的目标地址;使用requests模块对生产管理系统的设计反馈模块进行访问;将设计反馈模块的数据信息对应放到data字典的相应位置;使用requests模块的内置函数将data字典内的设计反馈模块的数据信息读取下来;将读取到的设计反馈模块的数据信息保存成csv格式的数据信息。本发明将生产管理系统中的设计反馈文本信息使用代码的方式,快速爬取大量的数据信息,自动汇总到同一个csv文件中,方便按照各项参数对设计反馈进行筛选查看,节省时间提升工作效率。

    一种双芯片单粒子试验用晶体振荡器

    公开(公告)号:CN118232841A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202311831235.0

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明提供一种双芯片单粒子试验用晶体振荡器,包括:第二谐振模组设置于基座上,第二芯片设置于第二谐振模组上,第一谐振模组和第二谐振模组间隔且平行设置于基座上,第一谐振模组和第二谐振模组位于同一轴线上,其中,第一谐振模组和第二谐振模组分别具有不同频率输出端用以信号测量,由于基座的独特设置能够同时放置第一谐振模组和第二谐振模组,从而能够同时对两个芯片进行单粒子试验,并根据不同频率输出端实时在线分别输出各自对应检测出的信号,判断其是否满足试验的要求,从而降低了试验成本,提高了试验效率。

    一种降低表贴温补晶振老化率的方法、装置和存储介质

    公开(公告)号:CN118174675A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202311828695.8

    申请日:2023-12-27

    Abstract: 本发明提供一种降低表贴温补晶振老化率的方法、装置和存储介质,该方法包括:对产品进行真空离子溅射镀金电极得到镀膜产品,将预选出的导电胶均匀点至所述镀膜产品上并对点胶后的产品进行烘烤得到点胶产品,其中,所述导电胶为硅酮,离子刻蚀所述点胶产品后对其真空高温退火得到第一退火产品,对所述第一退火产品进行真空平行焊封口处理后高温退火得到第二退火产品,所述真空平行焊封口为烘焙和高真空封装,预设固定时间对所述第二退火产品高温加电得到预制产品,对所述预制产品温度补偿调试处理得到目标产品,从而逐步对产品应力释放,能够降低老化率,从而提升了老化率的要求,能够满足现代工艺要求。

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