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公开(公告)号：CN110212914B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201910653701.8
申请日：2019-07-18
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种基于多阶桥接电容阵列的数控振荡器，包括负阻模块、电感L和多阶桥接电容阵列，负阻模块包括PMOS晶体管Mp和NMOS晶体管Mn，负阻模块的正端口连接电感L的上端，负阻模块的负端口接电感L的下端；负阻模块的正端口分别接PMOS晶体管Mp的栅极与NMOS晶体管Mn的漏极，负阻模块的负端口分别接PMOS晶体管Mp的漏极与NMOS晶体管Mn的栅极；PMOS晶体管Mp的源极接电源，NMOS晶体管Mn的源极接地；电感L与多阶桥接电容阵列并联；本发明通过改变振荡器开关电容调谐模块的结构，在原来频率分辨率的基础上，使得频率分辨率提高为原来的几百倍，从而获得更高精度的频率分辨率，同时具有较高的线性度、频率稳定度。
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公开(公告)号：CN113746464A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111035555.6
申请日：2021-09-03
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种LDMOS性能优化的自适应衬底电压调节电路，通过电压比较器和单输入双输出直流稳压电源转换器控制LDMOS关态和开态的衬底电压，在提高关态击穿电压的同时保证开态性能不变，改善了两者的折衷关系。在实际制造过程中，采用常规的CMOS工艺就可以实现该技术，无需增加额外掩模版和工艺流程，制备简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN108054194B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201711234307.8
申请日：2017-11-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有三维横向变掺杂的半导体器件耐压层，该耐压层在半导体器件的半导体衬底或埋氧层的上表面外延形成，及所述耐压层具有三维横向变掺杂并且在以P+或N+为中心的曲率结构中掺杂浓度为非线性分布。所述耐压层采用叉指状版图或跑道形版图或圆形版图；所述耐压层采用硅或碳化硅、砷化镓、磷化铟、锗硅材料制作；本发明的耐压层能够按照标准的CMOS工艺制备，因此该工艺是一个与标准CMOS工艺完全兼容的工艺方案，工艺制备简单，成本低廉，可以有效抑制版图所带来的三维曲率效应，从而大大增强实际器件的耐压能力。
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公开(公告)号：CN109884873A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366965.0
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明涉及一种采用动态阈值技术的时间数字转换器，适用于近阈值电源电压环境下，包括游尺延迟线TDC电路和编码器电路，其中游尺延迟线TDC电路判别START和STOP信号的时间差，并以二进制的形式输出相应的结果。由于采用较低的电源电压，晶体管的过驱动电压不足，电路工作的电流会减小，因此游尺延迟线TDC的工作时间将大幅度的延长。本发明采用动态阈值技术，将晶体管的衬底与栅端相连，这样衬底的电位会随着栅电压的变化而变化，晶体管的阈值电压会大幅度降低，源漏电流也会增加，也能最大程度地避免泄露电流的产生，提高了电路的速度和可靠性。
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公开(公告)号：CN108758189A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201711483582.3
申请日：2017-12-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于成像辐射计的扫描平台，包括T字形支架；第一直线位移机构，第二直线位移机构，油泵，连通所述直线位移机构和一油箱；控制器，其连接所述直线位移机构和油泵；以及上位机，其与所述控制器通过串口进行通信，所述上位机上设置有显示装置；所述直线位移机构包括：驱动机构，第一导轨，第一滑块，其滑动设置在所述第一导轨内，第二导轨，其设置在所述第一导轨上端，第二滑块，其滑动设置在所述第二导轨内，第三滑块，其连接在所述第二滑块上端，测距模块，其中，油泵通过一电磁阀与所述第二导轨的内部端头空间连通，所述电磁阀上设置有一流量计。本发明解决了扫面平台上滑台移动距离不精确的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117495705B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN119628419A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202510170707.5
申请日：2025-02-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种DC‑DC转换器的过零检测电路及过零检测方法，该电路包括过零检测比较电路、采样保持与电平移位电路、电压差值量化积分电路；过零检测比较电路通过比较电感电压和电源地判断电感电流是否过零并输出过零检测信号，采样保持与电平移位电路根据过零检测产生时钟短脉冲用于对电感电压进行采样，并对电感电压和电源地进行电平移位；电压差值量化积分电路利用电平移位后的电感电压和电源地为第三电容进行充电或放电，得到的电容电压反馈至过零检测比较电路中，控制下一周期的过零检测比较的快慢。本发明利用反馈环路控制过零检测比较电路中栅控电阻大小来改变电流从而修正过零电压的位置，实现纠正过零检测过早过晚关闭的目的。
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公开(公告)号：CN118940693B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411426351.9
申请日：2024-10-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/337 , G06F30/3308 , G06F30/398 , G06F119/02 , G06F113/18 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种基于MOPSO的存算一体芯粒2.5D封装可靠性智能优化方法，包括如下步骤：S1.确定2.5D封装结构关键凸点参数；S2.按照田口正交实验划分的水平组合建立2.5D封装结构的等效有限元模型；S3.采用百分制加权评判法和信噪比的极差分析法，确定参数排名；S4.通过信噪比的极差分析法实现多目标综合评判，按照计算得出的权重占比进行百分制加权，得到不同水平组合的综合评分，确定最优2.5D封装结构参数方案；S5.采用最小二乘法对应力、翘曲以及综合评分的函数进行拟合；S6.采用MOPSO模型对多个目标变量进行寻优。本发明能够提前规避因翘曲、应力过大而导致产品可靠性失效的风险。
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公开(公告)号：CN119230612A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411733732.1
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/07 , H01L29/872 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种提升耐短路能力的内嵌SBD的SiC功率器件，包括金属漏极、N型掺杂半导体衬底、N型掺杂半导体外延层、N型掺杂半导体JFET区、栅极深沟槽、金属栅极、源极浅沟槽、SBD金属、P型掺杂半导体屏蔽层和金属源极。金属栅极嵌设在栅极深沟槽顶部。本发明中的SBD金属、源极浅沟槽和P型掺杂半导体屏蔽层，能减少器件短路时的电流密度，降低器件在短路时的温度，避免器件发生热击穿、以提高器件的耐短路能力。另外，本发明中填充有高K电介质的栅极深沟槽，能调制漂移区的电势分布，以保证低导通电阻和高反向击穿电压，从而兼顾器件的导通电阻和耐短路能力的改善，有效调和二者的矛盾关系。
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公开(公告)号：CN119126909A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411623866.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种宽输入范围的预稳压电路，带载能力强，随温度变化小，输出电压好调。在能隙基准1.2V电压的基础上，利用三极管和电容的温度系数相反的特性，产生一个随温度变化小的电源电压，在‑50°‑125°温度范围内，电源压降在200mV下，电压大小可按要求调节。以5V电源电压为例，本发明在5.7V‑60V的输入电压范围内可以产生稳定的5V电压，在5.7V以下电压会随输入电压降低。本发明考虑到基准模块等轻载低压模块需要更为稳定的电源电压，设计了两级输出结构，第一级供轻载模块使用，第二级供重载模块使用。本发明带载能力强，经过仿真发现可以带载20mA。在电流负载突变时输出电压也可极快稳定。
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