3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法

    公开(公告)号:CN111628014A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN202010513714.8

    申请日:2020-06-08

    Abstract: 3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法,本发明属于金刚石紫外探测器技术领域,它为了解决现有日盲紫外探测器的探测性能较低的问题。制备方法:一、超声清洗金刚石;二、在金刚石表面镀制金属铁叉指电极;三、对镀制有铁叉指电极的金刚石进行氢等离子体刻蚀处理;四、用稀盐酸溶解金刚石褶皱表面的铁;五、利用磁控溅射在金刚石表面镀制金属电极层;六、将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除,在凹槽中的形成3D金属电极。本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器的电场能够分布在更纵深的位置,3D结构较平面结构在更深位置处的光生电子和光生空穴能够在电场作用下有效分离,从而提升探测性能。

    一种CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法

    公开(公告)号:CN108737187A

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810505715.0

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 一种CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法,本发明涉及CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法。本发明为了解决现有技术故障注入的操作过程复杂、只能进行物理层故障注入以及不能直接返回故障注入结果的问题。本发明包括:信息收发模块、故障注入模块和控制软件模块;所述信息收发模块用于将来自两端的目标机的数据帧进行数字信号和模拟信号的转化;所述故障注入模块用于根据控制软件模块发送的数据,对CAN总线的链路层或物理层进行故障注入;所述控制软件模块用于提供人机交互界面,发送故障注入参数到故障注入模块;所述故障注入参数包括故障注入方式、故障的时间类型、注入位置。本发明用于计算机可靠性评价领域。

    量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法

    公开(公告)号:CN101571886A

    公开(公告)日:2009-11-04

    申请号:CN200910072263.2

    申请日:2009-06-12

    Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法,它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法,材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是:建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数,本发明能结合特定探测器性能要求,综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料,并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。

    含纳米氧化铜的镍氢电池负极材料

    公开(公告)号:CN1805187A

    公开(公告)日:2006-07-19

    申请号:CN200510010585.6

    申请日:2005-11-30

    Inventor: 史鹏飞 邓超 张森

    Abstract: 本发明提供的是一种含纳米氧化铜的镍氢电池负极材料。在镍氢电池的负极AB5或AB2型储氢合金粉中,加入3-10wt.%的纳米氧化铜(其CuO含量100%),均匀混合,然后加入少量1wt.%的PTFE(聚四氟乙烯)粘结剂,再次混合。本发明的负极材料具有制备过程操作简单、制成电极后质量低、电极性能高、电极及电池比功率和比容量高、成本低廉等优点。

    一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法

    公开(公告)号:CN114032526B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202111328019.5

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法,它为了解决现有MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气体,气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室外腔腔体内部,反应室内腔腔体的底部与竖直波导管相连通,水平波导管的一端与微波源相连,石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内,石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽,沟槽内装填有石墨碳源,石墨碳源可控样品台的底部设置有升降装置。本发明碳源来自于固态碳源石墨粉末刻蚀,不需要气体碳源外接管路,提高了生长样品的纯度与生长过程的安全性。

    一种增强型金刚石基场效应晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN118448467A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410394378.8

    申请日:2024-04-02

    Abstract: 本发明提供一种增强型金刚石基场效应晶体管,包括金刚石衬底、源极、漏极、栅极和低功函数金属耗尽层;金刚石衬底上形成有氢终端表面,氢终端表面为金刚石衬底氢化处理得到,氢终端表面接触空气形成导电沟道,源极和漏极设置于导电沟道的两端;低功函数金属耗尽层设置于导电沟道上,并位于源极和漏极之间;低功函数金属耗尽层的功函数小于4.9eV,厚度为5‑50nm,低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触;低功函数金属耗尽层材质为金、铝、钛、锆、铂、铪及钇中的至少一种;低功函数金属耗尽层上设置有栅电极,低功函数金属耗尽层通过介质层与栅电极导通。本发明的低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触,夹断沟道实现常关特性,阈值电压稳定。

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