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公开(公告)号：CN103794511A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310526469.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备，本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括：像素部104；以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106，其中所述像素部包括：像素晶体管252；覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124；设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126；以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130，所述驱动电路部包括：对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250；覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜；以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜，并且，所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号：CN102939658B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201180026960.X
申请日：2011-05-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/78696
Abstract: 本发明是包括栅极电极（21）和栅极绝缘膜（22）、半导体层（23）、源极电极（24）、漏极电极（25）等的TFT（20）。半导体层（23）包括金属氧化物半导体（IGZO），且具有：与源极电极（24）接触的源极部（23a）、与漏极电极（25）接触的漏极部（23b）和这些源极部（23a）与漏极部（23b）之间的沟道部（23c）。在所述半导体层（23）中，至少在所述沟道部（23c）形成有与其他部分相比In等的金属单质的含有率高的还原区域（30）。
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公开(公告)号：CN111133566B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201780095340.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81)，且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
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公开(公告)号：CN113287368B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980088682.7
申请日：2019-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 包括；第一树脂层(8)，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中，以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置；以及多个第一引绕配线(18h)，设置在第一树脂层平行地延伸，在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间，与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触，并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。(8)上，与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相
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公开(公告)号：CN115398514A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099144.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 在显示区域内设置有非显示区域(N)，在非显示区域(N)中设置有贯通孔(H)，在非显示区域(N)中以包围贯通孔(H)的方式设置有多个内侧凸部(C)，各内侧凸部(C)的下层树脂层(8a)被形成于树脂基板层(10)的多个内侧狭缝(Sa)分离，多条显示用布线(14g)的一部分被贯通孔(H)断开，最靠显示区域侧的内侧狭缝(Sa)的底部的第一非显示导电层(34b)以与被贯通孔(H)断开的显示用布线(14g)中的靠贯通孔(H)侧的一个端部以及靠贯通孔(H)侧的另一个端部重叠的方式设置。
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公开(公告)号：CN110892469B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780093231.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示器件，其是具备树脂层(12)、及所述树脂层的上层的TFT层(4)，且在周缘设有弯曲部(CL)的显示器件，其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线(TW)，所述端子配线包含：第一配线(WS1)及第二配线(WS2)，位于所述弯曲部的两侧；第三配线(WS3)，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线(WS4)，配置于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
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公开(公告)号：CN112740309A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880097809.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 由第一金属膜形成的第一金属层(14fa、14fb)沿着相邻的一对第三配线(18f、18g)呈岛状设置，使得与由相互平行地延伸由第一金属膜形成的多条第一配线(14d、14e)中的相邻的一对第一配线(14d、14e)，以及在与各第一配线(14d、14e)交叉的方向上相互平行地延伸的多条第三配线(18f、18g)中的相邻的一对第三配线(18f、18g)包围的区域重叠。
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公开(公告)号：CN112655038A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880097155.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。
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公开(公告)号：CN108496244B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780008343.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。
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