离子源
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111161987A

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201911382854.X

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明提供一种离子源,包括:一阴极壳体,其包括底壁、顶壁以及连接底壁和顶壁的侧壁,所述底壁、顶壁以及侧壁围成一容纳空间,所述顶壁上开设有呈迂回曲折延伸的开口,壳体上设置有电极以及一通气孔;一阴极板条,其与所述开口的形状适配,阴极板条设置于所述开口处并沿着所述开口迂回曲折延伸,阴极板条的外侧缘与所述开口的内侧缘间隔预设距离以形成迂回曲折延伸的狭缝;一阳极,其设置于所述壳体内并位于狭缝正对,所述阳极沿着所述狭缝的延伸方向迂回曲折延伸;一永磁体,其设置于所述容纳空间内并位于所述阴极板条相对,所述永磁体沿着所述阴极板条的延伸方向迂回曲折延伸。本发明实施例提供的离子源可以提高离子源的效率,节省空间。

    一种喷射强化散热器
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111132514A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911379939.2

    申请日:2019-12-27

    Abstract: 本发明提供了一种喷射强化散热器,包括上侧开口的喷射控制腔,盖设在喷射控制腔上侧开口处的散热基板,设置在喷射控制腔内下部的喷射装置,以及用于向喷射装置输送高压冷却液的高压输送装置;喷射装置用于使高压冷却液朝上喷出形成高压喷雾;所述散热基板的上表面用于布置发热元件。该散热器能够有效地对高流量密度发热元件散热,且结构较简单,制造难度低,加工成本低。

    一种新型磁控溅射阴极
    33.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021128699A1

    公开(公告)日:2021-07-01

    申请号:PCT/CN2020/089435

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 一种磁控溅射阴极,包括靶材(40)、第一磁体结构和第二磁体结构;第一磁体结构产生第一磁力线回路,形成第一磁场(60);第二磁体结构产生第二磁力线回路,形成第二磁场(70,71);当启动溅射时,第一磁场(60)作用使靶材(40)位于第一磁力线回路内的区域形成第一等离子区,第二磁场(70,71)作用使靶材(40)位于第二磁力线回路内的区域形成第二等离子区,实现溅射;第二等离子区和第一等离子区叠加区域不完全重合;通过在第一磁体结构的基础上叠加第二磁体结构,可以增大靶材(40)的溅射使用面积,溅射靶材(40)的溅射后表面形态可以由V形变成U形,靶材(40)的利用率可以从传统的20~25%增加到30~35%,提高靶材(40)的利用率。

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