熱電変換素子
    31.
    发明专利
    熱電変換素子 有权
    热电转换器

    公开(公告)号:JP2016178114A

    公开(公告)日:2016-10-06

    申请号:JP2015054921

    申请日:2015-03-18

    Abstract: 【課題】熱電変換性能に優れると共に、耐曲げ性にも優れる熱電変換素子を提供する。 【解決手段】所定の基板A及び基板Bのいずれか一方の表面処理基板2と、表面処理基板の表面処理が施された面上に配置された、カーボンナノチューブを含む熱電変換層5と、を有する。基板Aは樹脂基板を、(R1) n M(X) m で表される第1表面処理剤で表面処理して得られる。Mは、Si、TiまたはZrを表す。Xは、加水分解性基または水酸基を表す。R1は、1価の有機基を表し、R1のうち少なくとも一つは、芳香環を含む1価の有機基を表す。基板Bは樹脂基板を、反応性基を有し、かつ、(R2) n M(X) m で表される第2表面処理剤で表面処理した後、反応性基と反応する官能基及び芳香環を有する第3表面処理剤で表面処理して得られる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种热电转换性能优异并且耐弯曲性优异的热电转换元件。热电变换器包括:预定基板A和基板B之一的经表面处理的基板2,以及热电元件 转换层5,其设置在经表面处理的基板的表面处理表面上并且包含碳纳米管。 通过使用(R1)M(X)表示的第一表面处理剂对树脂基板进行表面处理来获得基板A. M表示Si,Ti或Zr。 X表示可水解基团或羟基。 R1表示一价有机基团,R 1中的至少一个表示含有芳环的一价有机基团。 通过使用具有反应性基团的第二表面处理剂(R 2)M(X)表示的树脂基材进行表面处理,然后进行表面处理,使用具有功能性的第三表面处理剂 组与反应基团和芳环反应。选择图:图1

    半導体素子及び絶縁層形成用組成物
    32.
    发明专利
    半導体素子及び絶縁層形成用組成物 有权
    用于形成绝缘层的半导体器件和组合物

    公开(公告)号:JP2015188011A

    公开(公告)日:2015-10-29

    申请号:JP2014064560

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 【課題】キャリア移動度が高く、on/off比にも優れた半導体素子、並びに、絶縁特性及び表面平滑性が優れた絶縁層を形成できる絶縁層形成用組成物を提供する。 【解決手段】半導体層と該半導体層に隣接する絶縁層とを有する半導体素子において、絶縁層が下記一般式(1)で表される繰り返し構造を有する高分子化合物を含有する半導体素子、及び、半導体素子の絶縁層を形成するための絶縁層形成用組成物。 式(1)R 1 は水素原子又はメチルを表す。Arは芳香族環を表す。Xはアシル基を表す。mは1〜5の整数を表し、mが2以上の場合、m個のXは互いに同一でも異なっていてもよい。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题:提供具有高载流子迁移率和良好开/关比的半导体器件,以及用于形成具有良好绝缘特性和表面平滑度的绝缘层的组合物。解决方案:在具有半导体层和绝缘体的半导体器件中 具有与半导体层相邻的具有由式(1)表示的重复结构的高分子化合物的绝缘层的半导体器件和用于形成半导体器件的绝缘层的组合物。 在式(1)中,R表示氢原子或甲基。 Ar表示芳香环。 X表示酰基。 m表示1〜5的整数,m为2以上时,m X可以相同也可以不同。

Patent Agency Ranking