公开(公告)号：CN1467710A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03107700.5

申请日：2003-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濱口慎吾 ,  尾崎一幸

IPC: G11B5/86 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/00 ,  G11B5/66 ,  G11B5/74 ,  G11B5/82 ,  G11B5/865 ,  G11B2005/0005 ,  G11B2005/0029

Abstract: 沿着穿过(垂直)基底(10)表面的方向施加作为外部磁场的初始化磁场(Hi)以便初始化介质(1)，使得可以同时初始化第一磁薄膜(11)和第二磁薄膜(12)。在这个初始化介质的方法中，相对穿过基底(10)的方向，第一磁薄膜(11)的初始化磁化(H1i)的磁化方向与第二磁薄膜(12)的初始化磁化(H2i)的磁化方向彼此一致。