公开(公告)号：CN100539114C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200710089088.9

申请日：2007-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今田忠纮 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  C08G77/04

Abstract: 本发明提供获得TDDB耐性高和泄漏电流小的布线层的技术，并因此，提供制造高度可靠的低耗电量半导体器件的技术，其中形成一种界面粗糙度降低膜，其与绝缘体膜接触，还在其另一面的表面与布线接触，而且布线和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度比绝缘体膜和界面粗糙度降低膜之间的界面粗糙度小。

公开(公告)号：CN100535054C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510128973.4

申请日：2005-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08L83/04 ,  H01L21/32

CPC classification number: H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

Abstract: 一种包含硅酮聚合物的二氧化硅膜形成材料，该硅酮聚合物包括作为聚合物部分结构的CHx，Si-O-Si键，Si-CH3键和Si-CHx-键，其中x代表0-2的整数。

公开(公告)号：CN100380608C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN1708839A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102612.1

申请日：2003-10-27

Applicant: 触媒化成工业株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 中岛昭 ,  江上美纪 ,  小松通郎 ,  中田义弘 ,  矢野映 ,  铃木克己

IPC: H01L21/312 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/02 ,  C08G77/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供一种具有低至2.5或2.5以下的介电常数、杨氏模量为6.0GPa或6.0GPa以上、且疏水性优良的低介电常数无定形二氧化硅类被膜及其形成方法。使原硅酸四烷基酯(TAOS)及特定烷氧基硅烷(AS)在氢氧化四烷基铵(TAAOH)的存在下水解而得到硅化合物，配制含有所得硅化合物的液态组合物。然后，将该液态组合物涂布在基板上，进行加热处理及烧制处理，得到被膜。以上述方法得到的被膜表面平滑，且其内部具有特定的微孔。

公开(公告)号：CN1189927C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C-C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。