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公开(公告)号:CN104932430A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510185187.1
申请日:2013-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G05B19/4093
CPC classification number: G05B19/4093 , G05B2219/36307 , G05B2219/45031 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , Y02P90/14 , Y02P90/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造管理装置。系统具备制造条件决定装置和制造管理装置。制造条件决定装置具备:第一信息存储区域,其存储与光半导体元件和光半导体装置相关的第一信息;第二信息存储区域,其存储与清漆相关的第二信息;以及决定单元,其根据第一信息存储区域所存储的第一信息以及第二信息存储区域所存储的第二信息来决定制造条件。制造管理装置具备第三信息存储区域和管理单元,该第三信息存储区域存储与由决定单元决定的制造条件相关的第三信息,该管理单元根据第三信息存储区域所存储的第三信息来管理片材制造工序的制造条件。
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公开(公告)号:CN101847683B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201010114553.1
申请日:2010-02-20
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , B29C33/68 , H01L33/52 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明涉及用于光半导体封装的片,其具有剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层,其中所述剥离片在与所述封装树脂层界面处包含具有凹形状和/或凸形状的凹凸部形成层,并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。
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公开(公告)号:CN103855289A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310627111.0
申请日:2013-11-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/52
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08L83/06 , C09D183/14 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/62 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , Y10T428/31663 , H01L33/501 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及封装片、光半导体装置及其制造方法。所述封装片是用于封装通过引线键合连接而安装于基板的光半导体元件的封装片。封装片具备用于埋设光半导体元件和引线的埋设层以及被覆埋设层的被覆层。埋设层和被覆层由有机硅树脂组合物形成,所述有机硅树脂组合物含有含过渡金属的催化剂、且通过催化剂促进反应而进行固化。被覆层中的过渡金属的浓度相对于埋设层中的过渡金属的浓度的比为1以上。埋设层与被覆层的界面到最靠近所述被覆层侧的所述引线的部分的长度为150μm以上。
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公开(公告)号:CN103489988A
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201310231322.2
申请日:2013-06-09
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/249921 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及封装片、发光二极管装置及其制造方法,所述封装片具备封装树脂层和形成在所述封装树脂层的厚度方向一侧的阻隔薄膜层。
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公开(公告)号:CN102832326A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210200117.5
申请日:2012-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/507 , B29C43/18 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T428/269 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及密封用片及光半导体元件装置,所述密封用片具备密封树脂层和层叠于密封树脂层的波长转换层,波长转换层是层叠如下的两个层而成的:由透光性树脂组合物形成的、厚度为200μm~1,000μm的阻隔层;和含有荧光体的荧光体层。
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公开(公告)号:CN102034918A
公开(公告)日:2011-04-27
申请号:CN201010508386.9
申请日:2010-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3135 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光半导体封装用套件。具体地,本发明涉及包括含有无机粒子的液态第一封装材料和含有磷光体的液态第二封装材料的光半导体封装用套件;包括含有无机粒子的片状第一封装材料和含有磷光体的液态第二封装材料的光半导体封装用套件;以及包括含有无机粒子的液态第一封装材料和含有磷光体的片状第二封装材料的光半导体封装用套件。
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公开(公告)号:CN203923079U
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201420056563.8
申请日:2014-01-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J7/02 , C09J183/00 , H01L23/28
CPC classification number: C09J183/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/08 , B32B27/283 , B32B2307/748 , B32B2457/14 , B32B2551/00 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C09D183/04 , C09J7/22 , C09J7/25 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09J2483/006 , H01L33/52 , H01L2924/0002 , C08L83/00 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供光半导体用片和光半导体装置。所述光半导体用片具备由第1有机硅树脂形成的粘合层,以及设置于粘合层的厚度方向一面、由第2有机硅树脂形成的非粘合层。
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公开(公告)号:CN203780920U
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201420132510.X
申请日:2014-03-21
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B65D1/34 , B65D21/032
CPC classification number: B65D21/0209 , B65D21/045 , B65D85/70
Abstract: 本实用新型提供一种密封片收纳器。能够利用简单的操作将两个密封片收纳器在收纳位置和堆叠位置选择性地重叠。在收纳位置重叠的情况下,在厚度方向上的一侧的密封片收纳器的中央部和在厚度方向上的另一侧的密封片收纳器的中央部相对地分开。在堆叠位置重叠的情况下,在厚度方向上的一侧的密封片收纳器的中央部和在厚度方向上的另一侧的密封片收纳器的中央部相对接近。
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公开(公告)号:CN206003825U
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201620978690.2
申请日:2015-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件,其特征在于,具备:光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层,所述透明层由含有填料的透明树脂组合物形成。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层,因此能够提高发光强度。
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公开(公告)号:CN205609569U
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201521063247.4
申请日:2015-12-17
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本实用新型提供一种发光强度优异的覆有荧光体层的光半导体元件。以往的覆有荧光体层的光半导体元件存在不能满足所述发光强度这样的问题。本实用新型的覆有荧光体层的光半导体元件,其特征在于,具备:光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。由于该覆有荧光体层的光半导体元件具备覆盖荧光体层的至少一部分的透明层,因此能够提高发光强度。
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