-
公开(公告)号：CN111937306B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201980016922.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板(1)与压电性单晶基板(4、4A)之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x高于：接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部处的氧比率x以及接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部处的氧比率x。接合层(2A)的厚度方向的中央部处的氧比率x为0.013以上0.666以下。
-
公开(公告)号：CN112955811A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201980061122.2
申请日：2019-07-11
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明公开一种电光元件用的复合基板。复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；低折射率层，其与电光结晶基板接触，且折射率比电光结晶基板的折射率低；以及支撑基板，其至少经由接合层而接合于低折射率层。该复合基板中，在低折射率层与支撑基板之间所存在的多个界面中的至少一个为粗糙度比电光结晶基板与低折射率层之间的界面的粗糙度大的界面。
-
公开(公告)号：CN112612149A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011031274.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。
-
公开(公告)号：CN112243568A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201980036450.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25
Abstract: 在包含铌酸锂等的压电性单晶基板4、4A与支撑基板1的接合体5、5A中，抑制加热时的接合体翘曲。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其由多晶陶瓷材料或单晶材料形成；接合层2A，其设置于压电性单晶基板4、4A上，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有氧原子及氩原子。非晶质层8的中央部中的氧原子的浓度高于非晶质层8的周缘部中的氧原子的浓度。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111066243A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880003452.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。
-
公开(公告)号：CN110945787A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047171.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/053
Abstract: 提供一种能够将由铌酸锂和/或钽酸锂构成的压电性材料层牢固地接合于由莫来石构成的支撑基板上的微结构。作为解决方案，提供一种具备支撑基板(3)以及压电性材料层(2)的接合体(1)。支撑基板(3)由莫来石构成，压电性材料层(2)的材质为LiAO3，其中，A为选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素。具备：沿着支撑基板(3)与压电性材料层(2)之间的界面而存在的界面层(4)、以及存在于界面层(4)与支撑基板(3)之间的支撑基板侧中间层(5)。界面层(4)以及支撑基板侧中间层(5)分别以选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素、氧、铝和硅作为主成分。
-
公开(公告)号：CN110945786A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880047134.5
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/25 , H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/31 , H01L41/337
Abstract: 本发明的课题是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。本发明的解决手段是提供能够在包含硅铝氧氮陶瓷的支撑基板上牢固地接合包含铌酸锂或钽酸锂的压电性材料层的微结构。接合体具备支撑基板及压电性材料层。支撑基板包含硅铝氧氮陶瓷。压电性材料层的材质为LiAO3(A为选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素)。接合体具备：沿着支撑基板与压电性材料层之间的界面而存在的界面层及在界面层与支撑基板之间所存在的支撑基板侧中间层。界面层及支撑基板侧中间层分别以选自由铌及钽构成的组中的一种以上元素、氮、氧、铝以及硅为主成分。
-
公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
-
公开(公告)号：CN105229924B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201480028883.5
申请日：2014-04-24
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: (a)准备压电基板(22)和支撑基板(27)，(b)通过粘合层(26)将它们接合，成为复合基板(20)，(c)研磨压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面的相对侧的面，将压电基板(22)减薄。(d)接着，通过从压电基板(22)中与支撑基板(27)接合的面相对侧的面，将复合基板(20)半切割，形成将压电基板(22)分割为压电设备用大小的沟槽(28)。而且，通过形成沟槽(28)，粘合层(26)从沟槽(28)内露出。(e)、(f)然后，通过将复合基板(20)浸渍在溶剂中，用溶剂将粘合层(26)除去，从而将压电基板(22)从支撑基板剥离，(g)使用剥离后的压电基板(12)得到压电设备(10)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
91
records
(took 0.039 seconds)
