公开(公告)号：JP2015135931A

公开(公告)日：2015-07-27

申请号：JP2014007596

申请日：2014-01-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤 順悟 ,  江尻 哲也 ,  浅井 圭一郎 ,  岡田 直剛

IPC: H01S5/14 ,  G02B6/42 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B5/18 ,  H01S5/022

Abstract: 【課題】結合効率が確保されてなるとともに、レーザ発振のためのゲインしきい値の増大が抑制された半導体レーザモジュールを実現する。 【解決手段】半導体レーザモジュールが、半導体LDを光源素子と、支持基板上に設けられた光学材料層にリッジ型の第1の光導波路を有する第1の導波用素子と、を備え、光源素子は、光源用基台の上方において光源素子が光源用基台の側面よりも奥まった位置に配置されてなり、第1の導波用素子は、導波路用基台の上面に導波路用基台から突出するように載置固定されてなり、光源用基台と導波路用基台とが互いの側面にて接合固定されてなり、光源素子から発せられたレーザ光の光軸方向と第1の光導波路の延在方向とが合致してなり、光源素子の出射面と第1の導波用素子の第1の光導波路とが10μm以下の間隙で近接してなる、ようにした。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：实现确保耦合效率并且抑制激光振荡的增益阈值增加的半导体激光器模块。解决方案：半导体激光器模块包括半导体LD的光源元件和第一波导 其中设置在支撑基板上的光学材料层具有脊型的第一光波导。 光源元件布置在光源基座上方的光源基座的侧面的深度位置。 第一波导元件被固定地放置成在波导基底的上表面上从波导基部突出。 光源基座和波导基座使用相应的侧面固定地结合在一起。 从光源元件发射的激光束的光轴方向与第一光波导的延伸方向一致。 第一波导元件的光源元件和第一光波导的发射面以10μm以下的间隔彼此靠近。

公开(公告)号：JP2015115457A

公开(公告)日：2015-06-22

申请号：JP2013256272

申请日：2013-12-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤 順悟 ,  江尻 哲也 ,  山口 省一郎

IPC: H01S5/14

Abstract: 【課題】ペルチェ素子による温度制御を使用することなく、モードホップを抑制し、波長安定性を高くし、光パワー変動を抑制できるようにする。 【解決手段】外部共振器型発光装置1は、半導体レーザ光を発振する活性層を有する半導体レーザ光源2;半導体レーザ光が入射する入射面と所望波長の出射光を出射する出射面を有するリッジ型光導波路、およびリッジ型光導波路内に形成された凹凸からなるブラッググレーティングを有するグレーティング素子9;半導体レーザ光源およびグレーティング素子を実装するための実装基板22;および半導体レーザ光源2と実装基板22の間およびグレーティング素子9と実装基板22の間の熱伝導を抑制する熱伝導抑制手段21を備える。 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：通过抑制模式跳跃来抑制光功率变化，而不需要利用珀耳帖元件进行温度控制，并提高波长稳定性。外部谐振器发光器件1包括半导体激光光源2 具有用于振荡半导体激光的有源层，具有具有半导体激光的入射面的脊状光波导的光栅元件9和用于发射期望波长的光的发射面，以及由突起和凹部形成的布拉格光栅 脊状光波导，用于安装半导体激光光源的安装基板22和光栅元件，以及用于抑制半导体激光光源2与安装基板22之间的热传导抑制机构21以及光栅元件9与 安装板22。

公开(公告)号：JP2015103732A

公开(公告)日：2015-06-04

申请号：JP2013244840

申请日：2013-11-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 近藤 順悟 ,  山口 省一郎 ,  江尻 哲也 ,  浅井 圭一郎 ,  岡田 直剛

IPC: G02B5/18 ,  H01S5/14

Abstract: 【課題】ペルチェ素子を使用することなく、モードホップを抑制し、波長安定性を高くし、光パワー変動を抑制できるようにする。 【解決手段】 グレーティング素子9は、支持基板10、支持基板上に設けられ、厚さ0.5μm以上、3.0μm以下の光学材料層11、半導体レーザ光が入射する入射面と所望波長の出射光を出射する出射面を有するリッジ型光導波路、および光導波路内に形成された凹凸からなるブラッググレーティング12を備える。光導波路において入射面とブラッググレーティング12との間に入射側伝搬部が設けられておらず、式(1)〜式(4)の関係が満足される。 0.8nm≦△λ G ≦6.0nm・・・(1): 10μm≦L b ≦300μm・・・(2): 20nm≦td≦250nm・・・(3): n b ≧1.8・・・(4) 【選択図】 図1

Abstract translation: 要解决的问题：通过抑制模式跳跃来抑制光学粉末变化而不使用珀耳帖元件，并提高波长稳定性。光栅元件9包括支撑基板10，设置在支撑基板上的光学材料层11和 具有0.5-3.0μm的厚度，具有半导体激光入射的入射面的脊形光波导和出射所需波长的光的出射面以及形成在光波导中的不规则形成的布拉格光栅12 。 在光波导中的入射面和布拉格光栅12之间不设置入射侧传播部，并且满足式（1）〜（4）的关系。 0.8nm≤▵λ≤6.0nm...（1）：10μm≤L≤300μm...（2）：20nm≤td≤250nm...（3）：n≥1.8...（4） 。