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    スイッチング素子およびスイッチング素子のプログラム方法
    33.
    发明专利
    スイッチング素子およびスイッチング素子のプログラム方法 审中-公开
    切换元件及其编程方法

    公开(公告)号：JP2015185771A

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：JP2014062672

    申请日：2014-03-25

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 多田 宗弘

    IPC: H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  G11C13/00 ,  H01L27/105

    Abstract: 【課題】金属架橋型の抵抗変化素子を低抵抗から高抵抗へ変化させる際の誤プログラムを防止することで、高信頼化と高密度化を可能とする。 【解決手段】第1の電極から第2の電極に第1の電流を流して前記第1、第2の電極間を金属架橋により導通させ、前記第1の電流と逆向きに前記第2の電極から第1の電極に第2の電流を流して前記第1、第2の電極間の金属架橋を回収することで非導通とするプログラミングにあたり、前記第2の電流を前記第1の電流よりも大としてなる半導体装置が提供される。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：通过在将金属桥式电阻变化元件从低电阻变为高电阻时防止错误编程，可以提高可靠性并实现高密度。解决方案：当编程使第一和第二电极由金属导电时 通过使第一电流从第一电极流向第二电极而桥接，并且通过使第二电流沿相反方向流动而使第一和第二电极不导通，从而使第一和第二电极不导通， 从第二电极到第一电极的第一电流，使得第二电流大于第一电流以形成半导体器件。

    半導体装置
    34.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019203169A1

    公开(公告)日：2021-03-11

    申请号：JP2019016072

    申请日：2019-04-15

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 伴野 直樹 ,  多田 宗弘

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

    Abstract: 製造コストを増大させずに微細化され、微細化に伴うスイッチング電圧のばらつきの増大が抑制されたスイッチング素子を提供するために、第1絶縁層と、第1絶縁層の上に配置され、上面に開口部が開口する第2絶縁層と、第2絶縁層に埋め込まれ、開口部から一端部が露出する第1電極と、開口部の内部および周辺の少なくともいずれかの領域で第1電極および第2絶縁層の上に配置される抵抗変化層と、抵抗変化層の上に配置される第2電極とを備え、開口部および第2電極は、少なくとも一軸方向に引き伸ばされた形状で形成される半導体装置とする。

    半導体装置およびその製造方法
    36.
    发明专利
    半導体装置およびその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018181019A1

    公开(公告)日：2020-02-06

    申请号：JP2018011766

    申请日：2018-03-23

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  伴野 直樹

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

    Abstract: 素子間のセット電圧ばらつきを改善した抵抗変化素子を提供する。少なくとも2つ以上の抵抗変化素子と、第1端子と、第2端子と、を含む半導体装置であって、前記抵抗変化素子は、それぞれ、第1電極と、第2電極と、第1電極および第2電極に挟まれた抵抗変化層とを有し、第1電極と第2電極の2電極間に印加される電気的信号に基づいて、可逆的に抵抗値が変化する機能を有しており、前記抵抗変化素子の各第1電極と第1端子が電気的に接続されており、かつ各第2電極と第2端子が電気的に接続され、かつ、各抵抗変化層が各抵抗変化素子間で互いに分離されており、各第2電極が各抵抗変化素子間で互いに分離され、第2端子を介してのみ互いに電気的に接続されている。

    銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法
    39.
    发明专利
    銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018174227A

    公开(公告)日：2018-11-08

    申请号：JP2017071545

    申请日：2017-03-31

    Applicant: 日本電気株式会社

    Inventor： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  伴野 直樹 ,  井口 憲幸

    IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/8239

    Abstract: 【課題】活性電極として使用する、銅表面の平坦性を保持しつつ、パーティクル状異物の除去をすることが可能な銅配線層内への抵抗変化素子の製造方法を提供する。 【解決手段】抵抗変化素子の活性電極を兼ねる銅配線上に絶縁性バリア膜を備え、前記絶縁性バリア膜を開口し、前記銅配線の一部を活性電極として露出させる抵抗変化素子の製造方法において、前記活性電極表面を露出させる工程の後、第1のステップにおいて、開口部を含む前記絶縁性バリア膜表面のパーティクル状の異物を除去する工程と、第2のステップにおいて、前記銅表面の酸化膜の除去を行う工程と、第3のステップにおいて、抵抗変化膜を形成する工程とを含み、前記第2のステップと前記第3のステップは大気暴露することなく連続して大気圧より低い圧力下にて行う。 【選択図】図1

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