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公开(公告)号：CN104347087B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201410363017.3
申请日：2014-07-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质，其特征在于，具有：基板；多个衬底层，其形成在所述基板上；以及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分，所述多个衬底层至少包括第一衬底层，其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素，并且含有选自W、Mo的一种以上的元素，以及第二衬底层，其含有MgO，所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
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公开(公告)号：CN104103290B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/73 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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公开(公告)号：CN104303232A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380022551.1
申请日：2013-04-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/09 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备：基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的：第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
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公开(公告)号：CN104103290A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410132213.X
申请日：2014-04-02
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/73 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，包含：基板；在所述基板上形成的多个底层；及在所述多个底层上形成的磁性层。其中，所述磁性层的主成分是具有Ｌ10结构的合金；所述多个底层中的至少1层是含有Ｗ的结晶质底层；所述Ｗ是所述结晶质底层的主成分；所述结晶质底层还包含从Ｂ、Ｓｉ、及Ｃ中所选择的1种以上的元素，该元素的含有量为1ｍｏｌ％以上、20ｍｏｌ％以下；及在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有ＮａＣｌ结构的材料。
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公开(公告)号：CN113053423B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011381766.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使磁性层的(001)取向性提高的磁记录介质，磁记录介质(100)依次具有基板(1)、基底层(2)以及磁性层(30)，基底层(2)具有第一基底层(21)，该第一基底层包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，该通式中，X在0.07～0.25的范围内，磁性层(3)包括具有L10构造的合金，具有L10构造的合金具有包括B的第一磁性层(31)，第一基底层(21)与第一磁性层(31)相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113257286A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110087148.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
Abstract: 本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。
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公开(公告)号：CN110660414B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
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公开(公告)号：CN111798876A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
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公开(公告)号：CN110634509A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN108346437A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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