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公开(公告)号：CN102947935A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201180030286.2
申请日：2011-06-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化元件的制造方法包括：在基板上的层间绝缘膜中形成导电性塞柱的工序(1000~1004)；以将在上述导电性塞柱周围产生的上述层间绝缘膜的凹部及跨多个上述导电性塞柱产生的上述层间绝缘膜的凹部除去，并使上述导电性塞柱的上部从上述层间绝缘膜上表面突出的方式，使上述层间绝缘膜上表面平坦的工序(1005)；在上述层间绝缘膜及上述导电性塞柱上，形成与上述导电性塞柱电连接的下部电极层的工序(1006)；将上述下部电极层上表面的突出部除去，使上述下部电极层上表面平坦的工序(1007)；在上述下部电极层上形成电阻变化层的工序(1008)；在上述电阻变化层上形成上部电极层的工序(1008)；及加工形成下部电极、电阻变化层及上部电极的工序(1009)。
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公开(公告)号：CN102918647A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180019726.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/3205 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , H01L21/76807 , H01L21/76849 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 一种电阻变化稳定且适合于细微化的电阻变化型的非易失性存储装置，具有：第1布线（101），由势垒金属层（101b）和主层（101a）构成，势垒金属层（101b）覆盖形成于第1层间绝缘层（103a）的布线槽的底面和侧面，主层（101a）填充所述布线槽的内部；第1电极（102），由贵金属构成，并覆盖第1布线（101）的上表面；多个存储单元孔（104），形成于第2层间绝缘层（103b）；电阻变化层（105），形成于存储单元孔（104）内，并与第1电极（102）相接；以及覆盖电阻变化层（105）和存储单元孔（104）的第2布线（106），在存储单元孔（104）附近的区域（101A）中，在第1布线（101）的宽度方向的任意截面中，主层（101a）被势垒金属层（101b）及第1电极（102）覆盖。
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公开(公告)号：CN102742011A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180007789.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。
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公开(公告)号：CN101878529B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880118388.8
申请日：2008-11-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置的特征在于，具有：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成在第一通孔(4)中的第一电阻变化元件(5)和第一二极管元件的下部电极(6)；与第一配线(3)正交且由依次叠层有第一二极管元件的半导体层(7)、导电层(8)、第二二极管元件的半导体层(10)而成的多个层构成的第二配线(11)；埋入形成在第二通孔(13)中的第二电阻变化元件(16)和第二二极管元件的上部电极(14)；以及第三配线(17)，第二配线(11)的导电层(8)起到作为第一二极管元件(9)的上部电极和第二二极管元件(15)的下部电极的作用。
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公开(公告)号：CN102217067A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201080003184.7
申请日：2010-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的目的在于，通过降低用于使电阻变化的击穿电压且抑制其不均匀，从而实现存储器的微细化·大容量化。本发明的非易失性存储装置(10)具备：下部电极(105)，形成在基板(100)上；第1电阻变化层(106a)，形成在下部电极(105)上，由过渡金属氧化物构成；第2电阻变化层(106b)，形成在第1电阻变化层(106a)上，由含氧量比第1电阻变化层(106a)的过渡金属氧化物高的过渡金属氧化物构成；以及上部电极(107)，形成在第2电阻变化层(106b)上；在第1电阻变化层(106a)与第2电阻变化层(106b)之间的界面处存在台阶(106ax)。第2电阻变化层(106b)覆盖该台阶(106ax)形成，且在台阶(106ax)的上方具有弯曲部(106bx)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102077347A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201080001928.1
申请日：2010-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。
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公开(公告)号：CN101501850B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200780029607.0
申请日：2007-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(20)包括：在衬底(10)之上形成的、可变电阻膜(11)被下部电极(12)和上部电极(13)所夹的电阻变化元件(14)；和与该电阻变化元件(14)在层叠方向上串联连接、绝缘层(15)或者半导体层(15)被下部的第一电极(16)和上部的第二电极(17)所夹的二极管(18)而构成。并且，可变电阻膜(11)被埋入在下部电极(12)上形成的第一接触孔(21)。并且，呈二极管(18)的绝缘层(15)或者半导体层(15)与第一电极(16)接触的第一面积(22)比可变电阻膜(11)与上部电极(13)接触的第二面积(23)和可变电阻膜(11)与下部电极(12)接触的第三面积(24)的至少一方大的结构。
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公开(公告)号：CN101496173B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200780028452.9
申请日：2007-07-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法。非易失性存储装置(25)包括：半导体基板(11)；在半导体基板(11)上形成的下层配线(12)；在下层配线(12)的上方以与该下层配线(12)交叉的方式形成的上层配线(20)；在下层配线(12)和上层配线(20)之间设置的层间绝缘膜(13)；和被埋入形成于层间绝缘膜(13)的接触孔(14)中，与下层配线(12)和上层配线(20)电连接的电阻变化层(15)；上层配线(20)具备至少两层：由具有氢阻挡性的导电性材料构成的最下层(21)、和比该最下层比电阻小的导电体层(22)。
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公开(公告)号：CN101542727A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200780038564.2
申请日：2007-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板(26)上形成有下部电极(22)，下部电极(22)的上部被第一层间绝缘膜(27)覆盖。在该下部电极(22)上构成有贯通第一层间绝缘膜(27)而形成的第一接触孔(28)，构成可变电阻膜(24)的低电阻层(29)被埋入第一接触孔(28)中。进一步，在第一层间绝缘膜(27)和低电阻层(29)之上形成有高电阻层(30)，可变电阻膜(24)构成为包括各一层该高电阻层(30)和低电阻层(29)的多层的电阻层。进一步，构成存储部(25)的低电阻层(29)至少与邻接的存储部(25)分离。
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公开(公告)号：CN101501850A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029607.0
申请日：2007-09-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L45/04 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(20)包括：在衬底(10)之上形成的、可变电阻膜(11)被下部电极(12)和上部电极(13)所夹的电阻变化元件(14)；和与该电阻变化元件(14)在层叠方向上串联连接、绝缘层(15)或者半导体层(15)被下部的第一电极(16)和上部的第二电极(17)所夹的二极管(18)而构成。并且，可变电阻膜(11)被埋入在下部电极(12)上形成的第一接触孔(21)。并且，呈二极管(18)的绝缘层(15)或者半导体层(15)与第一电极(16)接触的第一面积(22)比可变电阻膜(11)与上部电极(13)接触的第二面积(23)和可变电阻膜(11)与下部电极(12)接触的第三面积(24)的至少一方大的结构。
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