公开(公告)号：CN1445770A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03121628.5

申请日：2003-03-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 儿岛理惠 ,  土生田晴比古 ,  西原孝史 ,  北浦英树 ,  山田昇

IPC: G11B7/24 ,  G11B11/00 ,  B41M5/26

CPC classification number: G11B7/266 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B7/256 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/259 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25711 ,  G11B2007/25713 ,  G11B2007/25715 ,  G11B2007/25718 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  Y10T428/21

Abstract: 提供即使在记录层和电介质层之间不设置界面层，也能够确保高可靠性和良好的反复重写性能的信息记录介质。本发明的信息记录介质，在基片1的表面形成记录层4及电介质层2和6，记录层4通过光照射或施加电能在结晶相和非结晶相之间产生相变，电介质层2和6是含有选自Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr和Si构成的组GM中的至少一种元素的氧化物和、选自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Ho、Er和Yb构成的组GL中的至少一种元素的氟化物的氧化物－氟化系材料层。