公开(公告)号：CN102473904A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080032295.0

申请日：2010-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 八木弘雅 ,  本田和义

IPC: H01M4/139 ,  H01G9/058 ,  H01G9/155 ,  H01M4/13 ,  H01M4/66 ,  H01M4/04

CPC classification number: H01M4/139 ,  C23C14/14 ,  C23C14/545 ,  C23C14/562 ,  H01G11/22 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  H01M4/0423 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54

Abstract: 本发明提供一种沉积量测定装置、沉积量测定方法及电化学元件用电极的制造方法。本发明的制造方法包括向附加了与锂形成化合物的层的基板沉积锂的工序。在沉积工序之前，对基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。在沉积工序之后，向基板照射第一β射线及第二β射线，测定第一β射线及第二β射线的来自基板的背向散射。计算沉积工序前后的第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量。根据第一β射线的背向散射的减少量及第二β射线的背向散射的减少量，进行沉积工序的控制。

公开(公告)号：CN102245800A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980149376.6

申请日：2009-12-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  篠川泰治 ,  八木弘雅 ,  涩谷聪 ,  冈崎祯之 ,  小川裕子 ,  末次大辅

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/042 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24 ,  C23C14/243 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562

Abstract: 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。

公开(公告)号：CN102016103A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980105248.1

申请日：2009-02-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  神山游马 ,  筱川泰治 ,  山本昌裕

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/24

CPC classification number: C23C14/562 ,  C23C14/042 ,  C23C14/30

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成方法，该方法是通过在真空中将从成膜源(27)飞来的粒子堆积在衬底(21)上而形成薄膜的方法。具体而言，以由在成膜源(27)与衬底(21)之间设定有运行路径的去路与返路的可动式的环形带(11)限定衬底(21)的表面的成膜区域(DA)的方式在成膜源(27)与衬底(21)之间配置环形带(11)的状态下，将粒子堆积在衬底(21)上。衬底(21)典型地为具有挠性的长条衬底。从卷出辊(23)向卷取辊(26)将粒子堆积在输送中的衬底(21)上。

公开(公告)号：CN101253642B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200680031544.8

申请日：2006-10-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M10/0587 ,  H01M4/13 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  Y02T10/7011

Abstract: 本发明的电池，包含第1电极、第2电极、介于它们之间的隔膜以及具有锂离子传导性的电解质，第1电极和第2电极隔着隔膜卷绕而构成电极组件，第1电极包含集电体和担载于集电体的一个面上的活性物质层，活性物质层包含具有底部和头部的柱状粒子，柱状粒子的底部与集电体附着，柱状粒子的头部比底部更靠电极组件的外周侧。

公开(公告)号：CN101889103A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200880119323.5

申请日：2008-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 篠川泰治 ,  本田和义 ,  神山游马 ,  山本昌裕 ,  柳智文

IPC: C23C14/56 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  G11B5/85

Abstract: 本发明提供一种薄膜形成装置和薄膜形成方法。在使用气体冷却的成膜方法中，达成充分的冷却效果，并且避免气体导入引起的成膜率的降低和对真空泵的过大的负荷。本发明的薄膜形成装置包括在薄膜形成区域(14)中接近基板(7)的背面配置的冷却体(10)；将气体向冷却体(10)与基板(7)的背面之间导入的气体导入机构；接近基板(7)的背面，将薄膜形成区域(14)分割为第一薄膜形成区域(14a)和成膜速度比第一薄膜形成区域(14a)低的第二薄膜形成区域(14b)，且维持冷却体(10)与基板(7)的间隙的间隙维持机构(11)。冷却条件被设定为第一区域(14a)的冷却量比第二区域(14b)的冷却量大。

公开(公告)号：CN101668701A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200880014009.0

申请日：2008-06-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神山游马 ,  本田和义 ,  筱川泰治 ,  八木弘雅 ,  柳智文 ,  别所邦彦

IPC: C01B33/037 ,  C23C14/14 ,  C23C14/24

CPC classification number: C01B33/037

Abstract: 一种金属硅的精制方法，其中准备金属硅，该金属硅含有1000ppm～10000ppm的重量比的铝且硅的浓度为98重量％～99.9重量％；和在压力为100Pa～1000Pa的惰性气氛中在1500℃～1600℃下加热所述金属硅并保持一定时间。

公开(公告)号：CN100533818C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200710167925.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  本田和义

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M2/1022 ,  H01M4/13 ,  H01M4/134 ,  H01M4/366 ,  H01M4/661 ,  H01M10/052

Abstract: 本发明提供一种电池用电极板以及采用该电极板的锂二次电池。该电池用电极板具备：包含基材和附载在上述基材上的多个突起部的集电体、以及附载在上述集电体上的活性物质层。上述突起部含有比上述基材更容易塑性变形的导电性材料。

公开(公告)号：CN100431068C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200310101354.7

申请日：2003-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 本田和义 ,  高井赖子 ,  长井淳夫 ,  村尾正子 ,  小林惠治

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01B1/00 ,  B32B15/04 ,  B32B37/00

CPC classification number: H01G4/008 ,  B32B18/00 ,  B32B2309/022 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/09 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/468 ,  C04B35/63 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63404 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/63476 ,  C04B35/645 ,  C04B37/028 ,  C04B2237/12 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/40 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/56 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/68 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926

Abstract: 本发明提供一种陶瓷叠层体(10)，其包括：含有金属元素的多个陶瓷层(12)、以及布置在上述陶瓷层(12)之间的多个金属层(14a、14b)。上述金属层(14a、14b)，其主要成分包括从Ni、Cu、Ag和Pd中选择出的至少一种，总含量为50atm%以上，添加剂成分包括上述陶瓷生胚(12)中所包含的上述金属元素中的至少一种，含量为1atm%以上、不足50atm%。这样能获得金属层在烧结后不易断裂的陶瓷叠层体。

公开(公告)号：CN101241986A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200810090052.7

申请日：2005-11-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  本田和义 ,  佐藤俊忠 ,  芳泽浩司

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/04 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/485 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

Abstract: 用于本发明锂离子二次电池的负极包括集电器和该集电器上承载的活性材料层。该活性材料层包含硅和氧。在该活性材料层的厚度方向上，活性材料的氧比在与该集电器接触的活性材料层一侧高于不与该集电器接触的活性材料层一侧。所述活性材料层不含粘着剂。通过采用上述负极，可提供大容量的锂离子二次电池，其具有优异的高速充放电特性和优异的循环特性。

公开(公告)号：CN101233629A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028388.X

申请日：2006-07-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 古结康隆 ,  宇贺治正弥 ,  高桥庆一 ,  美浓辰治 ,  长尾宣明 ,  涩谷聪 ,  本田和义

IPC: H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/48 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40

CPC classification number: H01M4/134 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M2004/021 ,  Y02E60/122 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/49115

Abstract: 一种锂二次电池用负极，其具备集电体和担载于集电体上的活性物质层，活性物质层含有多数的柱状粒子，柱状粒子含有硅元素，柱状粒子相对于集电体的法线方向倾斜，活性物质层的空隙率P为10％≤P≤70％。柱状粒子与集电体的法线方向构成的角θ优选为10°≤θ≤80°。