公开(公告)号：CN1223459A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98120978.5

申请日：1994-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大谷久 ,  宫永昭治 ,  张宏勇 ,  福永健司

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  Y10S148/016

Abstract: 一种半导体器件,包括至少一个含有结晶硅膜的有源区,在绝缘表面上形成,其特征在于,所述硅膜含促进非晶硅膜晶化过程的催化元素。

公开(公告)号：CN1041872C

公开(公告)日：1999-01-27

申请号：CN93114663.1

申请日：1993-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78696 ,  Y10S257/90

Abstract: 一种以增加硅化物膜减少源和漏间电阻的薄膜晶体管器件，通过在硅基片上形成栅绝缘膜和栅极接触区、用阳极氧化栅极接触区、用金属覆盖已露出的硅半导体表面和从上面或绝缘基片侧以激光等强光照射金属膜使金属涂层与硅反应以获得硅化物膜的工艺来制造。金属硅化物层还可通过紧密粘附一金属涂层到已露出的源和漏区，使用形状近似三角形、宽度最好是1μm或更小的绝缘体，和使金属与硅起反应而得到。于是能获得一种性能优良的TFT。

公开(公告)号：CN1192044A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN98103801.8

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  山本睦夫 ,  广木正明 ,  竹村保彦 ,  张宏勇

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中,在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘,所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压,至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模,通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1038885C

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN94117935.4

申请日：1994-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618

Abstract: 在薄膜晶体管的栅电极上形成掩模，以较低电压在栅电极两侧形成多孔阳极氧化膜。以较高电压在栅电极和多孔阳极氧化层之间和栅电极上面形成阻挡阳极氧化层，并用它作为掩模腐蚀栅绝缘膜。腐蚀阻挡阳极氧化层后，选择地腐蚀多孔阳极氧化层，以获得其上有栅绝缘膜的有源层区和其上无栅绝缘膜的其它有源层区。至少把氧、氮、碳中的一种元素掺入到浓度比其它有源层区的高的有源层区域P型杂质掺入到有源层中。

公开(公告)号：CN1151085A

公开(公告)日：1997-06-04

申请号：CN96110920.3

申请日：1994-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  大沼英人 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/004 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/06

Abstract: 将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照，完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜，结果去掉硅膜中的镍。

公开(公告)号：CN1127937A

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：CN95109338.X

申请日：1993-07-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/78675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 薄膜半导体器件，例如TFT及其制造方法。TFT形成在绝缘衬底上。在该衬底上先形成基本上为非晶半导体涂层。再在该涂层上形成对激光辐射透明的保护涂层。用激光辐射照射该叠层，以改善半导体涂层的结晶度。然后，除去保护涂层使半导体涂层的表面露出。形成栅绝缘膜的涂层，随后形成栅电极。还涉及在绝缘衬底上制造半导体器件，例如TFT。形成主要由氮化铝组成第1涂层后，再形成主要由氧化硅组成的第2涂层，其上可制作半导器件。

公开(公告)号：CN1127427A

公开(公告)日：1996-07-24

申请号：CN95119630.8

申请日：1995-11-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 香西孝真 ,  张宏勇 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 用激光处理半导体器件的方法。进行两步独立的激光结晶步骤。先在真空中用稍弱激光进行激光辐照，然后在真空中，在大气或氧气气氛下用较强激光进行另一激光辐照步骤，在真空中所进行的第一步激光辐照不能导至满意的结晶。然而，该辐照能抑制皱脊的产生。在真空，大气或氧气环境中的第二步激光辐照获得满意的结晶，而且不产生皱脊。

公开(公告)号：CN1101167A

公开(公告)日：1995-04-05

申请号：CN94107606.7

申请日：1994-05-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/00

Abstract: 在除图象元素部分之外的无定型硅薄膜上，在预定的外围电路部分的区域内引入镍，以从该区域结晶。在栅电极和其他电极形成之后，用掺杂法形成源、漏和沟道，用激光照射改善结晶。之后，形成电极/引线。因此，获得有源矩阵型液晶显示器，它的外围电路部分中的薄膜晶体管(TFT)，由结晶薄膜构成，其晶体在平行于载流子流的方向里生长，在图象元素部分里的TFTS由无定型硅薄膜构成。

公开(公告)号：CN1098554A

公开(公告)日：1995-02-08

申请号：CN94103241.8

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  竹村保彦 ,  张宏勇 ,  高山彻 ,  鱼地秀贵

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

Abstract: 制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。

公开(公告)号：CN1094851A

公开(公告)日：1994-11-09

申请号：CN94102725.2

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  山本睦夫

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。