公开(公告)号：CN1274192A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN00108684.7

申请日：2000-05-15

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 长洲正浩 ,  木村新 ,  森睦宏 ,  仲田清 ,  照沼睦弘

IPC: H02M7/48 ,  H02P6/00 ,  H02P6/06

CPC classification number: H02M7/53871 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49111 ,  H02M7/003 ,  H02M2001/0009 ,  H01L2924/00014

Abstract: 为了高度精确地检测电力转换系统中的电流,将电感器串联到开关元件的主端子,并使用积分电路对切换时电感器的两端产生的电压积分,来检测电流。

公开(公告)号：CN102034817B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201010254534.9

申请日：2010-08-11

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森睦宏

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。现有技术存在的问题是，电力变换装置中使用的使用现有的pn结的续流二极管，由于将使用寿命控制得较短，因此正向电压大且导通损耗大。另外，在反向恢复时反向恢复电流大且开关损耗大，电力变换装置的损耗大。本发明在正向电流流动时，使电流在正向电压小的pn二极管中流动，而在反向恢复时在反向恢复电流小的肖特基二极管中进行反向恢复。另外，本发明具有pn二极管与肖特基二极管的切换单元。由于降低了续流二极管的正向电压并且减小了反向恢复损耗，因此可以提供损耗小的半导体装置以及使用该半导体装置的电力变换装置。

公开(公告)号：CN102136490B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201010580092.7

申请日：2010-12-02

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡边聪 ,  森睦宏 ,  新井大夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H02M7/48

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置以及使用它的电力变换装置，能够保持低损失和高耐压，同时能够提高接通期间中的dv/dt的基于栅极驱动电路的控制性。为解决上述课题，在宽度宽的沟槽(423)的侧壁上设置栅极(401)，由此，因为栅极(401)被栅极绝缘膜(402)和成为层间膜的厚的绝缘膜(403)覆盖，所以栅极的寄生电容小，而且没有浮动p层，因此栅极的电位不变动，能够提高dv/dt的控制性，能够同时兼顾低损失和低噪声。

公开(公告)号：CN101110555B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200710137063.1

申请日：2007-07-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 东克典 ,  森睦宏 ,  中津欣也

IPC: H02M7/48 ,  H02M1/00 ,  H01L23/34 ,  H05K7/20

CPC classification number: H02M7/003 ,  B60L3/003 ,  B60L3/12 ,  B60L11/123 ,  B60L11/14 ,  B60L11/18 ,  B60L15/007 ,  B60L2210/40 ,  B60L2240/525 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H05K7/20927 ,  Y02T10/6217 ,  Y02T10/645 ,  Y02T10/7005 ,  Y02T10/7022 ,  Y02T10/7077 ,  Y02T10/7241 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明通过减小寄生电感来提供可靠性高的电力变换装置。具备：具有直流端子的电容器模块；将直流电流变换为交流电流的逆变器；和用于冷却逆变器的散热片，逆变器具有具备多个功率半导体元件的功率模块，功率模块具备金属基底、设置于金属基底的一个面的绝缘基板；固定于绝缘基板的功率半导体元件和直流端子，在金属基底的另一个面设置有散热片，功率模块的直流端子和电容器模块的直流端子分别构成为隔着绝缘物层叠平板导体，并且构成为使正负的直流端子的前端部在彼此相反方向上弯曲，将该弯曲的面作为功率模块和电容器模块的连接面，在该连接面中使各个绝缘彼此重叠。

公开(公告)号：CN101308872B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810099156.4

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森睦宏 ,  新井大夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。

公开(公告)号：CN100507991C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200710003979.8

申请日：2007-01-19

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社次世代PDP开发中心

Inventor： 森睦宏

IPC: G09G3/28 ,  G09G3/288 ,  G09G3/20 ,  H01J17/49 ,  G09F9/313 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: G09G3/2965 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/028 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7395 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/487 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种等离子显示装置，在其驱动电路中，对于提供发光电流的驱动元件设置内置有反向导通二极管的IGBT和/或在回收电能并充电的驱动元件设置内置有具有反向截止功能的二极管的IGBT。

公开(公告)号：CN101308872A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810099156.4

申请日：2008-05-14

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 森睦宏 ,  新井大夏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，可以不损失耐压，实现低损失化。在第二导电型的第三半导体区域(110)的一部分中设置有第一导电型的第四半导体区域(122)。由此，提高了将第五半导体区域(151)的面载流子浓度增大时的耐压。

公开(公告)号：CN100349301C

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN00137611.X

申请日：2000-12-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本光造 ,  井上洋典 ,  宫内昭浩 ,  白石正树 ,  森睦宏 ,  渡边笃雄 ,  大柳孝纯

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 在具有第一端101(源端)和第二端102(漏端)的半导体器件中，半导体芯片的衬底主面在(110)面上，n型区2和p型区4在垂直于(110)面的{111}面，长条形的n型区2和长条形的p型区4相邻交替排列，形成电压保持区，所说的第一端101通过导线连接到所说的p型区，所说的第二端102连接到所说的n型区2。而且，形成所说p型区来覆盖栅多晶硅层8的底部拐角。

公开(公告)号：CN1866742A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610082444.X

申请日：2006-05-19

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社次世代PDP开发中心

Inventor： 坂野顺一 ,  原贤志 ,  森睦宏

IPC: H03K17/687 ,  G09G3/28 ,  G09G3/20 ,  H01J17/49 ,  G09F9/313

CPC classification number: G09G3/296 ,  G09G2330/028 ,  Y10T307/461

Abstract: 本发明提供一种小型、低损耗、低成本的负载驱动电路、集成电路以及低成本的等离子显示器。在根据切换命令对向负载3提供的电压进行高低切换的负载驱动电路中的主IGBT 21的栅－阴极间，向触发器5的输出级n型MOS晶体管521的源－漏间提供电压。为了保持该电压，上述触发器5的电源由主电源1或其被连接到固定电位点HVC的电荷泵电源电路8来提供。另外，为了保持电源HVA的电位比主电源1的正极HVC的电位高，设置了放电防止电路7或放电防止元件91、92。