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公开(公告)号：CN103534789B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280022035.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。
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公开(公告)号：CN105579939A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052590.0
申请日：2014-09-22
CPC classification number: G06F3/044 , B32B15/20 , B32B2307/412 , B32B2457/00 , B32B2457/202 , C23C14/0036 , C23C14/0641 , C23C14/165 , G02F1/13338 , G02F1/13439 , G06F2203/04103
Abstract: 本发明的电极具有从透明基板的相反侧(表面侧)开始依次为由透明导电膜构成的第1层、由Mo的氮化物或Mo合金的氮化物中的至少一种构成的第2层、以及由反射率为40％以上、透射率为10％以下的金属膜构成的第3层的层叠结构。
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公开(公告)号：CN103403214B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280010495.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , C22C21/00 , C22F1/00 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/28008 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种高温耐热性优良，膜自身的电阻（配线电阻）也低，且碱环境下的耐蚀性也优良的显示装置用Al合金膜。本发明涉及一种Al合金膜，其含有Ge（0.01～2.0原子%）和X组元素（Ta、Ti、Zr、Hf、W、Cr、Nb、Mo、Ir、Pt、Re及/或Os），且对进行450～600℃的加热处理时的含有Al、X组元素及Ge的析出物中的当量圆直径为50nm以上的析出物的密度进行控制。
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公开(公告)号：CN102741449B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180008362.X
申请日：2011-02-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/14 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/165 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , Y10T428/31678
Abstract: 提供一种显示装置用Al合金膜，其即使曝露在450～600℃左右的高温下也不会发生小丘，高温耐热性优异，膜自身的电阻(互连电阻)也低，碱性环境下的耐腐蚀性也优异。一种显示装置用Al合金膜，其含有从Ta、Nb、Re、Zr、W、Mo、V、Hf和Ti所构成的X群中选择的至少一种元素、和稀土类元素的至少一种，进行450～600℃的加热处理时，满足下述(1)的要件。(1)在含有Al、从X群中选择的至少一种元素、稀土类元素的至少一种的第一析出物中，当量圆直径20nm以上的析出物以500000个/mm2以上的密度存在。
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公开(公告)号：CN104093865A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007803.3
申请日：2013-01-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , B22F1/0018 , B82Y30/00 , C22C1/0466 , C22C5/08 , C23C14/165 , C23C14/3414 , G02B5/26 , H01B1/023
Abstract: 本发明提供一种Ag合金膜，其表现出与纯Ag膜几乎相同水平的低电阻率，且与以往的Ag合金膜相比耐久性(具体而言，耐盐水性、耐卤素性)及与基板的密合性优异，此外，在通过溅射法使上述Ag合金膜成膜时，溅射时的成膜速度与纯Ag一样快。本发明的上述Ag合金膜用于反射膜和/或透射膜、或者用于电气布线和/或电极，含有选自由Pd、Au及Pt组成的组中的至少1种元素0.1～1.5原子％、和选自由稀土元素的至少1种、Bi及Zn组成的组中的至少1种元素0.02～1.5原子％，余量包含Ag及不可避免的杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103733310A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280035317.8
申请日：2012-07-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L23/53223 , H01L21/28525 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76841 , H01L21/76867 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/401 , H01L29/456 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。
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公开(公告)号：CN101911232B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980102139.4
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种可靠性高的触摸屏传感器，其具有难以发生断线和随时间流逝造成的电阻增加，且显示出低电阻，并且能够确保与透明导电膜的导电性而能够直接与该透明导电膜连接的折回配线。本发明涉及触摸屏传感器，其具有透明导电膜和与之直接连接的由铝合金膜形成的折回配线，所述铝合金膜含有从Ni和Co构成的X组中选出的至少一种元素，其合计为0.2～10原子％，并且，所述铝合金膜的硬度为2～15GPa。
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公开(公告)号：CN103534789A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280022035.4
申请日：2012-05-16
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L23/53219 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/12 , C22C21/14 , C22F1/04 , C23C14/165 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/2855 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/45 , H01L29/452 , H01L2924/0002 , Y10T428/12431 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。
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公开(公告)号：CN101918888B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200980102063.5
申请日：2009-03-31
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
Abstract: 本发明开发一种铝合金膜，并提供一种具有该铝合金膜的显示装置，所述铝合金膜在用于显示装置的薄膜晶体管基板的配线构造中可以使铝合金薄膜与透明像素电极直接接触，同时可以兼顾低电阻率和耐热性，改善对薄膜晶体管的制造工序中使用的胺系剥离液及碱性显影液的腐蚀性。本发明涉及一种显示装置，其为氧化物导电膜和Al合金膜直接接触、Al合金成分的至少一部分在所述Al合金膜的接触表面析出而存在的显示装置，其中，所述Al合金膜包含至少1种选自Ni、Ag、Zn及Co中的元素(元素X1)、以及至少1种可以与所述元素X1形成金属间化合物的元素(元素X2)，形成最大直径150nm以下的由X1-X2及Al-X1-X2中的至少一方表示的金属间化合物。
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公开(公告)号：CN102197335A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142715.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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