薄膜晶体管基板及显示器件

    公开(公告)号:CN102169905A

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN201110036949.3

    申请日:2011-02-10

    Abstract: 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触,接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板,具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层,其中,在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层,构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合,所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子%以上20原子%以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种),所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

    薄膜晶体管和显示装置
    38.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104272463B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201380023934.0

    申请日:2013-05-08

    Abstract: 本发明提供一种具备氧化物半导体层的薄膜晶体管,其开关特性和应力耐受性良好,特别是应力施加前后的阈值电压变化量小,稳定性优异。本发明的薄膜晶体管,在基板上至少具有:栅电极;栅极绝缘膜;氧化物半导体层;源‑漏电极;以及保护所述栅极绝缘膜、所述氧化物半导体层和所述源‑漏电极的保护膜,其中,氧化物半导体层是具有由In、Zn、Sn和O构成的第二氧化物半导体层、以及由In、Ga、Zn和O构成的第一氧化物半导体层的层叠体,第二氧化物半导体层形成于栅极绝缘膜之上,并且第一氧化物半导体层形成于第二氧化物半导体层与保护膜之间。

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