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公开(公告)号：JP5869195B1
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：JP2015555487
申请日：2015-09-24
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: C30B29/06
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 【課題】実際の使用状況にできるだけ近い状態で検査することが可能な石英ガラスルツボの破壊検査方法及び良否判定方法を提供する。 【解決手段】本発明による石英ガラスルツボの破壊検査方法は、グラファイトサセプタ2に支持されたシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ1の内表面にオートセンターポンチ10の先端部を押し当てながらオートセンターポンチ10を介して内表面の一点に瞬間的に荷重を加えたときの内表面のひび割れの状態を評価する。 【選択図】図1
Abstract translation: 为了提供的石英玻璃坩埚，其可以在尽可能接近实际使用情况进行检查的一个破坏性的检查方法和质量测定方法。 根据本发明的用于石英玻璃坩埚破坏检查方法涉及自动中心冲头的同时按下的硅单晶的提拉了由石墨基座2支撑坩埚1的石英玻璃的内表面上的自动中心冲头10的前端 当负载通过10施加到内表面的一个点瞬时评估内表面的裂纹的状态。 点域1
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公开(公告)号：JPWO2019221191A1
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019019357
申请日：2019-05-15
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: G01N21/59
Abstract: 【課題】石英ルツボの透過率を正確に測定することが可能な測定方法及び測定装置を提供する。 【解決手段】石英ルツボの一方の壁面1Wa側に配置した光源5から石英ルツボの所定の測定点に向けて平行光を照射し、石英ルツボの他方の壁面1Wb側であって他方の壁面1Wb上の平行光の出射点Pを中心とする同心円C 0 上の複数の位置に検出器6を配置して石英ルツボの透過光の受光レベルを複数の位置で測定し、複数の位置で測定した透過光の複数の受光レベルに基づいて所定の測定点における石英ルツボの透過率を求める。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JPWO2018203454A1
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：JP2018014047
申请日：2018-04-02
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】マルチ引き上げなどの非常に長時間の単結晶引き上げ工程に耐えることができる石英ガラスルツボ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】石英ガラスルツボ1は、石英ガラスからなる有底円筒状のルツボ本体10と、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引き上げ工程中の加熱によってルツボ本体10の表面近傍に結晶化促進剤濃縮層が形成されるように前記ルツボ本体10の表面に形成された結晶化促進剤含有塗布膜13A,13Bとを備えている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019119621A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2017253109
申请日：2017-12-28
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのガラス構造を非破壊で測定して、シリコン単結晶の引き上げ時に転位の発生を抑制することができるシリカガラスルツボを高精度に見極めること。 【解決手段】本発明のシリカガラスルツボの評価方法は、結晶層の表面のラマンスペクトルである第1ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における結晶層側のラマンスペクトルである第2ラマンスペクトルを取得する工程と、結晶層と非結晶層との界面における非結晶層側のラマンスペクトルである第3ラマンスペクトルを取得する工程と、第1ラマンスペクトルには鉱化剤に起因するラマンシフトのピークが存在しないこと、および第2ラマンスペクトルには鉱化剤に起因するラマンシフトのピークが存在することによってシリカガラスルツボの良否を判定する工程と、を備える。 【選択図】図9
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP2017154971A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2017117367
申请日：2017-06-15
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】初期液面を高精度に特定して、高精度なシリコン単結晶の引き上げを可能にするシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一態様に係るシリコン単結晶の製造方法は、円筒状の側壁部を備え、内表面側に透明シリカガラス層、外表面側に気泡含有シリカガラス層を有するシリカガラスルツボ内に多結晶シリコンを充填し、多結晶シリコンを熔融して得られたシリコン融液に種結晶を接触させた後に種結晶を引き上げる工程を備える。種結晶をシリコン融液に接触させる前のシリコン融液の液面の高さ位置は、多結晶シリコンの質量とシリカガラスルツボの内表面の三次元形状に基づいて決定される。内表面の三次元形状は、内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、反射光をレーザー変位計で測定して、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と関連付けることによって決定される。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2017128507A
公开(公告)日：2017-07-27
申请号：JP2017039351
申请日：2017-03-02
Applicant: 株式会社SUMCO
IPC: C30B29/06
Abstract: 【課題】サセプターとシリカガラスルツボとの中心軸を調節することなく、サセプターの内表面とシリカガラスルツボの外表面との間に敷設するだけで互いの中心軸が実質的に一致するようになる、シリコン単結晶引き上げ方法の提供。 【解決手段】シリカガラスルツボ21を保持可能なサセプター31の内面形状の三次元データとルツボ21の三次元データに基づき且つサセプター31の内表面とルツボ21の外表面との間に敷設するとサセプター31の中心軸32とルツボの中心軸22が実質的に一致する様に形成された成形体42を、サセプター31の内表面とルツボ31の外表面との間に敷設する工程を備える、シリコン単結晶引き上げ方法。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2017124972A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017039350
申请日：2017-03-02
Applicant: 株式会社SUMCO
Abstract: 【課題】サセプターとシリカガラスルツボとの中心軸を調節することなく、サセプターの内表面とシリカガラスルツボの外表面との間に敷設するだけで互いの中心軸が実質的に一致するようになる、シリコン単結晶引き上げ方法の提供。 【解決手段】シリカガラスルツボ21を保持可能なサセプター31の内面形状の三次元データとルツボ21の三次元データに基づき、サセプター31の内表面とルツボ21の外表面との間に敷設するとサセプター31の中心軸32とルツボ21の中心軸22が実質的に一致する様に形成される成形体42を加工する工程と、成形体42をサセプター31の内表面とルツボ21の外表面との間に敷設する工程と、ルツボ21をサセプター31に装填する工程とを備える、シリカガラスルツボ21を保持可能なサセプター31にシリカガラスルツボ21を装填する方法。 【選択図】図3
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