公开(公告)号：CN102843234A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210211284.X

申请日：2012-06-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 押田大介 ,  古田茂 ,  广川祐之 ,  山崎晓 ,  藤森隆 ,  盐田茂雅

IPC: H04L9/32

CPC classification number: H04L9/3226 ,  H03M13/29 ,  H03M13/63 ,  H04L9/3278 ,  H04L2209/04 ,  H04L2209/08 ,  H04L2209/34

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及将数据写入到半导体装置的方法。现有技术的半导体装置具有不能够有效地确保写入数据时的安全性的问题。本发明的半导体装置具有：独有码生成单元，其生成初始独有码，所述初始独有码是对于装置独有的值并且包含以随机比特形式的错误；第一错误校正单元，其校正初始独有码中的错误以生成中间独有码；第二错误校正单元，其校正中间独有码中的错误以生成第一确定独有码；以及解密单元，其利用所述第一确定独有码解密传输数据，以生成保密信息，所述传输数据是由外部装置利用基于所述中间独有码生成的密钥信息加密保密信息而获得的。

公开(公告)号：CN101494215B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200910005079.6

申请日：2009-01-21

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 押田大介 ,  竹胁利至 ,  横川慎二

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有高可靠性的半导体器件及其制造方法。提供一种半导体器件，其包括衬底、在衬底上形成的绝缘体膜以及具有不同宽度的多个金属布线，所述多个金属布线包含作为主要成分的铜和与铜不同的杂质。多个金属布线包括第一金属布线和第二金属布线，该第一金属布线具有杂质金属浓度从堆叠方向的中心部分向表面增加的浓度分布，该第二布线金属具有杂质金属浓度从堆叠方向的底部表面向表面降低的浓度分布。此外，第二金属布线的宽度可大于第一金属布线的宽度。