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公开(公告)号:CN102224437A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201080003277.X
申请日:2010-09-02
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: B32B3/30 , G02B1/11 , G02B5/0231 , G06F3/042 , G06F3/0428 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0236 , Y02E10/50
Abstract: 导电光学元件设置有具有表面的基体;作为锥形凸部或凹部的结构,大量该结构以小于或等于可见光波长的微小间距配置在基体的表面上;以及设置在结构上的透明导电层。结构的高宽比为为0.2以上且1.3以下,透明导电层具有跟随结构的表面,在结构的顶部处的透明导电层的平均层厚度D1为80nm以下,以及透明导电层的表面电阻在50Ω/□以上且500Ω/□以下的范围内。
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公开(公告)号:CN102203639A
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN201080003103.3
申请日:2010-08-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B1/116 , B32B3/28 , B32B3/30 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/288 , B32B27/302 , B32B27/304 , B32B27/308 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/205 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/40 , B32B2307/412 , B32B2307/558 , B32B2457/20 , B32B2457/202 , B32B2457/208 , G02B1/118 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: 一种导电光学器件,包括基底构件和形成在该基底构件上的透明导电膜。该透明导电膜的表面结构包括多个凸部,该凸部具有防反射特性,并且以小于等于可见光波长的间距设置。
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公开(公告)号:CN102004272A
公开(公告)日:2011-04-06
申请号:CN201010265401.1
申请日:2010-08-26
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B1/118 , B29C33/3842 , B29C59/02 , G02B5/0215 , G03F7/0005 , Y10S977/887
Abstract: 本发明提供了光学器件及其制造方法、以及母板的制造方法。其中,具有防反射功能的光学器件,包括:基底;以及多个结构体,由凸部或凹部形成,以等于或小于可见光波长的微小节距配置在基底的表面上。多个结构体被配置为在基底的表面上形成多列轨迹,并且形成准六方点阵图案、四方点阵图案或准四方点阵图案,并且结构体对基底表面的填充率等于或高于65%。
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公开(公告)号:CN106537593A
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201580021890.7
申请日:2015-04-27
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B1/115 , G02B1/118 , G02B3/0056 , G02B5/003 , G02B5/201 , H01L27/14 , H01L27/1462 , H04N5/369
Abstract: 本公开内容涉及固态成像元件以及电子设备,其能够有效抑制光在光入射面上的反射和衍射的发生。由在半导体层的光入射面上以预定间距的凹部和凸部形成微细凹凸结构,在半导体层中,针对多个像素中的每一个形成光电转换单元,并且在微细凹凸结构上层压设有对像素接收的各光颜色不同的膜厚度的防反射膜。在微细凹凸结构内形成的凹部和凸部的间距在所有像素中大致相同,并且是100nm以下。例如,本技术可适用于固态成像元件。
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公开(公告)号:CN102282482B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN200980151158.6
申请日:2009-12-17
Applicant: 索尼公司
IPC: G02B1/11 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B1/118 , B82Y20/00 , G02F1/133502 , G02F2202/36
Abstract: 一种光学元件,其配备有基体以及布置在所述基体的表面上的多个结构。所述结构是锥体状的凹陷或凸起。所述结构是以短于或等于使用环境下的光波长带的节距来布置的,并且彼此相邻的所述结构的下部彼此连接。所述结构的深度方向上的有效折射率朝着所述基体逐渐增大,并且描绘出S形曲线。所述结构在所述结构的侧面上具有单个台阶。
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公开(公告)号:CN103348410A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201280006762.1
申请日:2012-02-03
Applicant: 索尼公司 , 索尼信息技术股份有限公司
IPC: G11B7/24056 , G02B5/02
CPC classification number: G11B7/24053 , G02B5/0215 , G11B7/24038 , G11B7/24047 , G11B7/24056 , G11B7/263
Abstract: 本发明公开一种光学信息记录介质,该光学信息记录介质设置有:基板;形成在基板上的一层或多层的信息信号层;和形成在一层或多层的信息信号层上的保护层。每个保护层的表面是读取表面,用于在信息信号层上记录信息信号或再生所述信息信号层中的信息信号的光照射到读取表面上。在读取表面中形成多个次波长构造体。
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公开(公告)号:CN101957500B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201010227478.X
申请日:2010-07-12
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B26/105 , G02B27/0172 , G02B2027/015
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置,包括光源和扫描器,该扫描器包括:(a)第一反射镜,从该光源发射的该光束入射在该第一反射镜上;(b)第一光偏转器,从该第一反射镜出射的光束入射在第一光偏转器上,并出射平行光,该平行光根据与该第一反射镜的转动相关的该光束的第一入射角而形成第一出射角;(c)第二反射镜,从该第一光偏转器出射的该平行光入射在该第二反射镜上;以及(d)第二光偏转器,从该第二反射镜出射的平行光入射在该第二光偏转器上,并出射平行光,该平行光根据与该第二反射镜的转动相关的该平行光的该第二入射角而形成第二出射角。
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公开(公告)号:CN102695363A
公开(公告)日:2012-09-26
申请号:CN201210071803.7
申请日:2012-03-16
Applicant: 索尼公司
IPC: H05K1/02 , H05K3/00 , G02F1/1343 , G02F1/167 , G06F3/041
CPC classification number: G06F3/0412 , G02F2001/1676 , G06F3/044 , G06F3/047 , H05K3/06 , H05K2201/0338 , Y10S977/742 , Y10S977/773 , Y10S977/932
Abstract: 本技术涉及导电元件及其制造方法、配线元件、信息输入装置和母版。该导电元件包括:具有第一波面、第二波面和第三波面的基体,设置在第一波面上的第一层以及设置在第二波面的第二层。第一层具有层叠两个以上的子层的多层结构,第二层具有包括构成第一层的一部分子层的单层结构或多层结构,第一层和第二层形成导电图案部分。第一、第二和第三波面满足以下关系:0≤(Am1/λm1)<(Am2/λm2)<(Am3/λm3)≤1.8,其中,Am1:第一波面的平均振幅,Am2:第二波面的平均振幅,Am3:第三波面的平均振幅,λm1:第一波面的平均波长,λm2:第二波面的平均波长,λm3:第三波面的平均波长。
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公开(公告)号:CN102298211A
公开(公告)日:2011-12-28
申请号:CN201110170376.3
申请日:2011-06-20
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: G02B26/101 , G02B5/30 , G02B26/10 , G02B26/105 , G02B27/0172 , G02B2027/015
Abstract: 本申请涉及光学器件、图像显示设备和头部安装式显示单元,公开了一种图像显示设备,其包括:光源;和扫描装置,适于扫描从光源出射的光束;扫描装置包括:(a)第一反射镜,(b)第一光偏转部件,(c)第二反射镜,以及(d)第二光偏转部件;第二光偏转部件包括外部光接收面;第二光偏转部件具有设在其内部的多个半透明膜;这些半透明膜在所述光束的波长处具有的光反射率R2满足:R2≤k×{(P2/t2)×tan(ζ2)}1/2,其中,k是大于0且小于1的常数,P2是半透明膜的阵列间距,t2是第二光偏转部件的厚度,并且ζ2是在光出射面和所述半透明膜之间形成的角度。
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