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公开(公告)号：KR1019950004388A
公开(公告)日：1995-02-18
申请号：KR1019930013949
申请日：1993-07-22
Applicant: 국방과학연구소
Inventor： 최명진 , 이홍규 , 강영일
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 금염화물을 이용한 CdZnTe의 저항성 접촉전극 형성방법에 관한 것으로 금염화물용액을 CdZnTe 단결정 웨이퍼에 도포함으로써 금과 타드뮴의 치환반응, 또는 금의 카드뮴 빈자리 침입등으로 인한 금-텔루늄결합을 유도하여 표면장벽 제거에 따른 저항성(ohmic성) 접촉을 이루도록 하는 것이다.
